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ＣｒＰＳ4를 이용한 저항변화 메모리 소자 및 그 제조방법(Resistive switching memory devices based on ＣｒＰＳ4 materials, and manufacturing of the same)

  • 기술번호 : KST2017011582
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CrPS4를 부도체로 이용한 저항변화 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 벌크 형태의 CrPS4를 박리법에 의해 희생기판(210) 위에 박리하여 부도체층(130)을 제작하는 제1단계와; 제1전극(110)이 패턴된 기판(101)에 박리된 상기 부도체층(130)을 전사하는 제2단계와; 전사된 부도체층(130)에 제2전극(120)을 증착하는 제3단계;를 포함한다.
Int. CL H01L 45/00 (2016.03.18)
CPC H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01)
출원번호/일자 1020150189127 (2015.12.30)
출원인 건국대학교 산학협력단, 서울대학교산학협력단, 기초과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0080726 (2017.07.11) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.30)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
3 기초과학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이미정 대한민국 경기도 이천시
2 이상익 대한민국 부산광역시 금정구
3 박배호 대한민국 서울특별시 강남구
4 김동직 대한민국 제주특별자치도
5 박제근 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 서울특별시 광진구
2 서울대학교 산학협력단 서울특별시 관악구
3 기초과학연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1285493-80
2 보정요구서
Request for Amendment		 2016.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0005374-60
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0078349-24
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2016-0148971-89
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0128279-14
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-0330530-73
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.04.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0330531-18
8 등록결정서
Decision to grant		 2017.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0519506-55
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2018-5013866-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
벌크 형태의 CrPS4를 박리법에 의해 희생기판 위에 박리하여 부도체층을 제작하는 제1단계와;제1전극이 패턴된 기판에 박리된 상기 부도체층을 전사하는 제2단계와;전사된 부도체층에 제2전극을 증착하는 제3단계;를 포함하는 저항변화 메모리 소자의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1단계는,희생기판에 지지층을 코팅하고 박리법에 의해 상기 지지층 상부에 부도체층을 형성한 후에 상기 희생기판을 분리하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자의 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 지지층은 PMMA인 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자의 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 희생기판과 상기 지지층 사이에 수성용매를 코팅한 후에 상기 수성용매를 제거하여 상기 희생기판과 상기 지지층의 분리가 이루어지는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 희생기판과 상기 지지층의 분리 전에 상기 지지층의 상부에 제1테이프를 부착하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자의 제조 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 희생기판과 상기 지지층의 분리 후에 상기 희생기판이 제거된 지지층에 제2테이프를 부착하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 제2테이프를 부착하고 상기 제1테이프를 제거하여 상기 지지층의 일부가 같이 제거되는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자의 제조 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 CrPS4는 화학 기상 증착법에 의해 벌크 형태로 제작되는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자의 제조 방법
9 9
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1 미래창조과학부 건국대학교 리더연구자지원사업 2+ 차원융합 소자 연구단