맞춤기술찾기

이전대상기술

가시광 파장 가변형 적층 고분자 발광소자 및 그 제조방법(BROAD WAVELENGTH TUNABLE TANDEM POLYMER LIGHT-EMITTING DEVICE AND THEREOF MANUFACTURING METHOD)

  • 기술번호 : KST2017012455
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가시광 파장 가변형 적층 고분자 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 발광소자의 저 직접도 및 고비용 공정의 문제를 극복할 수 있는 새로운 구동방식 및 저비용 공정의 고효율 발광소자 및 그 제조방법을 제공하고, 직류전압 또는 교류전압을 인가하는 경우 적층 된 유닛에서 선택적 발광을 구현하고, 서로 다른 색의 발광조합이나 연속적인 발광을 통해 백색광을 구현할 수 있는 가시광 파장 가변형 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 51/52 (2016.03.03) H01L 51/50 (2016.03.03) H01L 51/56 (2016.03.03) H01L 51/00 (2016.03.03)
CPC H01L 51/5278(2013.01) H01L 51/5278(2013.01) H01L 51/5278(2013.01) H01L 51/5278(2013.01) H01L 51/5278(2013.01) H01L 51/5278(2013.01)
출원번호/일자 1020160006352 (2016.01.19)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0087095 (2017.07.28) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.01.19)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박철민 대한민국 서울시 마포구
2 조성환 대한민국 서울시 용산구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김인철 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, 매강빌딩*층 에이치앤에이치 H&H 국제특허법률사무소 (서초동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0058604-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2016-0030441-78
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0857770-20
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0123461-55
6 보정요구서
Request for Amendment
2018.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0024403-66
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.03.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0225420-53
8 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2018.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2018-0150828-30
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2018-0225419-17
10 등록결정서
Decision to grant
2018.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0199082-15
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 형성된 하부전극 상부에 적층되어 형성되는 제1 고분자 발광부;상기 제1 고분자 발광부 상부에 적층되어 형성되는 고전도성 고분자층;상기 고전도성 고분자층 상부에 적층되어 형성되는 제2 고분자 발광부; 및상기 제2 고분자 발광부 상부에 형성되는 상부전극을 포함하되;상기 제1 고분자 발광부는, 상기 하부전극 상부에 적층되어 형성되는 전자 전달층; 상기 전자 전달층 상부에 적층되어 형성되는 제1 고분자 발광층; 및 상기 제1 고분자 발광층 상부에 적층되어 형성되는 제1 정공 전달층을 포함하고;상기 전자 전달층은, ZnO(Zinc Oxide) 및 PEI(polyethyleneimine) 중 적어도 하나를 재질로 하고, 상기 제1 정공 전달층은, 이소프로필 알콜(isopropyl alcohol)과 PEDOT:PSS를 1:1로 혼합 개질된 PEDOT:PSS층이고, 상기 고전도성 고분자층은, PEDOT:PSS 층이고;상기 제2 고분자 발광부는, 상기 고전도성 고분자층 상부에 적층되어 형성되는 제2 정공 전달층; 및 상기 제2 정공 전달층 상부에 적층되어 형성되는 제2 고분자 발광층을 포함하고;상기 제2 정공 전달층은, 이소프로필 알콜(isopropyl alcohol)과 PEDOT:PSS를 1:1로 혼합 개질된 PEDOT:PSS층이며;상기 고전도성 고분자층은 외부회로와 전기적으로 연결되지 않는; 것을 특징으로 하는 가시광 파장 가변형 적층 고분자 발광소자
2 2
청구항 1에 있어서,상기 제1 고분자 발광부는 상기 하부전극에서 전자를 제1 발광층으로 전달하는 역구조(inverted)이고,상기 제2 고분자 발광부는 상기 고전도성 고분자층을 상기 하부전극으로 하여 정공을 제2 발광층으로 전달하는 정구조(regular)인 것을 특징으로 하는 가시광 파장 가변형 적층 고분자 발광소자
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
청구항 1에 있어서,상기 제1 고분자 발광부는 상기 하부전극에서 정공을 제1 발광층으로 전달하는 정구조(regular)이고,상기 제2 고분자 발광부(500)는 상기 고전도성 고분자층을 상기 하부전극으로 하여 전자를 제2 발광층으로 전달하는 역구조(inverted)인 것을 특징으로 하는 가시광 파장 가변형 적층 고분자 발광소자
10 10
기판에 형성된 하부전극 상부에 적층되어 형성되는 제1 고분자 발광부와, 상기 제1 고분자 발광부 상부에 적층되어 형성되는 제1 고전도성 고분자층, 상기 제1 고전도성 고분자층 상부에 적층되어 형성되는 제2 고분자 발광부와, 상기 제2 고분자 발광부 상부에 형성되는 상부전극을 포함하여 구비되는 제1 발광모듈; 및상기 상부전극 상부에 적층되어 형성되는 제3 고분자 발광부와, 상기 제3 고분자 발광부 상부에 적층되어 형성되는 제2 고전도성 고분자층과, 상기 제2 고전도성 고분자층 상부에 적층되어 형성되는 것으로 상기 제3 고분자 발광부와 발광 파장과 서로 다른 발광 파장을 갖는 제4 고분자 발광부와, 상기 제4 고분자 발광부 상부에 적층되어 형성되는 제2 상부전극을 포함하여 구비되는 제2 발광모듈을 포함하되;상기 제1 고분자 발광부 및 상기 제3 고분자 발광부는 상기 하부전극에서 전자를 발광층으로 전달하는 역구조(inverted)이고 상기 제2 고분자 발광부 및 상기 제4 고분자 발광부는 상기 제1 또는 상기 제2 고전도성 고분자층을 하부전극으로 하여 정공을 발광층으로 전달하는 정구조(regular)이거나, 상기 제1 고분자 발광부(300) 및 상기 제3 고분자 발광부는 상기 하부전극에서 정공을 발광층으로 전달하는 정구조(regular)이고 상기 제2 고분자 발광부 및 상기 제4 고분자 발광부는 상기 제1 또는 상기 제2 고전도성 고분자층을 하부전극으로 하여 전자를 발광층으로 전달하는 역구조(inverted)이고;상기 제1 내지 상기 제4 고분자 발광부 각각은, 정공을 발광층으로 전달하는 정공 전달층, 발광층 및 전자를 발광층으로 전달하는 전자 전달층을 포함하고;상기 전자 전달층은, ZnO(Zinc Oxide) 및 PEI(polyethyleneimine) 중 적어도 하나를 재질로 하고, 상기 정공 전달층은, 이소프로필 알콜(isopropyl alcohol)과 PEDOT:PSS를 1:1로 혼합된 개질된 PEDOT:PSS층이고;상기 제1 및 상기 제2 고전도성 고분자층은 PEDOT:PSS 층으로 형성하며;상기 제1 및 상기 제2 고전도성 고분자층은 외부회로와 전기적으로 연결되지 않는 것을 특징으로 하는 가시광 파장 가변형 적층 고분자 발광소자
11 11
청구항 10에 있어서,상기 제1 발광모듈 및 상기 제2 발광모듈은 서로 다른 발광 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 가시광 파장 가변형 적층 고분자 발광소자
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
삭제
15 15
삭제
16 16
삭제
17 17
삭제
18 18
청구항 10에 있어서,상기 제1 발광모듈 및 상기 제2 발광모듈 중 적어도 어느 하나에 백색광이 발광되는 것을 특징으로 하는 가시광 파장 가변형 적층 고분자 발광소자
19 19
청구항 10에 있어서,상기 상부전극 및 상기 제2 상부전극에 직류전압 또는 교류전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 가시광 파장 가변형 적층 고분자 발광소자
20 20
삭제
21 21
삭제
22 22
(a) 기판에 형성된 하부전극 상부에 용액공정으로 제1 고분자 발광부를 적층하는 단계;(b) 상기 제1 고분자 발광부 상부에 용액공정으로 고전도성 고분자층을 적층하는 단계;(c) 상기 고전도성 고분자층 상부에 용액공정으로 상기 제1 고분자 발광부와 서로 다른 발광 파장을 갖는 제2 고분자 발광부를 적층하는 단계; 및(d) 상기 제2 고분자 발광부 상부에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하되;상기 용액공정은, 스핀코팅으로 박막 형성하는 공정이고;상기 제1 고분자 발광부는 상기 하부전극에서 전자를 발광층으로 전달하는 역구조로 형성되고, 상기 제2 고분자 발광부는 상기 고전도성 고분자층을 상기 하부전극으로 하여 정공을 발광층으로 전달하는 정구조로 형성되고;상기 제1 고분자 발광부는, 상기 하부전극 상부에 적층되어 형성되는 전자 전달층; 상기 전자 전달층 상부에 적층되어 형성되는 제1 고분자 발광층; 및 상기 제1 고분자 발광층 상부에 적층되어 형성되는 제1 정공 전달층을 포함하여 형성되고;상기 전자 전달층은, ZnO(Zinc Oxide) 및 PEI(polyethyleneimine) 중 적어도 하나를 재질로 형성되고, 상기 제1 정공 전달층은, 이소프로필 알콜(isopropyl alcohol)과 PEDOT:PSS를 1:1로 혼합 개질된 PEDOT:PSS층으로 형성되고, 상기 고전도성 고분자층은, PEDOT:PSS 층으로 형성되고;상기 제2 고분자 발광부는, 상기 고전도성 고분자층 상부에 적층되어 형성되는 제2 정공 전달층; 및 상기 제2 정공 전달층 상부에 적층되어 형성되는 제2 고분자 발광층을 포함하여 형성되고;상기 제2 정공 전달층은, 이소프로필 알콜(isopropyl alcohol)과 PEDOT:PSS를 1:1로 혼합 개질된 PEDOT:PSS층으로 형성되며;상기 고전도성 고분자층은 외부회로와 전기적으로 연결되지 않도록 형성되는; 것을 특징으로 하는 가시광 파장 가변형 적층 고분자 발광소자 제조방법
23 23
(a) 기판에 하부전극 상부에 제1 고분자 발광부, 제1 고전도성 고분자층, 제2 고분자 발광부 및 상부전극이 용액공정으로 적층되어 구비되는 제1 발광 모듈을 형성하는 단계; 및(b) 상기 상부전극 상부에 제3 고분자 발광부, 제2 고전도성 고분자층, 제4 고분자 발광부 및 제2 상부전극이 용액공정으로 적층되어 구비되는 제2 발광 모듈을 형성하는 단계를 포함하되;상기 용액공정은, 스핀코팅으로 박막 형성하는 공정이고;상기 제1 고분자 발광부 및 상기 제3 고분자 발광부는 상기 하부전극에서 전자를 발광층으로 전달하는 역구조이고 상기 제2 고분자 발광부 및 상기 제4 고분자 발광부는 상기 제1 또는 상기 제2 고전도성 고분자층을 상기 하부전극으로 하여 정공을 발광층으로 전달하는 정구조이거나, 상기 제1 고분자 발광부 및 상기 제3 고분자 발광부는 상기 하부전극에서 정공을 발광층으로 전달하는 정구조이고 상기 제2 고분자 발광부 및 상기 제4 고분자 발광부는 상기 제1 또는 상기 제2 고전도성 고분자층을 상기 하부전극으로 하여 전자를 발광층으로 전달하는 역구조로 형성되고;상기 제1 내지 상기 제4 고분자 발광부 각각은, 정공을 발광층으로 전달하는 정공 전달층, 발광층 및 전자를 발광층으로 전달하는 전자 전달층을 포함하여 형성되고;상기 전자 전달층은, ZnO(Zinc Oxide) 및 PEI(polyethyleneimine) 중 적어도 하나를 재질로 형성되고, 상기 정공 전달층은, 이소프로필 알콜(isopropyl alcohol)과 PEDOT:PSS를 1:1로 혼합된 개질된 PEDOT:PSS층으로 형성되고;상기 제1 및 상기 제2 고전도성 고분자층은 PEDOT:PSS 층으로 형성하며;상기 제1 및 상기 제2 고전도성 고분자층은 외부회로와 전기적으로 연결되지 않도록 형성되는 것을 특징으로 하는 가시광 파장 가변형 적층 고분자 발광소자 제조방법
24 24
삭제
25 25
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 연세대학교 중견연구자지원사업(도약연구지원사업) 스마트 인체 정보 감지 유연 교류 발광 기술(2/3)