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회로부 영역과 단자부 영역을 포함하는 베이스 기판;상기 베이스 기판의 상부에 형성되는 회로 패턴; 및 상기 회로 패턴의 상부에 형성되는 저융점 금속층을 포함하는 회로 기판
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제 1 항에 있어서,상기 저융점 금속층은, 상기 회로부 영역에 위치하는 제1저융점 금속층; 상기 단자부 영역에 위치하는 제2저융점 금속층; 및 상기 회로부 영역에 위치하고, 상기 단자부 영역에 인접하여 위치하는 제3저융점 금속층을 포함하는 회로 기판
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제 1 항에 있어서,상기 저융점 금속층은 100 ~ 250℃의 온도 범위에서 용융되는 금속으로 이루어지는 회로 기판
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제 1 항에 있어서,상기 제2저융점 금속층을 열처리함에 의하여, 상기 제2저융점 금속층은 솔더링부를 형성하고,상기 제3저융점 금속층을 열처리함에 의하여, 용융된 상기 제3저융점 금속층의 일부가 상기 제2저융점 금속층(240)으로 이동하여 상기 솔더링부를 형성하는 회로 기판
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제 4 항에 있어서,상기 제3저융점 금속층은 경사면을 포함하는 회로 기판
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회로부 영역과 단자부 영역을 포함하는 베이스 기판을 제공하는 단계;베이스 기판의 상부에 회로 패턴을 형성하는 단계;상기 회로부 영역에 위치하는 제1저융점 금속층, 상기 단자부 영역에 위치하는 제2저융점 금속층 및 상기 회로부 영역에 위치하고, 상기 단자부 영역에 인접하여 위치하는 제3저융점 금속층을 포함하는 저융점 금속층을 형성하는 단계; 및상기 제2저융점 금속층을 열처리하여 솔더링부를 형성하는 단계를 포함하는 회로 기판의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 제2저융점 금속층을 열처리함에 의하여, 상기 제2저융점 금속층은 용융되며, 상기 용융된 제2저융점 금속층은 다시 냉각되면서 표면장력에 의하여, 상기 솔더링부가 형성되는 회로 기판의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 제2저융점 금속층을 열처리함에 의하여, 상기 제2저융점 금속층 제공된 열은 상기 제3저융점 금속층에 전달되고,상기 제3저융점 금속층의 일부가 용융되어, 용융된 상기 제3저융점 금속층의 일부가 상기 제2저융점 금속층으로 이동하여 상기 솔더링부를 형성하는 회로 기판의 제조방법
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제1회로기판 및 상기 제1회로기판과 적층되는 제2회로기판을 포함하는 적층형 회로기판에 있어서,상기 제1회로기판은, 제1회로부 영역과 제1내부 연결단자부 영역을 포함하는 제1베이스 기판; 상기 제1베이스 기판의 상부에 형성되는 제1회로 패턴; 상기 제1회로 패턴의 상부에 위치하는 제1저융점 금속층을 포함하고, 상기 제1내부 연결단자부 영역은 제1쓰루홀 영역을 포함하며, 상기 제1쓰루홀 영역은 측면 제1저융점 금속층을 포함하고,상기 제2회로기판은 제2회로부 영역과 제2내부 연결단자부 영역을 포함하는 제2베이스 기판; 상기 제2베이스 기판의 상부에 형성되는 제2회로 패턴; 상기 제2회로 패턴의 상부에 위치하는 제2저융점 금속층을 포함하고, 상기 제2내부 연결단자부 영역은 제2쓰루홀 영역을 포함하며, 상기 제2쓰루홀 영역은 측면 제2저융점 금속층을 포함하는 적층형 회로기판
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제 9 항에 있어서,상기 측면 제1저융점 금속층과 상기 측면 제2저융점 금속층이 상호 연결되는 연결부를 포함하는 적층형 회로기판
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회로부 영역과 내부 연결단자부 영역을 포함하는 베이스 기판;상기 베이스 기판의 제1면에 형성되는 제1회로 패턴;상기 제1회로 패턴의 상부에 위치하는 제1저융점 금속층;상기 베이스 기판의 제2면에 형성되는 제2회로 패턴; 및상기 제2회로 패턴의 상부에 위치하는 제2저융점 금속층을 포함하고,상기 제1저융점 금속층은 상기 제1회로 패턴의 상면에 위치하는 상면 제1저융점 금속층 및 상기 제1회로패턴의 측면에 위치하는 측면 제1저융점 금속층을 포함하며,상기 제2저융점 금속층은 상기 제2회로 패턴의 상면에 위치하는 상면 제2저융점 금속층 및 상기 제2회로패턴의 측면에 위치하는 측면 제2저융점 금속층을 포함하고,상기 내부 연결단자부 영역은 쓰루홀 영역을 포함하며, 상기 쓰루홀 영역은 상기 측면 제1저융점 금속층 및 상기 측면 제2저융점 금속층을 포함하는 양면형 회로기판
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제 11 항에 있어서,상기 측면 제1저융점 금속층과 상기 측면 제2저융점 금속층이 상호 연결되는 연결부를 포함하는 양면형 회로기판
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