| 1 |
1
산화갈륨 기반의 반도체층;상기 반도체층 상에 금속 전극; 및상기 반도체층 내에 배치되며 상기 금속 전극에 접촉된 오믹 접촉층을 포함하며,상기 오믹 접촉층은 상기 금속 전극을 이루는 원소를 갖는 산화 조성물을 포함하는 반도체 소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 산화갈륨 기반의 반도체층은 β-Ga2O3를 포함하는 반도체 소자
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 금속 전극은 주석(Sn), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 인듐(In) 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 소자
|
| 4 |
4
제3항에 있어서, 상기 오믹 접촉층은 주석(Sn), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 인듐(In) 중 적어도 하나와 산소의 조성물을 포함하는 반도체 소자
|
| 5 |
5
제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 산화갈륨 기반의 반도체층은 n형 도펀트를 포함하는 반도체 소자
|
| 6 |
6
제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 금속 전극은 상기 오믹 접촉층 상에 제1층, 상기 제1층 상에 제2층, 상기 제2층 상에 제3층을 포함하며,상기 제1층은 주석(Sn), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 인듐(In) 중 적어도 하나를 포함하며,상기 제3층은 본딩 금속을 포함하며,상기 제2층은 베리어 금속을 포함하는 반도체 소자
|
| 7 |
7
제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 오믹 접촉층은 상기 금속 전극에 수직하게 오버랩되게 배치되는 반도체 소자
|
| 8 |
8
제3항 또는 제4항에 있어서,상기 금속 전극은 하나 또는 복수의 암 패턴을 갖는 반도체 소자
|
| 9 |
9
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 산화갈륨 기반의 반도체층 아래에 절연성 또는 전도성의 기판을 포함하는 반도체 소자
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 산화갈륨 기반의 반도체층과 상기 기판 사이에 질화물 반도체층을 갖는 발광 구조물을 포함하는 반도체 소자
|
| 11 |
11
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 산화갈륨 기반의 반도체층은 자외선, 청색, 녹색 또는 적색 중 적어도 하나의 광을 방출하는 반도체 소자
|
| 12 |
12
캐비티를 갖는 지지 부재; 및상기 지지 부재 상에 투명 윈도우;상기 캐비티에 배치된 적어도 하나의 반도체 소자를 포함하며,상기 반도체 소자는 제10항의 반도체 소자를 포함하는 발광 모듈
|
