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전기화학공정을 이용한 유기-무기 복합 반도체 소자 및 이의 제조방법(Semiconductor module using electrochemical deposition and manufacturing method thereof)

  • 기술번호 : KST2017011737
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 유기-무기 복합 반도체 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로서 금속 구조체, 금속 구조체 상에 형성되어, 내부에 상호 연결된 복수의 공극을 갖는 무기물 구조체 및 무기물 구조체의 내부 공극에 위치하는 유기물 구조체를 포함하는 전기화학공정을 이용한 유기-무기 복합 반도체 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 전기화학공정을 이용한 유기-무기 복합 반도체 소자는 유기소재와 무기소재가 서로 연속적으로 연결되어 낮은 열전도율과 함께, 높은 제벡 계수 및 전기전도율을 가지며, 우수한 열전특성을 안정되게 발휘할 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H01L 35/12 (2016.02.13) H01L 35/14 (2016.02.13) H01L 35/24 (2016.02.13) H01L 35/16 (2016.02.13) H01L 35/18 (2016.02.13) H01L 35/34 (2016.02.13) H01L 35/32 (2016.02.13) H01L 51/05 (2016.02.13)
CPC H01L 35/12(2013.01) H01L 35/12(2013.01) H01L 35/12(2013.01) H01L 35/12(2013.01) H01L 35/12(2013.01) H01L 35/12(2013.01) H01L 35/12(2013.01) H01L 35/12(2013.01) H01L 35/12(2013.01)
출원번호/일자 1020160000223 (2016.01.04)
출원인 한국기계연구원, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0081773 (2017.07.13) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.01.04)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임재홍 대한민국 경남 창원시 의창구
2 임동찬 대한민국 경남 창원시 성산구
3 송영섭 대한민국 대구 동구
4 노상현 대한민국 부산광역시 남구
5 심지훈 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이성렬 대한민국 대전광역시 서구 문예로 **, *층 ***호(둔산동, 오성빌딩)(특허법인오암)
2 이성준 대한민국 대전광역시 서구 문예로 **, *층 ***호(둔산동, 오성빌딩)(특허법인오암)
3 이한욱 대한민국 대전광역시 서구 문예로 **, *층 ***호(둔산동, 오성빌딩)(특허법인오암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0000597-80
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2016-0012286-11
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0277480-46
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.06.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0549383-26
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2017-0549382-81
6 등록결정서
Decision to grant		 2017.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0635326-21
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-1013562-55
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
금속 구조체;상기 금속 구조체 상에 형성되어, 내부에 상호 연결된 복수의 공극을 갖는 무기물 구조체; 및상기 무기물 구조체의 내부 공극에 위치하는 도전성 유기물 구조체를 포함하며,상기 유기물 구조체와 상기 유기물 구조체가 서로 연속적으로 연결되어 전기전도율과 제벡 계수의 변화를 동시에 고려한 파워 팩터를 증가시키고, 상기 무기물은 Bi-Te계, Sb-Te계, Pb-Se계, Ag-Te계, Ag-Se계, Bi-(Te, Se)계, (Bi-Sb)-Te계, Si-Ge계, Pb-Te계, GeTe-AgSbTe계 및 (Co, Ir, Ru)-Sb 계로부터 선택된 적어도 1종으로 이루어지며,상기 유기물은 PEDOT, 폴리 아닐린, 폴리 아닐린 유도체, 폴리피롤, 폴리피롤 유도체, 폴리아센, 폴리아센 유도체 및 이들의 공중합체로부터 선택된 적어도 1종으로 이루어지는 유기-무기 복합 열전 반도체 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 복수의 공극은 2층 이상의 공극 층으로 이루어진 유기-무기 복합 열전 반도체 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 금속 구조체는 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 카드뮴(Cd), 백금(Pt), 금(Au) , 비스무스(Bi), 안티모니(Sb), 테릴륨(Te) 및 이들의 합금으로부터 선택된 적어도 1종으로 이루어진 유기-무기 복합 열전 반도체 소자
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에 따른 유기-무기 복합 열전 반도체 소자 제조방법으로, 구조체 상에 상호 연결된 복수의 비드를 도포하는 단계;상기 비드 표면에 무기물을 도금하여 무기물 구조체를 형성하는 단계;상기 무기물 구조체 내부의 상기 비드를 제거하여 상호 연결된 복수의 공극을 갖는 다공질 구조를 형성하는 단계; 및상기 다공질 구조에 유기물을 주입하여 유기물 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 유기-무기 복합 열전 반도체 소자 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 복수의 공극의 형상은 상기 비드의 형상과 대응되도록 형성되는 유기-무기 복합 열전 반도체 소자 제조방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 비드를 도포하는 단계는, 2층 이상의 비드층을 도포하는 유기-무기 복합 열전 반도체 소자 제조방법
9 9
제6항에 있어서, 상기 비드는 고분자 비드 또는 절연체 비드인 유기-무기 복합 열전 반도체 소자 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 고분자 비드는 PS 비드인 유기-무기 복합 열전 반도체 소자 제조방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 절연체 비드는 유리 비드인 유기-무기 복합 열전 반도체 소자 제조방법
12 12
제6항에 있어서, 상기 무기물 구조체를 형성하는 단계는, 전해도금으로 무기물을 도금하여 무기물 구조체를 형성하는 유기-무기 복합 열전 반도체 소자 제조방법
13 13
제6항에 있어서, 상기 다공질 구조를 형성하는 단계는, 상기 비드를 클로로폼, 메탄올 또는 황산 중에서 선택되는 적어도 1종의 용매로 녹여 제거하는 유기-무기 복합 열전 반도체 소자 제조방법
14 14
P형의 열전 반도체 소자와 N형의 열전 반도체 소자가 금속 전극을 사이에 두고 접합하여 PN소자 쌍을 형성하는 열전 반도체 소자에 있어서, 상기 P형의 열전 반도체 소자 및 상기 N형의 열전 반도체 소자 중 적어도 어느 하나의 열전 반도체 소자는, 제1항에 따른 유기-무기 복합 열전 반도체 소자를 포함하는 유기-무기 복합 반도체 소자
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1 WO2017119549 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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2 산업통상자원부 (주)호진플라텍 신재생에너지핵심기술개발 Silver와 Cyanide를 사용하지 않는 결정질 Si 태양전지용 Ni/Cu 전극 소재 및 장비개발