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III-V족 화합물 활용층 형성용 기판 및 III-V족 화합물 활용층 제조방법(A Substrate for III-V Family Compound Layer Forming and III-V Family Compound Layer Manufacturing Method Using Thereof)

  • 기술번호 : KST2017011533
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 III-V족 화합물 활용층 형성용 기판 및 III-V족 화합물 활용층 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 실리콘기판의 상측 면상에 III-V족 화합물로 완충층을 형성시키는 A단계; 상기 A단계에서 형성된 상기 III-V족 화합물 완충층의 상측 면에 희생층을 형성시키는 B단계; 상기 B단계에서 형성된 상기 희생층의 상측에 III-V족 화합물로 활용층을 형성시키는 C단계; 및 상기 B단계에서 형성된 상기 희생층을 제거하여 상기 C단계에서 형성시킨 상기 활용층을 분리해내는 D단계; 를 포함하므로 내부결함의 발생이 억제된 고품질의 III-V족 화합물 활용층을 대면적으로 제조할 수 있으며, 자원을 절약하고, 제조비용을 감축시킬 수 있는 기술이 개시된다.
Int. CL H01L 21/02 (2016.02.06) H01L 21/324 (2016.02.06)
CPC H01L 21/02241(2013.01) H01L 21/02241(2013.01) H01L 21/02241(2013.01) H01L 21/02241(2013.01)
출원번호/일자 1020150188851 (2015.12.29)
출원인 (재)한국나노기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0078973 (2017.07.10) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.29)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오세웅 대한민국 서울특별시 관악구
2 박원규 대한민국 서울특별시 서초구
3 최재혁 대한민국 경기도 화성시
4 신찬수 대한민국 경기도 수원시 영통구
5 이태영 대한민국 서울시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이준성 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길 **, ***호 준성특허법률사무소 (대치동, 대치빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-1284179-80
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0122241-29
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0582721-21
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-1044686-23
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-1163118-25
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-1281106-12
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.01.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0063569-91
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-0063568-45
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2018.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0353272-52
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.07.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0729091-12
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2018-0729090-66
13 등록결정서
Decision to grant
2018.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0534510-70
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번호 청구항
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실리콘기판의 상측 면상에 III-V족 화합물로 완충층을 형성시키는 A단계;상기 A단계에서 형성된 상기 III-V족 화합물 완충층의 상측 면에 희생층을 형성시키는 B단계;상기 B단계에서 형성된 상기 희생층의 상측에 III-V족 화합물로 활용층을 형성시키는 C단계; 및상기 B단계에서 형성된 상기 희생층을 제거하여 상기 C단계에서 형성시킨 상기 활용층을 분리해내는 D단계; 를 포함하되,상기 A단계에서 상기 III-V족 화합물로 형성된 상기 완충층의 내부결함을 완화시켜주는 A1단계;를 더 포함하고, 상기 A1단계에서, 상기 완충층의 내부결함을 완화시켜주기 위하여, 상기 완충층에 대하여 그레이드 버퍼 레이어(gradded buffer layer)처리 또는 싸이클 어닐링(cycle annealing)처리시키며,상기 B단계에서 형성시킨 상기 희생층은 AlAs 또는 AlInP 이고,상기 B단계 및 상기 C단계 사이에서 이루어지는 단계로서, 상기 C단계에서 형성시킬 상기 활용층을 보호하기 위하여 상기 희생층의 상측 면에 보호층을 형성시키는 B1단계;를 더 포함하며,상기 C단계에서의 상기 활용층은 상기 보호층의 상측 면상에 형성되는 것이고,상기 D단계에서는 유연성이 있는 핸들러를 상기 활용층에 접합시키고, 상기 핸들러를 이용하여 상기 활용층을 분리해내되,상기 D단계에서 상기 희생층의 제거는, 불산(HF)으로 상기 희생층을 제거시키는 것 또는 에피텍셜 리프트 오프(Epitaxial Lift-Off)시킴으로써 상기 희생층을 제거시키는 것을 특징으로 하는 III-V족 화합물 활용층 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 D단계에서 상기 활용층의 분리는,상기 희생층과 상기 활용층 사이의 스트레스를 이용하여 상기 활용층을 분리시키는 것을 특징으로 하는 III-V족 화합물 활용층 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 A단계에서 형성되는 상기 III-V족 화합물 또는 상기 C단계에서 형성되는 상기 III-V족 화합물은 비소화갈륨(GaAs)인 것을 특징으로 하는 III-V족 화합물 활용층 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.