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X-선 검출용 유기소자 및 그 제조방법(Organic device for X-ray detect and method of manufacturing the same)

  • 기술번호 : KST2017012250
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 X-선 검출용 유기소자의 신호 취득 효율을 높일 수 있는 X-선 검출용 유기소자 및 그 제조방법이 개시된다. 종래의 P3HT:PCBM를 기반으로 한 활성층을 포함하는 X-선 검출용 유기소자의 경우 가시광 영역의 흡광도가 저조하여 조사된 X-선이 섬광체에 의해 빛으로 변환되어 검출소자에 입사될 경우 그 흡수율이 낮은 단점을 가지고 있으나, 이를 개선하기 위해 활성층의 물질로 P3HT:ICBA를 사용하여 종래의 P3HT:PCBM 대비 가시광 영역의 흡광도를 개선함으로써 신호 취득 효율을 향상시킬 수 있는 X-선 검출용 유기소자 및 그 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 27/146 (2006.01.01) G01T 1/20 (2006.01.01)
CPC H01L 27/14663(2013.01) H01L 27/14663(2013.01) H01L 27/14663(2013.01) H01L 27/14663(2013.01) H01L 27/14663(2013.01)
출원번호/일자 1020160042515 (2016.04.06)
출원인 단국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1972636-0000 (2019.04.19)
공개번호/일자 10-2017-0085927 (2017.07.25) 문서열기
공고번호/일자 (20190826) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020160004603   |   2016.01.14
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.06)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강정원 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김수현 대한민국 인천광역시 부평구
3 선혜지 대한민국 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2016-0334640-45
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.05.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.07.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0105129-70
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0493008-20
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.09.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0897146-30
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.09.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-0897145-95
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0069600-06
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-0216034-21
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.03.02 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2018-0216035-77
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.04.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0238126-85
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0554892-17
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.06.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0554893-52
13 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2018.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0128546-13
14 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2018.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0781353-24
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.01.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0053716-62
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2019-0053715-16
17 등록결정서
Decision to Grant Registration
2019.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0281586-06
18 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2019.08.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5023486-46
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.10.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5239146-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상부에 형성된 제1 전극층;상기 제1 전극층 상부에 형성되고, 정공의 수송을 향상시키는 정공수송층;상기 정공수송층 상부에 형성되고, 상기 기판 하부에서 발생한 가시광선을 흡수하여 전자-정공 쌍을 생성하는 P3HT:ICBA의 혼합물로 형성된 활성층;상기 활성층 상부에 형성된 제2 전극층; 및상기 기판 하부에 형성되고, X-선을 가시광선으로 변환하며, 1mm의 두께를 갖는 섬광체층(scintillator);을 포함하고,상기 P3HT:ICBA에서 P3HT와 ICBA의 중량비율은,540nm 파장에서 방사피크(Emission Peak)를 갖는 CsI:Tl의 스팩트럼 발광(Emission) 곡선과 상기 P3HT:ICBA의 혼합물로 형성된 활성층의 흡광도(Absorbance) 곡선의 정합도를 고려하여 3:2를 가지며,관전압 80kVp의 인가 조건에서 상기 P3HT:ICBA의 혼합물로 형성된 활성층의 두께는 116nm 내지 145nm의 두께를 갖는 것인 X-선 검출용 유기소자
2 2
제1항에 있어서,상기 P3HT:ICBA는 상기 ICBA에 대하여 P3HT 1
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 활성층의 P3HT:ICBA의 중량은 20 내지 25중량%의 중량을 갖는 것인 X-선 검출용 유기소자
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
기판 상부에 제1 전극층을 형성하는 단계;상기 제1 전극층 상부에 정공수송층을 형성하는 단계;상기 정공수송층 상부에 P3HT:ICBA의 혼합물로 형성된 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상부에 제2 전극층을 형성하는 단계; 및상기 기판 하부에 CsI:Tl로 형성되고, X-선을 가시광선으로 변환하며, 1mm의 두께를 갖는 섬광체층(scintillator)을 형성하는 단계를 포함하고,상기 P3HT:ICBA에서 P3HT와 ICBA의 중량비율은,540nm 파장에서 방사피크(Emission Peak)를 갖는 상기 CsI:Tl의 스팩트럼 발광(Emission) 곡선과 상기 P3HT:ICBA의 혼합물로 형성된 활성층의 흡광도(Absorbance) 곡선의 정합도를 고려하여 3:2를 가지며,관전압 80kVp의 인가 조건에서 상기 P3HT:ICBA의 혼합물로 형성된 활성층의 두께는 116nm 내지 145nm의 두께를 갖는 것인 X-선 검출용 유기소자의 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 기판 상부에 제1 전극층을 형성하는 단계에서,상기 기판은 ITO 투명 전극이 코팅된 무알칼리 글라스(Non-Alkali Glass) 기판인 것인 X-선 검출용 유기소자의 제조방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 활성층을 형성하는 단계에서,상기 P3HT:ICBA는 상기 ICBA에 대하여 P3HT 1
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
제7항에 있어서,상기 제2 전극층을 형성하는 단계 이후에 봉지(Encapsulation)공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 것인 X-선 검출용 유기소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 단국대학교 지역연고산업육성사업 광응용기기 핵심전력부품 및 제품화 지원 사업
2 미래창조과학부 단국대학교 중견연구자지원사업/도약연구 유기 반도체를 이용한 휨성 X-선 영상 검출기에 대한 연구(2/3)