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기판에 형성된 하부전극 상부에 적층되어 형성되는 제1 고분자 발광부;상기 제1 고분자 발광부 상부에 적층되어 형성되는 고전도성 고분자층;상기 고전도성 고분자층 상부에 적층되어 형성되는 제2 고분자 발광부; 및상기 제2 고분자 발광부 상부에 형성되는 상부전극을 포함하되;상기 제1 고분자 발광부는, 상기 하부전극 상부에 적층되어 형성되는 전자 전달층; 상기 전자 전달층 상부에 적층되어 형성되는 제1 고분자 발광층; 및 상기 제1 고분자 발광층 상부에 적층되어 형성되는 제1 정공 전달층을 포함하고;상기 전자 전달층은, ZnO(Zinc Oxide) 및 PEI(polyethyleneimine) 중 적어도 하나를 재질로 하고, 상기 제1 정공 전달층은, 이소프로필 알콜(isopropyl alcohol)과 PEDOT:PSS를 1:1로 혼합 개질된 PEDOT:PSS층이고, 상기 고전도성 고분자층은, PEDOT:PSS 층이고;상기 제2 고분자 발광부는, 상기 고전도성 고분자층 상부에 적층되어 형성되는 제2 정공 전달층; 및 상기 제2 정공 전달층 상부에 적층되어 형성되는 제2 고분자 발광층을 포함하고;상기 제2 정공 전달층은, 이소프로필 알콜(isopropyl alcohol)과 PEDOT:PSS를 1:1로 혼합 개질된 PEDOT:PSS층이며;상기 고전도성 고분자층은 외부회로와 전기적으로 연결되지 않는; 것을 특징으로 하는 가시광 파장 가변형 적층 고분자 발광소자
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청구항 1에 있어서,상기 제1 고분자 발광부는 상기 하부전극에서 전자를 제1 발광층으로 전달하는 역구조(inverted)이고,상기 제2 고분자 발광부는 상기 고전도성 고분자층을 상기 하부전극으로 하여 정공을 제2 발광층으로 전달하는 정구조(regular)인 것을 특징으로 하는 가시광 파장 가변형 적층 고분자 발광소자
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청구항 1에 있어서,상기 제1 고분자 발광부는 상기 하부전극에서 정공을 제1 발광층으로 전달하는 정구조(regular)이고,상기 제2 고분자 발광부(500)는 상기 고전도성 고분자층을 상기 하부전극으로 하여 전자를 제2 발광층으로 전달하는 역구조(inverted)인 것을 특징으로 하는 가시광 파장 가변형 적층 고분자 발광소자
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기판에 형성된 하부전극 상부에 적층되어 형성되는 제1 고분자 발광부와, 상기 제1 고분자 발광부 상부에 적층되어 형성되는 제1 고전도성 고분자층, 상기 제1 고전도성 고분자층 상부에 적층되어 형성되는 제2 고분자 발광부와, 상기 제2 고분자 발광부 상부에 형성되는 상부전극을 포함하여 구비되는 제1 발광모듈; 및상기 상부전극 상부에 적층되어 형성되는 제3 고분자 발광부와, 상기 제3 고분자 발광부 상부에 적층되어 형성되는 제2 고전도성 고분자층과, 상기 제2 고전도성 고분자층 상부에 적층되어 형성되는 것으로 상기 제3 고분자 발광부와 발광 파장과 서로 다른 발광 파장을 갖는 제4 고분자 발광부와, 상기 제4 고분자 발광부 상부에 적층되어 형성되는 제2 상부전극을 포함하여 구비되는 제2 발광모듈을 포함하되;상기 제1 고분자 발광부 및 상기 제3 고분자 발광부는 상기 하부전극에서 전자를 발광층으로 전달하는 역구조(inverted)이고 상기 제2 고분자 발광부 및 상기 제4 고분자 발광부는 상기 제1 또는 상기 제2 고전도성 고분자층을 하부전극으로 하여 정공을 발광층으로 전달하는 정구조(regular)이거나, 상기 제1 고분자 발광부(300) 및 상기 제3 고분자 발광부는 상기 하부전극에서 정공을 발광층으로 전달하는 정구조(regular)이고 상기 제2 고분자 발광부 및 상기 제4 고분자 발광부는 상기 제1 또는 상기 제2 고전도성 고분자층을 하부전극으로 하여 전자를 발광층으로 전달하는 역구조(inverted)이고;상기 제1 내지 상기 제4 고분자 발광부 각각은, 정공을 발광층으로 전달하는 정공 전달층, 발광층 및 전자를 발광층으로 전달하는 전자 전달층을 포함하고;상기 전자 전달층은, ZnO(Zinc Oxide) 및 PEI(polyethyleneimine) 중 적어도 하나를 재질로 하고, 상기 정공 전달층은, 이소프로필 알콜(isopropyl alcohol)과 PEDOT:PSS를 1:1로 혼합된 개질된 PEDOT:PSS층이고;상기 제1 및 상기 제2 고전도성 고분자층은 PEDOT:PSS 층으로 형성하며;상기 제1 및 상기 제2 고전도성 고분자층은 외부회로와 전기적으로 연결되지 않는 것을 특징으로 하는 가시광 파장 가변형 적층 고분자 발광소자
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청구항 10에 있어서,상기 제1 발광모듈 및 상기 제2 발광모듈은 서로 다른 발광 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 가시광 파장 가변형 적층 고분자 발광소자
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청구항 10에 있어서,상기 제1 발광모듈 및 상기 제2 발광모듈 중 적어도 어느 하나에 백색광이 발광되는 것을 특징으로 하는 가시광 파장 가변형 적층 고분자 발광소자
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청구항 10에 있어서,상기 상부전극 및 상기 제2 상부전극에 직류전압 또는 교류전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 가시광 파장 가변형 적층 고분자 발광소자
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(a) 기판에 형성된 하부전극 상부에 용액공정으로 제1 고분자 발광부를 적층하는 단계;(b) 상기 제1 고분자 발광부 상부에 용액공정으로 고전도성 고분자층을 적층하는 단계;(c) 상기 고전도성 고분자층 상부에 용액공정으로 상기 제1 고분자 발광부와 서로 다른 발광 파장을 갖는 제2 고분자 발광부를 적층하는 단계; 및(d) 상기 제2 고분자 발광부 상부에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하되;상기 용액공정은, 스핀코팅으로 박막 형성하는 공정이고;상기 제1 고분자 발광부는 상기 하부전극에서 전자를 발광층으로 전달하는 역구조로 형성되고, 상기 제2 고분자 발광부는 상기 고전도성 고분자층을 상기 하부전극으로 하여 정공을 발광층으로 전달하는 정구조로 형성되고;상기 제1 고분자 발광부는, 상기 하부전극 상부에 적층되어 형성되는 전자 전달층; 상기 전자 전달층 상부에 적층되어 형성되는 제1 고분자 발광층; 및 상기 제1 고분자 발광층 상부에 적층되어 형성되는 제1 정공 전달층을 포함하여 형성되고;상기 전자 전달층은, ZnO(Zinc Oxide) 및 PEI(polyethyleneimine) 중 적어도 하나를 재질로 형성되고, 상기 제1 정공 전달층은, 이소프로필 알콜(isopropyl alcohol)과 PEDOT:PSS를 1:1로 혼합 개질된 PEDOT:PSS층으로 형성되고, 상기 고전도성 고분자층은, PEDOT:PSS 층으로 형성되고;상기 제2 고분자 발광부는, 상기 고전도성 고분자층 상부에 적층되어 형성되는 제2 정공 전달층; 및 상기 제2 정공 전달층 상부에 적층되어 형성되는 제2 고분자 발광층을 포함하여 형성되고;상기 제2 정공 전달층은, 이소프로필 알콜(isopropyl alcohol)과 PEDOT:PSS를 1:1로 혼합 개질된 PEDOT:PSS층으로 형성되며;상기 고전도성 고분자층은 외부회로와 전기적으로 연결되지 않도록 형성되는; 것을 특징으로 하는 가시광 파장 가변형 적층 고분자 발광소자 제조방법
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(a) 기판에 하부전극 상부에 제1 고분자 발광부, 제1 고전도성 고분자층, 제2 고분자 발광부 및 상부전극이 용액공정으로 적층되어 구비되는 제1 발광 모듈을 형성하는 단계; 및(b) 상기 상부전극 상부에 제3 고분자 발광부, 제2 고전도성 고분자층, 제4 고분자 발광부 및 제2 상부전극이 용액공정으로 적층되어 구비되는 제2 발광 모듈을 형성하는 단계를 포함하되;상기 용액공정은, 스핀코팅으로 박막 형성하는 공정이고;상기 제1 고분자 발광부 및 상기 제3 고분자 발광부는 상기 하부전극에서 전자를 발광층으로 전달하는 역구조이고 상기 제2 고분자 발광부 및 상기 제4 고분자 발광부는 상기 제1 또는 상기 제2 고전도성 고분자층을 상기 하부전극으로 하여 정공을 발광층으로 전달하는 정구조이거나, 상기 제1 고분자 발광부 및 상기 제3 고분자 발광부는 상기 하부전극에서 정공을 발광층으로 전달하는 정구조이고 상기 제2 고분자 발광부 및 상기 제4 고분자 발광부는 상기 제1 또는 상기 제2 고전도성 고분자층을 상기 하부전극으로 하여 전자를 발광층으로 전달하는 역구조로 형성되고;상기 제1 내지 상기 제4 고분자 발광부 각각은, 정공을 발광층으로 전달하는 정공 전달층, 발광층 및 전자를 발광층으로 전달하는 전자 전달층을 포함하여 형성되고;상기 전자 전달층은, ZnO(Zinc Oxide) 및 PEI(polyethyleneimine) 중 적어도 하나를 재질로 형성되고, 상기 정공 전달층은, 이소프로필 알콜(isopropyl alcohol)과 PEDOT:PSS를 1:1로 혼합된 개질된 PEDOT:PSS층으로 형성되고;상기 제1 및 상기 제2 고전도성 고분자층은 PEDOT:PSS 층으로 형성하며;상기 제1 및 상기 제2 고전도성 고분자층은 외부회로와 전기적으로 연결되지 않도록 형성되는 것을 특징으로 하는 가시광 파장 가변형 적층 고분자 발광소자 제조방법
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