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투명 기판; 상기 투명 기판의 일 면에 형성된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성된 광전 변환층; 상기 광전 변환층 상에 형성된 제2 전극; 및 상기 투명 기판의 타 면에 형성되고, 광 입사면에 이중 프린팅 방식에 의해 형성된 복수의 나노 구조물을 가지며, 란탄계열 복합체를 포함하여 자외선 영역의 광 에너지를 다운시키는 에너지 변환층을 포함하는 광전 소자
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투명 기판의 일 면에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 투명 기판의 타 면에, 란탄계열 복합체를 포함하는 고분자 기반의 세라믹 매트릭스를 이중 프린팅하여 복수의 나노 구조물을 가지며, 자외선 영역의 광 에너지를 다운시키는 에너지 변환층을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 광전 변환층을 형성하는 단계; 및 상기 광전 변환층 상에 제2 전극을 형성하는 단계 를 포함하는 광전 소자의 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 복수의 나노 구조물은, 상기 자외선 영역의 광을 흡수하여 녹색광을 발광하는 테르븀(Tb)을 포함하는 복수의 제1 나노 구조물 및 상기 자외선 영역의 광을 흡수하여 적색광을 발광하는 유로퓸(Eu)을 포함하는 복수의 제2 나노 구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 소자
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제18항에 있어서, 상기 복수의 제1 및 제2 나노 구조물은, 일 평면 상에 혼합되어 모아레(Moire) 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 광전 소자
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제18항에 있어서, 상기 복수의 제1 나노 구조물은 임프린팅 몰드를 이용한 1차 프린팅에 의해 형성되며, 상기 복수의 제2 나노 구조물은 회전된 상기 임프린팅 몰드를 이용한 2차 프린팅에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 광전 소자
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제20항에 있어서, 상기 2차 프린팅시, 상기 임프린팅 몰드는 상기 1차 프린팅시에 적용된 임프린팅 몰드의 위치를 기준으로 5도 내지 30도 범위로 회전되는 것을 특징으로 하는 광전 소자
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제18항에 있어서, 상기 복수의 나노 구조물은, 나노 원기둥 패턴 또는 나노 원뿔 패턴인 것을 특징으로 하는 광전 소자
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제18항에 있어서, 상기 에너지 변환층은, 테르븀(Tb) 및 유로퓸(Eu)이 혼합된 퍼하이드로폴리실라잔(PHPS)인 것을 특징으로 하는 광전 소자
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제23항에 있어서, 상기 에너지 변환층은, 상기 에너지 변환층 내에서 상기 테르븀(Tb)을 r(0003c#r003c#1)만큼 포함하고, 상기 유로퓸(Eu)을 1-r만큼 포함하며, 상기 r 값을 변경하여 상기 에너지 변환층에서 발광되는 색을 조절하는 것을 특징으로 하는 광전 소자
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제18항에 있어서, 상기 복수의 나노 구조물은, 그 표면이 소수성 처리(hydrophobic treatment)되어 셀프 크리닝 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 광전 소자
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제17항에 있어서, 상기 에너지 변환층을 형성하는 단계는, 자외선 영역의 광 에너지를 다운시키는 란탄계열 복합체를 포함하는 고분자 기반의 세라믹 매트릭스를 투명 기판 상에 형성하는 단계; 상기 고분자 기반의 세라믹 매트릭스를 임프린팅 몰드로 1차 프린팅하여 복수의 제1 나노 구조물을 형성하는 단계; 및 상기 임프린팅 몰드를 회전시켜 상기 복수의 제1 나노 구조물이 형성된 상기 고분자 기반의 세라틱 매트릭스를 2차 프린팅하여 복수의 제2 나노 구조물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 소자의 제조방법
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제26항에 있어서, 상기 복수의 제1 나노 구조물은 상기 자외선 영역의 광을 흡수하여 녹색광을 발광하는 테르븀(Tb)을 포함하고, 상기 복수의 제2 나노 구조물은 상기 자외선 영역의 광을 흡수하여 적색광을 발광하는 유로퓸(Eu)을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 소자의 제조방법
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제26항에 있어서, 상기 복수의 제1 및 제2 나노 구조물은, 일 평면 상에 혼합되어 모아레(Moire) 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 광전 소자의 제조방법
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제26항에 있어서, 상기 복수의 제2 나노 구조물을 형성하는 단계는, 상기 1차 프린팅시에 적용된 임프린팅 몰드의 위치를 기준으로 5도 내지 30도 범위로 회전시켜 상기 2차 프린팅하는 것을 특징으로 하는 광전 소자의 제조방법
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제26항에 있어서, 상기 고분자 기반의 세라믹 매트릭스를 제조하는 단계는, 퍼하이드로폴리실라잔(PHPS)에 테르븀(Tb)을 r(0003c#r003c#1)만큼 포함하고 유로퓸(Eu)을 1-r만큼 포함하되, 상기 에너지 변환층에서 발광될 색을 조절하기 위하여 상기 r 값을 변경하는 것을 특징으로 하는 광전 소자의 제조방법
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제26항에 있어서, 상기 복수의 제1 및 제2 나노 구조물 표면을 소수성 처리(hydrophobic treatment)하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 소자의 제조방법
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