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기재;상기 기재 상에 위치하거나 상기 기재를 포함하는 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 위치하는 절연층; 상기 절연층상에 하기 구조식 2로 표시되는 화합물로 형성된 자기조립단분자층인 누적막(built-up film);상기 누적막 상에 위치하고, 유기 반도체 단분자를 포함하는 유기 활성층; 상기 유기 활성층 상에 위치하고, 화학물질 또는 생물학적 활성물질을 감지하는 컨테이너 분자를 포함하는 감지층; 및 상기 유기 활성층 상에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극;을 포함하고,상기 유기 반도체 단분자는 DDFTTF(5,5'-bis-(7-dodecyl-9H-fluoren-2-yl)-2,2'-bithiophene)이고,상기 화학물질이 마약 성분을 포함하고, 상기 생물학적 활성물질이 아세틸콜린을 포함하고,상기 컨테이너 분자가 하기 구조식 1로 표시되는 것인 액상측정 바이오센서용 유기 트랜지스터:[구조식 1]구조식 1에서,n은 반복단위의 반복수이고, n은 3 내지 20의 정수 중 어느 하나이고,R1 및 R2는 같거나 서로 다르고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, -OR4, -SR5 또는 -NR6R7이고,R4 내지 R7은 같거나 서로 다르고, R4 내지 R7은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 직쇄형 또는 분쇄형 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 직쇄형 또는 분쇄형 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 직쇄형 또는 분쇄형 C2 내지 C20 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴기이고,[구조식 2]구조식 2에서,R3은 C3 내지 C30 알킬기이고,X1은 C1 내지 C6 알콕시, F, Cl, Br 또는 I이고,X2는 H, C1 내지 C6 알콕시, F, Cl, Br 또는 I이고,X3은 H, C1 내지 C6 알콕시, F, Cl, Br 또는 I이다
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제1항에 있어서,n은 반복단위의 반복수이고, n은 6 또는 7이고,R1 및 R2는 같거나 서로 다르고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, -OR4, -SR5 또는 -NR6R7이고,R4 내지 R7은 같거나 서로 다르고, R4 내지 R7은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 직쇄형 또는 분쇄형 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 직쇄형 또는 분쇄형 C2 내지 C20 알케닐기인 것을 특징으로 하는 액상측정 바이오센서용 유기 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 기재가 유리, 석영, 알루미나, 탄화규소, 산화마그네슘, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리스티렌(PS), 폴리이미드(PI), 폴리염화비닐(PVC), 폴리비닐피롤리돈(PVP), 폴리에틸렌(PE), 실리콘(Si), n-도핑된 실리콘(n-doped Si), p-도핑된 실리콘(p-doped Si), 게르마늄, 갈륨비소(GaAs), 인화인듐(InP), 인듐안티몬(InSb), 인듐비소(InAs), 알루미늄비소(AlAs), 알루미늄안티몬(AlSb), 카드뮴텔루트(CdTe), 아연텔루트(ZnTe), 황화아연(ZnS), 셀레늄화카드뮴(CdSe), 카드뮴안티몬(CdSb) 및 인화갈륨(GaP) 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 액상측정 바이오센서용 유기 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 액상측정 바이오센서용 유기 트랜지스터가상기 유기 활성층 상에 위치하는 부동화(passivation) 층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액상측정 바이오센서용 유기 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 부동화 층이 산화규소(SiO), 이산화규소(SiO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 질화 알루미늄(AlN), 질화규소(Si3N4), 지르코니아(ZrO2), 산화하프늄(HfO2), 산화바륨(BaO), 탄탈륨 옥사이드(Ta2O5), 티타늄옥사이드(TiO), 산화칼슘(CaO) 및 산화칼륨(K2O) 중에서 선택된 1종 이상을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액상측정 바이오센서용 유기 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 기재가 플렉서블 기재인 것을 특징으로 하는 액상측정 바이오센서용 유기 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 소스 전극, 드레인 전극, 또는 게이트 전극이 알루미늄, 금, 구리, 니켈, 그래핀, 탄소나노튜브, n-도핑된 실리콘(n-doped Si), p-도핑된 실리콘(p-doped Si), 및 전도성 고분자 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 액상측정 바이오센서용 유기 트랜지스터
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제1항의 액상측정 바이오센서용 유기 트랜지스터를 포함하는 액상측정 바이오센서
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(a) 게이트 전극 및 절연층이 순차적으로 형성된 기재를 준비 하는 단계;(a’) 상기 절연층 상에 하기 구조식 2로 표시되는 화합물로 형성된 자기조립단분자층인 누적막(built up film)을 형성하는 단계;(b) 상기 누적막 상에 유기 반도체 단분자를 포함하는 유기 활성층을 형성하는 단계;(c) 상기 유기 활성층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및(d) 상기 유기 활성층 상에 화학물질 또는 생물학적 활성물질을 감지하는 컨테이너 분자를 포함하는 감지층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 유기 반도체 단분자는 DDFTTF(5,5'-bis-(7-dodecyl-9H-fluoren-2-yl)-2,2'-bithiophene)이고,상기 화학물질이 마약 성분을 포함하고, 상기 생물학적 활성물질이 아세틸콜린을 포함하고,상기 컨테이너 분자가 하기 구조식 1로 표시되는 것인 액상측정 바이오센서용 유기 트랜지스터의 제조방법:[구조식 1]구조식 1에서,n은 반복단위의 반복수이고, n은 3 내지 20의 정수 중 어느 하나이고,R1 및 R2는 같거나 서로 다르고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, -OR4, -SR5 또는 -NR6R7이고,R4 내지 R7은 같거나 서로 다르고, R4 내지 R7은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 직쇄형 또는 분쇄형 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 직쇄형 또는 분쇄형 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 직쇄형 또는 분쇄형 C2 내지 C20 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴기이고,[구조식 2]구조식 2에서,R3은 C3 내지 C30 알킬기이고,X1은 C1 내지 C6 알콕시, F, Cl, Br 또는 I이고,X2는 H, C1 내지 C6 알콕시, F, Cl, Br 또는 I이고,X3은 H, C1 내지 C6 알콕시, F, Cl, Br 또는 I이다
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