1 |
1
플라즈마 불안정성을 가지는 채널로 이루어지며, 소스, 게이트, 드레인에 연결되는 플라즈마파 트랜지스터;상기 플라즈마파 트랜지스터의 드레인과 접속되는 임피던스 변환 회로;상기 임피던스 변환 회로에 접속되는 안테나; 및 상기 소스, 게이트, 드레인에 DC 신호를 인가하는 바이어스 회로를 포함하며, 상기 임피던스 변환 회로에 의해 변환된 드레인 부하 임피던스는 테라헤르츠파의 발진을 일으키기 위해 소정의 임계값 이상으로 설정되며, 상기 드레인 부하 임피던스가 상기 소정의 임계값을 넘어서면, 상기 소정의 임계값을 만족하면서 최소값을 갖도록 설정되는 테라헤르츠 방사 장치
|
2 |
2
삭제
|
3 |
3
제 1항에 있어서, 상기 임피던스 변환 회로와 연결되는 임피던스 조절부를 더 포함하는 테라헤르츠 방사 장치
|
4 |
4
제 3항에 있어서,상기 임피던스 조절부의 임피던스 조절 기능은 voltage-controlled capacitor를 통해 수행되며, 주어진 바이어스 조건에서 임피던스 변환 회로의 조절 신호를 바꿔가며 방사 전력을 측정한 후에 최적의 임피던스 값을 결정하는 테라헤르츠 방사 장치
|
5 |
5
제 1항에 있어서, 상기 안테나와 연결되는 전력 측정 회로를 더 포함하는 테라헤르츠 방사 장치
|
6 |
6
제 5항에 있어서,상기 전력 측정 회로는 방사 전력의 값에 비례하는 매우 작은 양의 손실 전력을 도입하고 이를 측정하여 방사 전력의 값을 추정하는 테라헤르츠 방사 장치
|
7 |
7
제 1항에 있어서,상기 임피던스 변환 회로는 전송선을 통해 구현되며, 전송선의 길이(Length)와 파장의 비율에 따라 임피던스의 변환 정도가 결정되는 테라헤르츠 방사 장치
|
8 |
8
제 7항에 있어서,상기 파장은 플라즈마 트랜지스터의 채널 전자 농도와 채널의 길이를 고려하여 예상값을 설정하며, 상기 예상값을 바탕으로 전송선의 길이를 결정하는 테라헤르츠 방사 장치
|