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이상 입력 전압에 대한 보호 회로(protection circuit against abnormal input voltage)

  • 기술번호 : KST2017012100
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이상 전압이 입력될 때 내부 회로를 보호하는 보호 회로에 관한 기술이 제안된다. 입력단자 양단에 연결된 전압분할회로에 의하여 과전압이 검출된다. 분할 저항들의 값을 조절하여, 원하는 정격 전압 이상의 전압이 입력될 때 과전압 차단부는 차단된다. 일 실시예에 따르면, 과전압이 인가되었을 때 차단하는 과전압 차단부와, 역전압이 인가되었을 때 차단하는 역전압 차단부가 하나의 회로로 구현된다. 부가적인 양상에 따르면, 역전압 차단부는 입력단자 중 부(-)단자와 전체 회로의 접지 사이에 연결되어 역전압 인가시 회로를 끊어준다.
Int. CL H02H 3/20 (2016.02.13) G01R 19/165 (2016.02.13)
CPC H02H 3/202(2013.01) H02H 3/202(2013.01)
출원번호/일자 1020160003864 (2016.01.12)
출원인 주식회사 오토산업, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0084755 (2017.07.21) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.01.12)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 센시리온오토모티브솔루션즈코리아 주식회사 대한민국 서울특별시 구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이강윤 대한민국 서울특별시 광진구
2 김시동 대한민국 인천광역시 남구
3 이동수 대한민국 충청남도 당진시 대
4 조성훈 대한민국 서울특별시 중랑구
5 고낙영 대한민국 경기도 고양시 일산서구
6 류호철 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 신지 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 ***호실(역삼동, 청원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
2 주식회사 아모센스 충청남도 천안시 서북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0034213-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.09.09 수리 (Accepted) 9-1-2016-0038495-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0381285-12
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-0738562-81
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.07.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0738561-35
8 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2017.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-1036782-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5167972-35
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0883133-11
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.01.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0063590-40
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-0063589-04
13 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0128169-35
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입력단자 양단에 연결되며, 입력단자 양단에 걸리는 전압을 분할하여 과전압을 검출하는 전압 검출부와;입력단과 출력단 사이에 연결되며, 상기 전압 검출부에 의해 스위칭되는 과전압 차단부; 및입력단자 중 부(-)단자와 전체 회로의 접지 사이에 연결되는 NMOS 트랜지스터를 포함하며, 전압 검출부의 출력을 NMOS 트랜지스터의 게이트에 인가되는 전압으로 하여 전압 검출부의 출력에 따라 스위칭되도록 하여 입력단자에 역전압 인가시 끊어지는 역전압 차단부;를 포함하되,전압 검출부는 입력단자 양단에 연결된 제1 전압 분할부와, 제1 전압 분할부에서 분할된 전압에 의해 스위칭되는 제1 NMOS 트랜지스터와, 상기 제1 NMOS 트랜지스터와 입력단자의 정(+)단자 사이에 연결되는 제2 전압 분할부와, 상기 제2 전압 분할부의 분할된 전압에 의해 스위칭되는 제2 PMOS 트랜지스터, 및 제2 PMOS 트랜지스터의 드레인에 연결된 제3 전압분할부를 포함하고,과전압 차단부는 제3 전압분할부의 제1 분할 전압에 의해 절체되는 제3 PMOS 트랜지스터와, 제3 전압분할부의 제2 분할 전압에 의해 절체되는 제4 PMOS 트랜지스터를 포함하고,역전압 차단부의 NMOS 트랜지스터의 게이트는 전압 검출부의 제1 NMOS 트랜지스터의 드레인 전압에 의해 스위칭되도록 연결되는 이상전압 보호회로
2 2
제 1 항에 있어서, 이상전압 보호회로의 스위치들이 LD MOS(laterally diffused metal oxide semiconductor)트랜지스터들로 구현되고,역전압 차단부는 전압 검출부의 출력에의해 제어되어 역전압 인가시 끊어지며, LDMOS 트랜지스터의 공통 서브스트레이트(substrate)와 입력단자 중 부(-)단자 간을 절체하는 LDMOS 트랜지스터를 포함하는 이상전압 보호회로
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삭제
4 4
삭제
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제 1 항에 있어서, 이상전압 보호회로의 스위치들이 LD MOS(laterally diffused metal oxide semiconductor) 트랜지스터들로 구현되고,역전압 차단부는 전압 검출부의 제1 NMOS 트랜지스터의 드레인 전압에 의해 제어되어 역전압 인가시 끊어지며, LDMOS 트랜지스터들의 공통 서브스트레이트(substrate)와 입력단자 중 부(-)단자 간을 절체하는 LDMOS 트랜지스터를 포함하는 이상전압 보호회로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.