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기판, 게이트전극, 게이트절연층, 활성층, 및 전극물질층을 순차적으로 포함하는 액정성 유기박막 트랜지스터에 있어서,상기 활성층이 상기 게이트절연층 상에만 형성되고,상기 전극물질층 및 상기 게이트절연층이 상기 활성층에 의해 상호 이격되고,상기 게이트절연층이 직선 편광된 UV에 대해 수직 광배향된 시나메이트계 고분자를 포함하고,상기 활성층이 상기 직선 편광된 UV에 대해 수직 배향된 티오펜계 고분자를 포함하고,상기 활성층의 2색비(dichloric ratio)가 1
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제1항에 있어서,상기 티오펜계 고분자가 하기 화학식 1로 표시되는 액정성 유기박막 트랜지스터:003c#화학식 1003e#상기 식에서,R1 및 R2가 상호 독립적으로 C1 내지 C20 알킬기이고,X가 , , 및 로 이루어진 군에서 선택된 하나이고,n이 1 내지 10,000의 정수이다
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제2항에 있어서,상기 티오펜계 고분자가 폴리(2,5-비스(3-도데실티오펜-2-일)티에노[3,2-b]티오펜)인 액정성 유기박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 시나메이트계 고분자가 폴리비닐시나메이트, 폴리비닐메톡시시나메이트, 폴리비닐불화시나메이트, 및 폴리실록산시나메이트로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 액정성 유기박막 트랜지스터
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제4항에 있어서,상기 시나메이트계 고분자가 폴리비닐시나메이트인 액정성 유기박막 트랜지스터
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제5항에 있어서,상기 폴리비닐시나메이트의 중량평균분자량(Mw)이 50,000 내지 500,000인 액정성 유기박막 트랜지스터
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(a) 시나메이트계 및 티오펜계 고분자를 각각 제1 및 제2 용매에 용해시켜 제1 및 제2 용액을 제조하는 단계;(b) 게이트전극이 구비된 기판 상에 상기 제1 용액을 코팅하여 게이트절연층을 형성하는 단계;(c) 상기 게이트절연층에 직선 편광된 UV를 조사하여 상기 시나메이트계 고분자를 상기 UV에 대해 수직 광배향시키는 단계;(d) 광배향된 상기 게이트절연층 상에 상기 제2 용액을 코팅하여 활성층을 형성하는 단계;(e) 상기 활성층을 100 내지 300℃에서 어닐링하여 상기 활성층의 2색비(dichloric ratio)를 1
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제7항에 있어서,상기 티오펜계 고분자가 하기 화학식 1로 표시되는 액정성 유기박막 트랜지스터의 제조방법:003c#화학식 1003e#상기 식에서,R1 및 R2가 상호 독립적으로 C1 내지 C20 알킬기이고,X가 , , 및 로 이루어진 군에서 선택된 하나이고,N이 1 내지 10,000의 정수이다
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제8항에 있어서,상기 티오펜계 고분자가 폴리(2,5-비스(3-도데실티오펜-2-일)티에노[3,2-b]티오펜)인 액정성 유기박막 트랜지스터의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 제1 및 제2 용매가 각각 상호 독립적으로 클로로에탄, 디클로로에탄, 클로로벤젠, 디클로로벤젠, 및 트리클로로벤젠으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 액정성 유기박막 트랜지스터의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 (b) 및 (d) 단계에서 상기 코팅이 스핀 코팅에 의해 수행되는 액정성 유기박막 트랜지스터의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 (c) 단계에서 상기 직선 편광된 UV의 세기가 5 내지 50J/cm2인 액정성 유기박막 트랜지스터의 제조방법
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