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전자빔을 방출하는 전자빔 발생부;상기 전자빔 발생부에서 방출된 전자빔을 제한하는 제한 전극부; 및상기 제한된 전자빔이 충돌하여 엑스선을 방출하는 타겟 물질을 포함하는 타겟부로 구성되되,상기 제한 전극부는,상기 방출된 전자빔 중 일부의 전자빔을 통과시켜 상기 타겟부로 전달하는 전자빔 제한 전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제1항에 있어서, 상기 타겟부는, 상기 제한 전극부에 의하여 상기 타겟부로 전달된 상기 일부의 전자빔의 크기에 대응하는 포컬 스팟의 엑스선을 방출하는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제1항에 있어서, 상기 제한 전극부는,기설정된 직경의 제한 개구가 형성된 관통형 전자빔 제한 전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제3항에 있어서, 상기 관통형 전자빔 제한 전극은,상기 방출된 전자빔 중 상기 제한 개구를 통과한 일부의 전자빔을 상기 타겟부로 전달하는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제3항에 있어서, 상기 관통형 전자빔 제한 전극은,상기 타겟부와 동일한 전위를 갖도록 구성되는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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6
제1항에 있어서, 상기 제한 전극부는,기설정된 간격의 슬릿이 형성된 적어도 하나의 슬릿형 전자빔 제한 전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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7
제6항에 있어서, 상기 적어도 하나의 슬릿형 전자빔 제한 전극은, 상기 기설정된 간격에 대응하는 두께를 갖는 적어도 하나의 스페이서; 및상기 적어도 하나의 스페이서에 의해 이격된 복수의 금속 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제6항에 있어서, 상기 적어도 하나의 슬릿형 전자빔 제한 전극은,상기 슬릿이 상호 기설정된 각도로 정렬되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제6항에 있어서, 상기 적어도 하나의 슬릿형 전자빔 제한 전극은,상기 슬릿이 복수의 행과 열로 구성된 매트릭스 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제6항에 있어서, 상기 슬릿은, 상기 방출된 전자빔의 입사면에서의 간격이 상기 일부의 전자빔이 상기 타겟부로 전달되는 출사면에서의 간격보다 넓게 형성되는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제1항에 있어서, 상기 제한 전극부는, 텅스텐, 몰리브덴, 금 중 어느 하나로 제조되는 적어도 하나의 전자빔 제한 전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제1항에 있어서,상기 전자빔 발생부 및 상기 제한 전극부 사이에 배치되어, 상기 제한 전극부에 대한 상기 방출된 전자빔의 입사 위치를 제어하는 정전 편향기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제1항에 있어서, 상기 타겟부와 상기 엑스선이 전달되는 피사체 사이에 배치되고, 저에너지 엑스선을 제거하는 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제13항에 있어서, 상기 필터는,상기 타겟부와 일체형으로 구비되는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제1항에 있어서,상기 전자빔 발생부 및 상기 제한 전극부 사이에 배치되어, 상기 제한 전극부에 의해 제한되는 나머지 전자빔에 의한 엑스선을 역행을 방지하는 도넛 형태의 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제1항에 있어서, 상기 전자빔 발생부는,상기 전자빔을 방출하는 캐소드로 구성되고,상기 타겟부는,아노드로 구성되는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제16항에 있어서, 상기 전자빔 발생부는,상기 캐소드에서 방출된 전자빔을 마이크로미터 급으로 집속시키는 집속부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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