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오토 리프레쉬 방법을 이용한 동적 메모리 장치 및 그의 선택적 리프레쉬 방법(DRAM device using auto refresh scheme and selective refresh method thereof)

  • 기술번호 : KST2017012027
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 오토 리프레쉬 방법을 이용한 동적 메모리 장치 및 그의 선택적 리프레쉬 방법을 개시한다. 즉, 본 발명은 복수의 메모리 셀을 가지는 복수의 행으로 이루어진 그룹에 대해서 메모리 컨트롤러로부터 제공되는 행별 리프레쉬 정보에 따라 해당 그룹과 관련한 리프레쉬 플래그 카운터를 증감시킴으로써, 행별로 구비되는 리프레쉬 플래그 카운터의 수를 줄여 전체 DRAM의 크기를 줄이고 비용을 절감할 수 있다.
Int. CL G11C 11/406 (2016.02.23) G06F 13/16 (2016.02.23) G11C 8/12 (2016.02.23)
CPC G11C 11/40611(2013.01) G11C 11/40611(2013.01) G11C 11/40611(2013.01) G11C 11/40611(2013.01)
출원번호/일자 1020160003683 (2016.01.12)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0084543 (2017.07.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.01.12)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김선욱 대한민국 경기도 남양주시 도농로 **,
2 나여울 대한민국 서울특별시 성북구
3 한미선 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전종학 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, 성지*차빌딩 **층 대표:****호 경은국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0032681-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.06.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0123738-87
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0585639-00
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0738349-19
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
오토 리프레쉬 방법을 이용한 동적 메모리 장치에 있어서,리프레쉬 동작이 필요한 행과 필요하지 않은 행에 대한 행별 리프레쉬 동작의 필요 여부를 나타내는 정보인 리프레쉬 정보 및 행 주소를 제공하는 프로세서; 및상기 프로세서로부터 제공되는 리프레쉬 정보 및 행 주소를 근거로 복수의 메모리 셀을 가지는 복수의 행으로 구성된 그룹 중에서 상기 행 주소에 대응하는 리프레쉬 플래그 카운터의 값을 증감하는 DRAM(Dynamic Random Access Memory)을 포함하는 동적 메모리 장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 리프레쉬 정보는,상기 행 주소에 대응하는 특정 행에 대한 리프레쉬 동작을 해야함을 나타내는 REF_ACT 명령 및 상기 특정 행에 대한 리프레쉬 동작을 하지 않아도 됨을 나타내는 REF_DEACT 명령 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 메모리 장치
3 3
제 2 항에 있어서,상기 리프레쉬 정보는,상기 특정 행에 대해서 상기 REF_ACT 명령이나 상기 REF_DEACT 명령이 연속으로 발생되지 않는 것을 특징으로 하는 동적 메모리 장치
4 4
제 1 항에 있어서,상기 DRAM은,복수의 행으로 구성된 그룹에 대응하는 리프레쉬 플래그 카운터; 및상기 프로세서로부터 제공되는 리프레쉬 정보 및 행 주소를 근거로 그룹별 리프레쉬 플래그 카운터 중에서, 상기 행 주소에 대응하는 리프레쉬 플래그 카운터의 값을 상기 리프레쉬 정보가 REF_ACT일 때 미리 설정된 1만큼 증가시키고, 상기 리프레쉬 정보가 REF_DEACT일 때 미리 설정된 1만큼 감소시키는 리프래쉬 결정 로직을 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 메모리 장치
5 5
제 4 항에 있어서,상기 리프래쉬 결정 로직은,상기 프로세서로부터 제공되는 특정 그룹을 선택적으로 리프레쉬하기 위한 오토 리프레쉬 명령 및 특정 그룹 정보를 근거로 상기 특정 그룹 정보와 관련한 리프래쉬 플래그 카운터의 값이 0보다 큰지 여부를 확인하는 것을 특징으로 동적 메모리 장치
6 6
제 5 항에 있어서,상기 리프래쉬 결정 로직은,상기 확인 결과, 상기 특정 그룹 정보와 관련한 리프래쉬 플래그 카운터의 값이 0보다 클 때, 상기 특정 그룹 정보와 관련한 특정 그룹에 대한 일괄적인 리프래쉬 기능을 수행하는 것을 특징으로 하는 동적 메모리 장치
7 7
제 5 항에 있어서,상기 리프래쉬 결정 로직은,상기 확인 결과, 상기 특정 그룹 정보와 관련한 리프래쉬 플래그 카운터의 값이 0일 때, 상기 오토 리프레쉬 명령에도 불구하고 상기 특정 그룹 정보와 관련한 특정 그룹에 대한 리프래쉬 기능을 수행하지 않는 것을 특징으로 하는 동적 메모리 장치
8 8
오토 리프레쉬 방법을 이용한 동적 메모리 장치의 선택적 리프레쉬 방법에 있어서,프로세서를 통해, 리프레쉬 동작이 필요한 행과 필요하지 않은 행에 대한 행별 리프레쉬 동작의 필요 여부를 나타내는 정보인 리프레쉬 정보 및 행 주소를 제공하는 단계;DRAM을 통해, 상기 프로세서로부터 제공되는 리프레쉬 정보 및 행 주소를 근거로 복수의 메모리 셀을 가지는 복수의 행으로 구성된 그룹 중에서 상기 행 주소에 대응하는 리프레쉬 플래그 카운터의 값을 증감하는 단계;상기 프로세서를 통해, 특정 그룹을 선택적으로 리프레쉬하기 위한 오토 리프레쉬 명령 및 특정 그룹 정보를 제공하는 단계;상기 DRAM을 통해, 상기 프로세서로부터 제공되는 특정 그룹을 선택적으로 리프레쉬하기 위한 오토 리프레쉬 명령 및 특정 그룹 정보를 근거로 상기 특정 그룹 정보와 관련한 리프래쉬 플래그 카운터의 값이 0보다 큰지 여부를 확인하는 단계; 및상기 DRAM을 통해, 상기 확인 결과, 상기 특정 그룹 정보와 관련한 리프래쉬 플래그 카운터의 값이 0보다 클 때, 상기 특정 그룹 정보와 관련한 특정 그룹에 대한 일괄적인 리프래쉬 기능을 수행하는 단계를 포함하는 동적 메모리 장치의 선택적 리프레쉬 방법
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제 8 항에 있어서,상기 리프레쉬 정보는,상기 행 주소에 대응하는 특정 행에 대한 리프레쉬 동작을 해야함을 나타내는 REF_ACT 명령 및 상기 특정 행에 대한 리프레쉬 동작을 하지 않아도 됨을 나타내는 REF_DEACT 명령 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 메모리 장치의 선택적 리프레쉬 방법
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제 9 항에 있어서,상기 리프레쉬 정보는,상기 특정 행에 대해서 상기 REF_ACT 명령이나 상기 REF_DEACT 명령이 연속으로 발생되지 않는 것을 특징으로 하는 동적 메모리 장치의 선택적 리프레쉬 방법
11 11
제 8 항에 있어서,상기 행 주소에 대응하는 리프레쉬 플래그 카운터의 값을 증감하는 단계는,상기 프로세서로부터 제공되는 리프레쉬 정보 및 행 주소를 근거로 그룹별 리프레쉬 플래그 카운터 중에서, 상기 행 주소에 대응하는 리프레쉬 플래그 카운터의 값을 상기 리프레쉬 정보가 REF_ACT일 때, 미리 설정된 1만큼 증가시키는 과정; 및상기 프로세서로부터 제공되는 리프레쉬 정보 및 행 주소를 근거로 그룹별 리프레쉬 플래그 카운터 중에서, 상기 행 주소에 대응하는 리프레쉬 플래그 카운터의 값을 상기 리프레쉬 정보가 REF_DEACT일 때, 미리 설정된 1만큼 감소시키는 과정 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 메모리 장치의 선택적 리프레쉬 방법
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제 8 항에 있어서,상기 DRAM을 통해, 상기 확인 결과, 상기 특정 그룹 정보와 관련한 리프래쉬 플래그 카운터의 값이 0일 때, 상기 오토 리프레쉬 명령에도 불구하고 상기 특정 그룹 정보와 관련한 특정 그룹에 대한 리프래쉬 기능을 수행하지 않는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 메모리 장치의 선택적 리프레쉬 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 전자부품연구원 산업기술혁신사업 Processing in Memory 반도체 아키텍처 및 데이터 집약적 응용처리를 위한 병렬처리 기술 개발