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코어; 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘; 을 포함하는 코어-쉘 나노구조체이고,상기 코어는 제1 화합물 반도체의 나노구조체를 포함하며, 상기 쉘은 상기 코어의 측면에 형성된 양자구조층을 포함하고,상시 코어-쉘 나노구조체의 단면에서 쉘 영역은, 둥근 모서리를 갖는 다각형인 것인, 엑시톤 폴라리톤 소자용 구조체
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제1항에 있어서,상기 양자구조층은 단일 양자구조 또는 다중 양자구조를 포함하고,상기 양자구조층은 1 nm 내지 50 nm의 두께를 포함하며,상기 양자구조는 III-V계 화합물 반도체를 포함하며,상기 양자구조는 양자우물, 양자점 및 양자선으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 엑시톤 폴라리톤 소자용 구조체
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제1항에 있어서,상시 코어-쉘 나노구조체의 단면에서 상기 코어 영역은, 다각형 또는 둥근모서리를 갖는 다각형이고,상기 제1 화합물 반도체는 n-형 화합물 반도체를 포함하는 것인, 엑시톤 폴라리톤 소자용 구조체
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제1항에 있어서,상기 코어는 육방정계 우르자이트(wurtzite) 구조로 성장된 것인, 엑시톤 폴라리톤 소자용 구조체
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제2항에 있어서,상기 다중 양자구조는 AlN/AlGaN, AlN/GaN, AlN/InGaN, AlN/InN, AlN/AlGaInN, AlGaN/GaN, AlGaN/InGaN, AlGaN/AlGaInN, GaN/InGaN, GaN/InN, AlGaInN/InGaN, AlGaInN/InN, AlP/AlGaP, AlP/GaP, AlP/InGaP, AlP/InP, AlP/AlGaInP, AlGaP/GaP, AlGaP/InGaP, AlGaP/AlGaInP, GaP/InGaP, GaP/InP, AlGaInP/InGaP, AlGaInP/InP, AlAs/AlGaAs, AlAs/GaAs, AlAs/InGaAs, AlAs/InAs, AlAs/AlGaInAs, AlGaAs/GaAs, AlGaAs/InGaAs, AlGaAs/AlGaInAs, GaAs/InGaAs, GaAs/InAs, AlGaInAs/InGaAs, AlGaInAs/InAs, AlSb/AlGaSb, AlSb/GaSb, AlSb/InGaSb, AlSb/InSb, AlSb/AlGaInSb, AlGaSb/GaSb, AlGaSb/InGaSb, AlGaSb/AlGaInSb, GaSb/InGaSb, GaSb/InSb, AlGaInSb/InGaSb, 및 AlGaInSb/InSb으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 엑시톤 폴라리톤 소자용 구조체
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제1항에 있어서,상기 코어-쉘 나노구조체는 빛이 내부전반사로 인해서 반지름 방향으로 2차원적으로 갇히고, 상기 코어-쉘 나노구조체의 성장방향으로 1차원적으로 빛이 이동되는 것인, 엑시톤 폴라리톤 소자용 구조체
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제1항에 있어서,상기 코어-쉘 나노구조체는 구조체 내부에서 빛과 양자우물의 공간적 겹침 정도가 15 % 이상인 것인, 엑시톤 폴라리톤 소자용 구조체
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제1항에 있어서,상기 쉘의 외측면을 감싸는 제2 화합물 반도체층을 더 포함하고,상기 제2 화합물 반도체는 p-형 화합물 반도체를 포함하는 것인, 엑시톤 폴라리톤 소자용 구조체
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기판을 준비하는 단계; 및 코어; 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘; 을 포함하는 코어-쉘 나노구조체를 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 코어-쉘 나노구조체를 형성하는 단계는, 상기 코어 또는 상기 쉘의 모서리를 식각하여 둥근 모서리를 형성하며,상기 코어-쉘 나노구조체의 단면에서 상기 쉘 영역은, 둥근 모서리를 갖는 다각형인 것인,엑시톤 폴라리톤 소자용 구조체의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 코어-쉘 나노구조체를 형성하는 단계는:상기 기판 상에 제1 화합물 반도체의 나노구조체를 성장시키는 단계;상기 나노구조체의 모서리를 식각하여 둥근 모서리를 형성하는 단계; 및 상기 식각된 나노구조체의 측면을 감싸도록 나노구조체의 반지름 방향으로 양자구조층을 성장시켜 코어-쉘 나노구조체를 형성하는 단계; 를 포함하는 것인, 제조방법
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제9항에 있어서,상기 코어-쉘 나노구조체를 형성하는 단계는:상기 기판 상에 제1 화합물 반도체의 나노구조체를 성장시키는 단계; 상기 나노구조체의 측면을 감싸도록 나노구조체의 반지름 방향으로 양자구조층을 성장시켜 코어-쉘 나노구조체를 형성하는 단계; 및상기 코어-쉘 나노구조체에서 쉘의 모서리를 식각하여 둥근 모서리를 형성하는 단계; 를 포함하는 것인, 제조방법
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제9항에 있어서,상기 코어-쉘 나노구조체를 형성하는 단계 이후에, 상기 코어-쉘 나노구조체의 반지름 방향 또는 수직 방향으로 제2 화합물 반도체층을 성장시켜, 상기 쉘의 외측면을 감싸는 제2 화합물 반도체층을 형성하는 단계; 를 더 포함하는 것인, 제조방법
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제10항 또는 제11항에 있어서,상기 둥근 모서리를 형성하는 단계는 FIB(Forced Ion Beam), 전기화학식각, 습식식각, 또는 건식식각으로 수행되는 것인, 제조방법
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