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(A) 이차원 층상구조 물질, 제1 인터컬레이트 화합물 및 제2 인터컬레이트 화합물을 접촉시키는 단계를 포함하는 이차원 층상구조 물질의 단일층 박리방법으로서;상기 이차원 층상구조 물질은 그래파이트, 그래파이트 유사체, 금속 산화물 또는 이의 혼합물이고;상기 이차원 층상구조 물질의 전도띠 끝(conduction band edge, CBE)) 혹은 페르미 준위(Fermi level, Ef)와 상기 제1, 제2 인터컬레이트 화합물의 최고준위 분자궤도(HOMO)와의 HOMO-CBE 혹은 HOMO-Ef 차이값이 -4
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제1항에 있어서, 상기 그래파이트 유사체는 SiH, GeH, P, BN, 및 이들 2종 이상의 혼합물 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 이차원 층상구조 물질의 단일층 박리방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 산화물은 MoO3, HNbMoO6, V2O5, VOPO4, HNb3O8, HCa2Nb3O10, H2SrTa2O7 및 이들 2종 이상의 혼합물 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 이차원 층상구조 물질의 단일층 박리방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 인터컬레이트 화합물은 R1NH2, R12NH, R13N, R1COOH, R1OH, R1SH, R1C(O)NH2, R13P, R13P(O), R1PO3H2, M'OR1, M'SR1, M'HNR1, M'O2CR1, M'HN(O)CR1, R1PO3M'2 및 이들 2종 이상의 혼합물 중에서 선택되며;상기 제2 인터컬레이트 화합물은 R2NH2, R22NH, R23N, R2COOH, R2OH, R2SH, R2C(O)NH2, R23P, R2P(O), R2PO3H2, M''OR2, M''SR2, M''HNR2, M''O2CR2, M'''HN(O)CR2, R2PO3M''2 및 이들 2종 이상의 혼합물 중에서 선택되고;상기 R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 CnH2n+1, CnH2n-1, CnH2n-3 중에서 선택되며, 이때 n은 1 내지 7 사이의 정수이거나 또는 8 내지 30 사이의 정수이고;상기 M' 및 M''은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 Li, Na, K, Rb, Cs, Fr; Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra; B, Al, Ga, In, Tl 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 이차원 층상구조 물질의 단일층 박리방법
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제1항에 있어서, 상기 이차원 층상구조 물질은 SiH, GeH, P, BN, MoO3, HNbMoO6, V2O5, VOPO4, HNb3O8, HCa2Nb3O10, H2SrTa2O7 및 이들 2종 이상의 혼합물 중에서 선택되고;상기 제1 인터컬레이트 화합물과 상기 제2 인터컬레이트 화합물은 각각 헥실아민과 옥타데실아민인 것을 특징으로 하는 이차원 층상구조 물질의 단일층 박리방법
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제1항에 있어서, 상기 이차원 층상구조 물질 100 중량부를 기준으로 상기 제1 인터컬레이트 화합물 및 상기 제2 인터컬레이트 화합물의 투입량은 각각 1 내지 100,000 중량부인 것을 특징으로 하는 이차원 층상구조 물질의 단일층 박리방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 인터컬레이트 화합물 : 상기 제2 인터컬레이트 화합물의 투입량 비율은 1 : 0
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제1항에 있어서, 상기 (A) 단계는 상기 이차원 층상구조 물질의 분산액에 제1 인터컬레이트 화합물 및 제2 인터컬레이트 화합물을 투입함으로써 수행되고;상기 분산액은 디메틸설폭사이드(DMSO), N-메틸-피롤리돈(NMP), 이소프로판올, 디메틸포름아미드(DMF), 디에틸포름아미드(DEF), 아세톤, 클로로포름 및 이들 2종 이상의 혼합액 중에서 선택된 분산매에 분산된 분산액인 것을 특징으로 하는 이차원 층상구조 물질의 단일층 박리방법
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제8항에 있어서, 상기 이차원 층상구조 물질의 단일층 박리방법은 상기 (A) 단계 후에 (B) 상기 분산액을 스터링하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 이차원 층상구조 물질의 단일층 박리방법
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제9항에 있어서, 상기 스터링은 7 시간 내지 60 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 이차원 층상구조 물질의 단일층 박리방법
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제1항에 있어서, 상기 이차원 층상구조 물질은 측면 길이가 3 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 하는 이차원 층상구조 물질의 단일층 박리방법
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제1항에 있어서, 상기 이차원 층상구조 물질의 단일층 박리방법은 상기 (A) 단계 후에 (B) 박리된 이차원 단일층 나노시트를 침전시켜 수득하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 이차원 층상구조 물질의 단일층 박리방법
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제12항에 있어서, 상기 침전은 원심분리를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 이차원 층상구조 물질의 단일층 박리방법
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(A) 이차원 층상구조 물질의 분산액에 제1 인터컬레이트 화합물 및 제2 인터컬레이트 화합물을 투입하는 단계를 포함하는 이차원 층상구조 물질의 단일층 나노시트 제조방법으로서;상기 이차원 층상구조 물질은 그래파이트, 그래파이트 유사체, 금속 산화물 또는 이의 혼합물이고;상기 그래파이트 유사체는 SiH, GeH, P, BN 및 이들 2종 이상의 혼합물 중에서 선택되며;상기 금속 산화물은 MoO3, HNbMoO6, V2O5, VOPO4, HNb3O8, HCa2Nb3O10, H2SrTa2O7 및 이들 2종 이상의 혼합물 중에서 선택되고;상기 이차원 층상구조 물질의 전도띠 끝(conduction band edge, CBE)) 혹은 페르미 준위(Fermi level, Ef)와 상기 제1, 2 인터컬레이트 화합물의 최고준위 분자궤도(HOMO)와의 HOMO-CBE 혹은 HOMO-Ef 차이값이 -4
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제1항에 의해 박리된 이차원 층상구조 물질의 단일층 나노시트
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제14항에 의해 제조된 이차원 층상구조 물질의 단일층 나노시트
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