| 1 |
1
비활성기체가 내부로 주입되는 제1 주입구와 플라즈마가 외부로 인출되는 제1 인출구를 구비하는 제1 챔버;상기 제1 챔버에 주입된 비활성기체에 파워(power)를 전달하여 상기 비활성기체를 제1 플라즈마로 변환하는 파워인가부;상기 제1 인출구에 연결되고, 상기 제1 인출구와 오버랩되는 바이어스홀을 구비하며, 상기 제1 플라즈마의 전위보다 높은 전위를 유지하여 상기 바이어스홀 주변에 상기 제1 플라즈마와 성질이 다른 제2 플라즈마를 형성시키는 바이어스전극; 상기 제1 챔버와 상기 바이어스전극 사이에 위치하는 절연체;준안정 비활성가스가 내부로 주입되는 제2 주입구와 비활성가스 음이온이 외부로 인출되는 제2 인출구를 구비하는 제2 챔버; 그리고 상기 제2 챔버의 내부에 위치하며, 상기 제2 챔버의 내부로 주입된 상기 준안정 비활성가스와 반응하여 전자를 배출하는 금속판(metal plate)을 포함하는, 비활성가스 음이온 생성장치
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 금속판은, 깔때기의 형상을 가지는, 비활성가스 음이온 생성장치
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 바이어스전극과 상기 제2 주입구 사이에 위치하되, 상기 바이어스전극의 전위보다 높은 전위를 유지하는 전자인출전극을 포함하고,상기 제1 챔버 내부에 위치한 전자 중 일부는 상기 전자인출전극에 의해 가속되어 상기 준안정 비활성가스와 반응하여 비활성가스 음이온이 형성되는 비활성가스 음이온 생성장치
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 금속판에서 배출된 전자 중 적어도 일부는 상기 준안정 비활성가스와 반응하여 비활성가스 음이온이 형성되는 비활성가스 음이온 생성장치
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 제2 플라즈마에 접하는 바이어스전극의 면적은 Ah 내지 인 비활성가스 음이온 생성장치
|
| 6 |
6
비활성가스를 플라즈마 생성챔버에 주입하는 단계;상기 플라즈마 생성챔버에 주입된 비활성가스에 파워(power)를 전달하여, 플라즈마 생성챔버 내부에 제1 플라즈마를 형성시키는 단계;상기 플라즈마 생성챔버의 인출구에 인접한 바이어스전극에 전위를 인가하여, 상기 바이어스전극 주위에 상기 제1 플라즈마와 다른 제2 플라즈마를 형성시키는 단계; 및상기 제2 플라즈마에서 형성된 준안정 비활성가스(metastable inert gas)를 상기 인출구를 통해 인출하는 단계를 포함하고,상기 바이어스전극의 면적은 Ah 내지 인 비활성가스 음이온 생성방법
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서,상기 제2 플라즈마를 형성시키는 단계는,상기 제1 플라즈마와 상기 제2 플라즈마 사이의 경계에 더블레이어(double layer)가 형성되는 단계를 포함하는 비활성가스 음이온 생성방법
|
| 8 |
8
제 6 항에 있어서,상기 준안정 비활성가스를 음이온 생성챔버에 투입하는 단계; 및 상기 음이온 생성챔버에 투입된 상기 준안정 비활성가스에 전자를 가하여 상기 준안정 비활성가스를 비활성가스 음이온으로 변환하는 단계를 포함하는 비활성가스 음이온 생성방법
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서,상기 준안정 비활성가스를 비활성가스 음이온으로 변환하는 단계는,상기 플라즈마 생성챔버에서 전자를 추출하는 단계; 및상기 추출된 전자를 상기 준안정 비활성가스에 가하는 단계를 포함하는 비활성가스 음이온 생성방법
|
| 10 |
10
제 8 항에 있어서,상기 준안정 비활성가스를 비활성가스 음이온으로 변환하는 단계는,상기 준안정 비활성가스가 상기 음이온 생성챔버 내부에 배치된 금속판(metal plate)에 충돌하는 단계; 및 상기 금속판에서 방출된 전자가 상기 준안정 비활성가스와 충돌하는 단계를 포함하는 비활성가스 음이온 생성방법
|
