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이황화몰리브덴을 이용한 촉각센서의 제조방법(Manufacturing Method of An Tactile Sensor using MoS2)

  • 기술번호 : KST2017012568
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이황화몰리브덴을 이용한 촉각센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해, 실리콘 기반의 웨이퍼(60)를 준비하는 단계(제 1 단계); 웨이퍼(60)의 일면을 패시베이션 처리하여 제 1 패시베이션층(62)을 형성하는 단계(제 2 단계); 제 1 패시베이션층(62)상에 그래핀층(64)을 성막하는 단계(제 3 단계); 그래핀층(64)을 패터닝하여 그래핀패턴(65)을 형성하는 단계(제 4 단계); 그래핀패턴(65)위에 이산화황몰리브덴(70)을 인쇄하고 패터닝하는 단계(제 5 단계); 이산화황몰리브덴(70)의 일면을 패시베이션 처리하여 제 2 패시베이션층(80)을 형성하는 단계(제 6 단계); 및 웨이퍼(60)로부터 분리하여 촉각센서를 생성하는 단계(제 7 단계);를 포함하는 것을 특징으로 하는 이황화몰리브덴을 이용한 촉각센서의 제조방법이 제공된다.
Int. CL G01L 1/18 (2016.02.24) G01L 1/22 (2016.02.24) G01L 5/00 (2016.02.24) G01B 7/16 (2016.02.24) H01L 29/16 (2016.02.24) H01L 23/31 (2016.02.24)
CPC G01L 1/18(2013.01) G01L 1/18(2013.01) G01L 1/18(2013.01) G01L 1/18(2013.01) G01L 1/18(2013.01) G01L 1/18(2013.01)
출원번호/일자 1020160007607 (2016.01.21)
출원인 한국표준과학연구원, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0088003 (2017.08.01) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.01.21)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김민석 대한민국 대전광역시 서구
2 박연규 대한민국 대전광역시 유성구
3 박민훈 대한민국 부산광역시 부산진구
4 안종현 대한민국 경기도 수원시 팔달구
5 박용주 대한민국 서울시 중랑구
6 첸 시앙 중국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 아이퍼스 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-0070321-71
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.12.20 수리 (Accepted) 9-1-2016-0051613-61
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0076932-78
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.03.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0318743-19
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-0318742-63
7 등록결정서
Decision to grant		 2017.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0565648-42
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기반의 웨이퍼(60)를 준비하는 단계(제 1 단계);상기 웨이퍼(60)의 일면을 패시베이션 처리하여 제 1 패시베이션층(62)을 형성하는 단계(제 2 단계);상기 제 1 패시베이션층(62)상에 그래핀층(64)을 성막하는 단계(제 3 단계);상기 그래핀층(64)을 패터닝하여 그래핀패턴(65)을 형성하는 단계(제 4 단계);상기 그래핀패턴(65)위에 이산화황몰리브덴(70)을 인쇄하고 패터닝하는 단계(제 5 단계);상기 이산화황몰리브덴(70)의 일면을 패시베이션 처리하여 제 2 패시베이션층(80)을 형성하는 단계(제 6 단계); 및상기 웨이퍼(60)로부터 분리하여 촉각센서를 생성하는 단계(제 7 단계);를 포함하는 것을 특징으로 하는 이황화몰리브덴을 이용한 촉각센서의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 3 단계에서 상기 그래핀층(64)은 CVD 방법에 의해 성막되는 것을 특징으로 하는 이황화몰리브덴을 이용한 촉각센서의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제 1, 2 패시베이션층(62, 80)중 적어도 하나는 SU-8 에폭시를 포함하는 것을 특징으로 하는 이황화몰리브덴을 이용한 촉각센서의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제 4 단계에서의 패터닝은 그래핀층(64)으로부터 형성된 제 1, 2 그래핀 전극(110, 115)이 각각 연장되어 상호 접촉없이 교호적으로 맞물리는 형상인 것을 특징으로 하는 이황화몰리브덴을 이용한 촉각센서의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제 5 단계는 포토리소그래피 공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 이황화몰리브덴을 이용한 촉각센서의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 제 3 단계의 상기 그래핀층(64)의 두께는 0
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 제 5 단계에서 상기 이산화황몰리브덴(70)의 두께는 1 ~ 2 nm 범위인 것을 특징으로 하는 이황화몰리브덴을 이용한 촉각센서의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 촉각센서는 가로변의 길이가 1
9 9
제 1 항 내지 제 8 항중 어느 한항의 제조방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 이황화몰리브덴을 이용한 촉각센서
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
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1 WO2017126938 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2017126938 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국표준과학연구원 IT·SW 융합산업원천기술개발 실감미디어를 위한 플렉시블 센서기반 촉감 저장·재생 플랫폼 원천기술 개발
2 미래창조과학부 연세대학교 산학협력단 리더연구자지원사업(창의연구) 변형 제어 고성능 전자 소자 연구단