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전자빔을 방출하는 전자 방출원; 및 상기 방출된 전자빔이 충돌하여 엑스선을 방출하는 타겟 물질을 포함하는 타겟부로 구성되되, 상기 전자 방출원은,열 전자 방출원 및 전계 전자 방출원을 포함하며, 상기 열 전자 방출원 및 상기 전계 전자 방출원 중 적어도 하나를 선택적으로 이용하여 상기 전자빔을 방출하는 것을 특징으로 하고,상기 열 전자 방출원은, 코일 모양의 텅스텐 필라멘트가 연결된 캐소드부; 및상기 캐소드부 주위를 둘러싸고 상기 캐소드에서 방출된 전자빔을 집속시키는 집속 전극;을 포함하고,상기 전계 전자 방출원은,상기 집속 전극 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제1항에 있어서, 상기 열 전자 방출원은,상기 집속 전극 내에 구비되며, 상기 엑스선 튜브에서 발생하는 아웃개싱을 흡착하여 제거하는 게터를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제2항에 있어서, 상기 전계 전자 방출원은, 전계를 형성하는 게이트 전극; 및상기 전계에 의하여 유도된 전자를 방출하는 에미터를 포함하는 캐소드 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제3항에 있어서, 상기 타겟부는,상기 타겟 물질을 포함하는 아노드 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제4항에 있어서, 상기 전계 전자 방출원은,상기 집속 전극 및 상기 게터를 상기 열 전자 방출원과 공유하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제1항에 있어서, 상기 전계 전자 방출원은, 상기 열 전자 방출원과 수평으로 배치되는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제1항에 있어서, 상기 전계 전자 방출원은,상기 집속 전극 내에서, 상기 열 전자 방출원의 상기 캐소드부와 수평으로 배치되는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제1항에 있어서, 상기 전계 전자 방출원은, 상기 열 전자 방출원의 하부에 배치되는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제1항에 있어서, 상기 캐소드부는,상기 집속 전극 외부에 배치되며, 상기 집속 전극 내의 상기 전계 전자 방출원과 대응되는 상부에 배치되는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제1항에 있어서, 상기 전계 전자 방출원은, 상기 열 전자 방출원의 상부에 배치되는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제1항에 있어서, 상기 캐소드부는,상기 집속 전극 내에서, 상기 전계 전자 방출원의 하부에 배치되는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제4항에 있어서, 상기 열 전자 방출원으로부터 방출된 전자빔은 상기 타겟부 및 상기 캐소드 전극에 충돌하여 상기 아노드 전극 및 상기 캐소드 전극의 아웃개싱을 제거하는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제3항에 있어서, 상기 게이트 전극은 상기 에미터로 고전류를 인출하여 상기 에미터의 아웃개싱이 제거되도록 하는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 아웃개싱의 제거는, 상기 엑스선 튜브의 제조 과정에서 수행되는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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제2항에 있어서, 상기 게터는, 상기 엑스선 튜브의 구동 중 발생하는 아웃개싱을 제거하기 위하여, 상기 엑스선 튜브의 밀봉 전에 활성화되는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브
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