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양이온과 음이온을 포함하는 이온성 액체로 도핑된 고분자 필름을 포함하며,n형으로 구동되고,고분자 필름의 캐리어 농도는 음의 값을 가지며,이온성 액체 중 음이온의 분해온도는 양이온의 분해온도보다 낮고,고분자 필름 중 음이온의 농도는 양이온보다 낮으며, 양이온에 의해 고분자가 부분 음전하를 띄는 것을 특징으로 하는 열전 소자
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제1항에 있어서,고분자는 폴리아닐린, 폴리아세틸렌, 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리페닐렌, 폴리(에틸렌디옥시티오펜), 폴리(스티렌설포네이트), 폴리(페릴렌설파이드), 폴리설폰, 폴리(비닐렌페닐렌), 폴리플루오렌, 폴리(아릴아민) 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 열전 소자
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제1항에 있어서,이온성 액체는 이미다졸륨계, 피리디늄계, 암모늄계, 포스포늄계, 옥사졸륨계, 피페리디늄계, 피라지늄계, 피라졸륨계, 피리다지늄계, 피리미디늄계, 피롤리디늄계, 피롤리늄계, 피롤륨계, 트리아졸륨계 중에서 선택되는 양이온; 및설페이트계, 설포네이트계, 할로겐 이온, 나이트레이트계, 할로보레이트계, 할로포스페이트계, 알루미늄 할로겐화물계 중에서 선택되는 음이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 소자
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제1항에 있어서,고분자 필름의 일함수는 도핑 전과 비교하여 도핑 후에 낮아지는 것을 특징으로 하는 열전 소자
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제1항에 있어서,고분자 필름의 전기전도도는 0
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제1항에 있어서,고분자 필름의 전기전도도 및 제벡 계수는 대기 조건에서 1 내지 100일 동안 평균값의 ±100%를 유지하는 것을 특징으로 하는 열전 소자
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10
제1항에 있어서,고분자 필름의 두께는 100 내지 2000 nm, 면적은 0
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제1항에 따른 열전 소자의 제조방법으로서,고분자를 이온성 액체로 도핑하는 단계;이온성 액체로 도핑된 고분자를 필름으로 형성하는 단계;고분자 필름을 어닐링하는 단계를 포함하는 열전 소자의 제조방법
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제11항에 있어서,어닐링 온도는 이온성 액체 중 음이온의 분해온도보다 높은 것을 특징으로 하는 열전 소자의 제조방법
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제11항에 있어서,어닐링을 통해 이온성 액체 중 음이온을 부분적으로 분해시키는 것을 특징으로 하는 열전 소자의 제조방법
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