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금속을 포함하는 제1 용액을 용매에 첨가한 후, 물리적 혼합화(mechanical mixing)하여 베이스 용액(base solution)을 제조하는 단계; 상기 베이스 용액에 pH 조절제(pH control agent)를 첨가한 후, 물리적 혼합화하여 금속원소가 응집된 금속 나노클러스터(metal nanocluster )를 제조하는 단계; 제1 기판 상의 전극층의 표면에 산성 용액 처리하는 단계;상기 산성 용액으로 처리된 상기 전극층의 표면 상에 상기 금속 나노클러스터가 분산된 금속 나노클러스터 용액을 제공하여, 상기 전극층에 상기 금속 나노클러스터가 흡착된 광전 변환층을 제조하는 단계; 및상기 제1 기판 상에 제2 기판을 준비하고, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 요오드를 포함하는 전해질층을 제공하는 단계를 포함하되,상기 pH 조절제가 첨가된 상기 베이스 용액의 pH에 따라, 상기 금속 나노클러스터에 포함된 금속원소의 개수가 조절되는 것을 포함하고,상기 금속 나노클러스터는 18개의 금속원소가 응집된 것을 포함하되,상기 금속 나노클러스터에 포함된 상기 금속원소의 개수가 18개보다 적은 경우보다, 광전 변환층의 광 흡수율은 높고,상기 금속 나노클러스터에 포함된 상기 금속원소의 개수가 18개보다 많은 경우보다, 광전 변환층의 광전 변환 효율이 높은 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 pH 조절제에 의해 상기 베이스 용액의 pH가 증가함에 따라, 상기 금속 나노클러스터에 포함된 상기 금속원소의 개수가 증가하는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제2 항에 있어서,상기 금속 나노클러스터에 포함된 상기 금속원소의 개수가 증가함에 따라, 상기 금속 나노클러스터의 발광 파장 값이 증가하는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제2 항에 있어서,상기 금속 나노클러스터에 포함된 상기 금속원소의 개수가 증가함에 따라, 상기 금속 나노클러스터의 광 흡수율이 증가하는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제2 항에 있어서,상기 금속 나노클러스터에 포함된 상기 금속원소의 개수에 따라, 상기 금속 나노클러스터의 발광 재결합 속도가 조절되는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 금속 나노클러스터를 제조하는 단계에서,상기 pH 조절제가 첨가된 상기 베이스 용액에 퍼지(purge) 공정을 수행한 후, 상기 물리적 혼합화를 수행하는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 금속 나노클러스터를 제조하는 단계 후,세척 및 건조 공정을 통해 제조된 상기 금속 나노클러스터를 수득하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 산성 용액은 질산을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1 기판;상기 제1 기판 상의 전극층, 및 상기 전극층 상에 흡착된 금속 나노클러스터를 포함하는 광전 변환층;상기 제1 기판 상의 제2 기판;상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되고, 요오드를 포함하는 전해질층; 및상기 제2 기판 및 상기 전해질층 사이의 상대 전극을 포함하되, 상기 금속 나노클러스터는 18개의 금속원소가 응집된 것을 포함하되,상기 금속 나노클러스터에 포함된 상기 금속원소의 개수가 18개보다 적은 경우보다, 광전 변환층의 광 흡수율은 높고,상기 금속 나노클러스터에 포함된 상기 금속원소의 개수가 18개보다 많은 경우보다, 광전 변환층의 광전 변환 효율이 높은 것을 포함하는 태양 전지
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제11 항에 있어서,상기 제1 기판 및 상기 광전 변환층 사이에 배치되고, 티타늄을 포함하는 제1 차단층; 및상기 광전 변환층 및 상기 전해질 사이에 배치되고, 티타늄을 포함하는 제2 차단층을 포함하는 태양 전지
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