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구리와 그래핀으로 이루어지는 반도체용 열전도성 전자파 차폐도료에 있어서, 상기 반도체용 열전도성 전자파 차폐도료는 구리파우더(1) 표면에 합성되는 그래핀;으로 이루어지되,상기 구리파우더 표면의 산화막(2)을 제거하는 산화막 제거단계; 상기 산화막 제거단계를 거친 구리파우더 표면에 산화방지막(3)을 형성하는 산화방지막 형성단계;를 포함하는 것으로,상기 산화막 제거단계에서는 구리파우더(1) 표면에 형성된 산화막(2)을 제거하기 위해 염화수소(HCl)를 사용하되,HCl 1~5mol 용액을 사용하여 Cu표면의 산화막을 제거하되, HCl의 몰 농도에 따라 반응 시간은 5~10분으로 조절하는 것이며,이후, 작용기를 매개로 하여 구리에 그래핀(Graphene)을 합성하여, 구리원소 간에 통전이 잘 이루어지도록 하는 것으로,상기 그래핀은 구리파우더(1) 표면에 합성하기 위해 화학기상증착법(CVD)을 사용하되,상기 산화방지막 형성단계에서 형성된 산화방지막은 그래핀옥사이드 작용기와 결합하여 화학적 반응을 유도하기 위하여, 산화막이 제거된 구리파우더 표면은 2,2’-비티오펜(2,2’-Bithiophene) 수용액에 구리파우더를 넣어서 50℃를 유지하여 5일 동안 반응시켜 구리파우더 표면에 자가조립 단분자막인 산화방지막을 형성하는 것으로,2,2’-Bithiophene 0
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