맞춤기술찾기

이전대상기술

MPSx 물질 기반의 게이트 절연물질을 이용한 전계효과 트랜지스터(Field effect transistor using gate insulator based on transition metal phosphorus sulfides materials)

  • 기술번호 : KST2017012051
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 층상구조를 갖는 전이 금속이 결합된 황화인(transition metal phosphorus sulfides, MPSx; M=전이금속, x≤10) 기반의 게이트 절연물질을 이용한 전계효과 트랜지스터에 관한 것으로, 기판 상에 마련된 채널층과; 서로 이격되게 형성되어 상기 채널층에 전압을 인가하기 위한 소스 전극 및 드레인 전극과; 상기 채널층에 전계를 형성하도록 마련된 게이트 전극과; 상기 채널층과 상기 게이트 전극 사이에 마련되는 게이트 절연층을 포함하는 전계효과 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 절연층은 층상구조를 갖는 전이금속이 결합된 황화인인 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/66 (2016.02.19) H01L 29/16 (2016.02.19) H01L 21/285 (2016.02.19) H01L 21/02 (2016.02.19)
CPC H01L 29/66477(2013.01) H01L 29/66477(2013.01) H01L 29/66477(2013.01) H01L 29/66477(2013.01) H01L 29/66477(2013.01) H01L 29/66477(2013.01)
출원번호/일자 1020160003002 (2016.01.11)
출원인 건국대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0084380 (2017.07.20) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.01.11)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박배호 서울특별시 강남구
2 이상익 부산광역시 금정구
3 이미정 경기도 이천시
4 박제근 서울특별시 동작구
5 이성민 서울특별시 송파구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)
2 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 서울특별시 광진구
2 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0025300-78
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0078296-03
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.08.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0035714-09
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0063729-12
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0267224-49
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0506482-43
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.08.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0805698-31
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0805700-46
10 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.11.30 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2017-1196713-44
11 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2017.12.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0174423-63
12 [출원에 대한 정보(특허)]정보제출서
[Information about Application (Patent)]Submission of Information
2017.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-1235463-84
13 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2017.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-1251181-89
14 안내문(정보제출서)
Notification (Written Submission of Information)
2017.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0183230-69
15 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2017.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0182688-87
16 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0899303-06
17 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2017.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-1309646-01
18 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-1309628-89
19 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-0103225-28
20 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2018.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2018-0114436-13
21 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0290690-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 마련된 채널층과; 서로 이격되게 형성되어 상기 채널층에 전압을 인가하기 위한 소스 전극 및 드레인 전극과; 상기 채널층에 전계를 형성하도록 마련된 게이트 전극과; 상기 채널층과 상기 게이트 전극 사이에 마련되는 게이트 절연층을 포함하는 전계효과 트랜지스터에 있어서,상기 게이트 절연층은 층상구조를 갖는 CrPS4 또는 NiPS3 인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 채널층은 2차원의 층상구조를 갖는 반도체 물질인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
4 4
제3항에 있어서, 상기 채널층은 3층 이하로 적층된 그래핀인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
5 5
제3항에 있어서, 상기 채널층은 MoS2인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 건국대학교 리더연구자지원사업(창의적연구) (2차)2+ 차원융합 소자 연구단