| 1 |
1
제1 플레이트;상기 제1 플레이트의 일측에 이격 배치된 제2 플레이트;상기 제1 플레이트와 제2 플레이트를 연결하는 지지 로드들; 및상기 지지 로드들의 각각과 연결되고, 상기 제1 플레이트와 상기 제2 플레이트 사이에 배치되는 적어도 하나의 지지 판을 포함하고, 상기 지지 판은:상기 일측에 웨이퍼가 안착되며, 상기 웨이퍼보다 열 전도도가 큰 물질을 포함하는 지지 플레이트; 및상기 지지 플레이트로부터 상기 제2 플레이트를 향해 연장되는 측벽을 포함하는 웨이퍼 보트
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 지지 플레이트는 실리콘 카바이트카바이드(SiC)를 포함하는 웨이퍼 보트
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 지지 판은 상기 측벽으로부터 외측을 향해 연장되며, 상기 지지 로드들의 각각과 결합되는 플랜지를 더 포함하는 웨이퍼 보트
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 지지 플레이트는 복수의 관통 홀들을 포함하는 웨이퍼 보트
|
| 5 |
5
제4항에 있어서, 상기 지지 플레이트는 상기 관통 홀들의 각각으로부터 상기 측벽을 향해 연장되는 제1 가이드 슬릿들을 더 포함하고,상기 측벽은 상기 제1 가이드 슬릿들의 각각과 연결되는 제2 가이드 슬릿들을 포함하는 웨이퍼 보트
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 제1 가이드 슬릿들의 각각은 서로 평행하게 배치되는 웨이퍼 보트
|
| 7 |
7
제5항에 있어서,상기 지지 판은 상기 측벽으로부터 외측을 향해 연장되며, 상기 지지 로드들의 각각과 결합되는 플랜지를 더 포함하고,상기 플랜지는 가장자리로부터 상기 측벽을 향해 연장되어, 상기 제2 가이드 슬릿들의 각각과 연결되는 제3 가이드 슬릿들을 포함하는 웨이퍼 보트
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 제1 가이드 슬릿들의 각각과 상기 제3 가이드 슬릿들의 각각은 서로 평행하게 배치되는 웨이퍼 보트
|
| 9 |
9
적어도 하나의 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 보트와, 상기 웨이퍼 보트에 안착된 웨이퍼를 리프트하는 웨이퍼 리프트와, 상기 웨이퍼 보트 및 상기 웨이퍼 리프트를 일측 및 타측으로 이동시키는 보트 엘리베이터와, 내부에 상기 웨이퍼 보트, 상기 웨이퍼 리프트 및 상기 보트 엘리베이터를 수용하는 하우징을 포함하고,상기 웨이퍼 보트는:제1 플레이트;상기 제1 플레이트의 일측에 이격 배치된 제2 플레이트;상기 제1 플레이트와 상기 제2 플레이트를 연결하는 지지 로드들; 및상기 지지 로드들의 각각과 연결되고, 상기 제1 플레이트와 상기 제2 플레이트 사이에 배치되는 적어도 하나의 지지 판을 포함하고, 상기 지지 판은:상기 일측에 웨이퍼가 안착되며, 상기 웨이퍼보다 열 전도도가 큰 물질을 포함하는 지지 플레이트; 및상기 지지 플레이트로부터 상기 제2 플레이트를 향해 연장되는 측벽을 포함하며,상기 지지 플레이트는 복수의 관통 홀들을 포함하고,상기 웨이퍼 리프트는:상기 지지 로드들과 평행하게 배치되는 적어도 하나의 기둥;상기 기둥으로부터 상기 지지 판을 향해 연장되어, 상기 지지 플레이트의 타측에 배치되는 핀 지지부; 및상기 핀 지지부로부터 상기 관통 홀들의 각각을 향해 돌출되는 리프트 핀들을 포함하는 반도체 제조 장치
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 보트 엘리베이터는: 상기 웨이퍼 보트와 상기 웨이퍼 리프트가 안착되는 안착 플레이트; 상기 안착 플레이트를 관통하는 적어도 하나의 삽입 홀; 및상기 삽입 홀 상에 배치되는 탄성 부재를 포함하고, 상기 하우징의 일면에 배치되고, 상기 관통 홀을 향해 돌출되는 돌출 부재를 포함하는 반도체 제조 장비
|
