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상압 플라즈마를 이용한 환원 그래핀의 제조방법(Manufacturing Method for Reduced graphene Oxide Using Atmospheric Pressure Plasma)

  • 기술번호 : KST2017012042
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상압 플라즈마를 이용한 환원 그래핀의 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 상압 플라즈마를 이용한 환원 그래핀의 제조방법은 공정이 간단하여 비용이 저렴하며 폐수 및 유독성 가스의 배출이 전혀 없는 경제적이며 친환경적인 공정기술이다. 또한 본 발명의 평판형 상압 플라즈마 반응기는 균일하고 안정적인 플라즈마를 발생시킬 수 있으므로 순도 높은 환원 그래핀을 대량으로 제조할 수 있는 장점이 있으며 본 발명의 수소-질소 혼합가스 또는 수소-아르곤 혼합가스 플라즈마는 10-30분간의 짧은 처리시간만으로도 산화 그래핀의 친수성 관능기를 효과적으로 환원시켜 소수성 관능기를 가지는 환원 그래핀을 제조 할 수 있는 장점이 있다. 따라서 본 발명의 상압 플라즈마를 이용한 환원 그래핀의 제조방법은 경제적이며 친환경적인 공정으로서 종래의 화학적 환원법을 대체하여 환원 그래핀의 대량 생산 공정으로 사용될 수 있다.
Int. CL C01B 31/04 (2016.02.16) B01J 19/08 (2016.02.16) H05H 1/46 (2016.02.16)
CPC C01B 32/23(2013.01) C01B 32/23(2013.01) C01B 32/23(2013.01)
출원번호/일자 1020160003845 (2016.01.12)
출원인 강원대학교산학협력단, (주) 맥진정보통신
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0084604 (2017.07.20) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.01.12)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 강원대학교산학협력단 대한민국 강원도 춘천시
2 주식회사 엠지아이티 대한민국 서울특별시 금천구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이원규 대한민국 강원도 춘천시 남춘천새길 **, *
2 서호석 대한민국 경기도 남양주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김정현 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 신명빌딩)(한맥국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 강원대학교산학협력단 강원도 춘천시
2 주식회사 엠지아이티 서울특별시 금천구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0034071-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.05.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.07.12 수리 (Accepted) 9-1-2017-0023189-36
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0503591-07
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0890082-09
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.09.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0890083-44
7 등록결정서
Decision to grant
2018.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0063534-40
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2018-5067031-19
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5230938-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.14 수리 (Accepted) 4-1-2019-5238135-60
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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(a) 산화 그래핀(graphene oxide) 분말을 제조하는 단계; (b) 상기 산화 그래핀 분말을 평판형 상압 플라즈마 반응기 내부에 위치시키는 단계; (c) 상기 평판형 상압 플라즈마(atmospheric pressure plasma) 반응기의 내부에 믹서(mixer)를 이용하여 수소(H2)가스의 함유량이 70%이며 질소(N2)가스의 함유량이 30%인 수소/질소(70sccm/30sccm) 혼합가스를 주입하는 단계;(d) 상기 플라즈마 반응기에 3
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제 1 항에 있어서, 상기 평판형 상압 플라즈마 반응기는 유전체 장벽 방전(dielectric barrier discharge) 형태를 이용하여 상기 플라즈마를 발생시키는 것을 특징으로 하는 수소/질소 혼합가스와 상압 플라즈마를 이용한 산화그래핀의 카르보닐기, 에폭시기 또는 카르복실기의 산소가 제거되어 환원되고 탄소가 질소로 도핑된 환원 그래핀의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 평판형 상압 플라즈마 반응기는 25-90℃의 온도범위이며 대기압 분위기하에서 상기 혼합가스를 90-110sccm 유량으로 반응기의 내부에 주입하여 플라즈마를 발생시키는 것을 특징으로 하는 수소/질소 혼합가스와 상압 플라즈마를 이용한 산화그래핀의 카르보닐기, 에폭시기 또는 카르복실기의 산소가 제거되어 환원되고 탄소가 질소로 도핑된 환원 그래핀의 제조방법
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