| 1 |
1
캐소드 전극; 상기 캐소드 전극과 전기적으로 연결되고, 전자빔을 방출하는 적어도 하나의 에미터; 상기 캐소드 전극 및 상기 에미터와 이격되어 배치되고, 상기 전자빔을 가속시키는 애노드 전극; 상기 캐소드 전극 및 상기 애노드 전극 사이에 배치되고, 상기 전자빔을 통과시키는 적어도 하나의 게이트 홀을 구비하는 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극의 상기 캐소드 전극에 마주하는 면에 부착되고, 상기 게이트 홀을 커버하는 전자 투과성 도전체를 포함하며, 상기 전자 투과성 도전체는 도전성 물질을 포함하여 상기 캐소드 전극 및 상기 게이트 전극 사이에 형성되는 전계의 등전위선들의 변형을 방지하고, 상기 에미터에서 방출된 전자를 투과시키는 전계 방출 소자
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서, 상기 전자 투과성 도전체는 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co) 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함하는 전계 방출 소자
|
| 3 |
3
제1 항에 있어서, 상기 전자 투과성 도전체는 그래핀, 페브로스카이트, MoS2, WSe2, H-BN, 및 TaS2 중 하나를 적어도 하나의 이차원 도전 물질을 포함하는 전계 방출 소자
|
| 4 |
4
제1 항에 있어서, 상기 캐소드 전극은 적어도 하나의 요부를 구비하고, 상기 에미터는 상기 요부에 배치되는 전계 방출 소자
|
| 5 |
5
제4 항에 있어서, 상기 요부에는 복수의 에미터들이 배치되는 전계 방출 소자
|
| 6 |
6
제1 항에 있어서, 상기 캐소드 전극은 복수의 요부들을 구비하고, 상기 캐소드 전극 상에는 복수의 에미터들이 배치되며, 상기 에미터들 각각은 상기 요부들에 배치되는 전계 방출 소자
|
| 7 |
7
제6 항에 있어서, 상기 요부들의 직경 및 깊이는 동일한 전계 방출 소자
|
| 8 |
8
제6 항에 있어서, 상기 요부들의 직경 및 깊이 중 적어도 하나는 서로 다른 전계 방출 소자
|
| 9 |
9
제1 항에 있어서, 상기 전자빔이 상기 애노드 전극으로 집속되도록 제어하는 전자빔 제어 전극을 더 포함하는 전계 방출 소자
|
| 10 |
10
제9 항에 있어서, 상기 전자빔 제어 전극은 상기 게이트 전극에서 상기 애노드 전극으로 연장된 형상을 가지는 전계 방출 소자
|
| 11 |
11
제9 항에 있어서, 상기 전자빔 제어 전극은 상기 게이트 전극과 동일한 물질을 포함하고, 상기 게이트 전극과 일체로 형성되는 전계 방출 소자
|
| 12 |
12
진공 용기; 및 상기 진공 용기 내부에 배치되는 전계 방출 소자를 구비하며, 상기 전계 방출 소자는 캐소드 전극; 상기 캐소드 전극의 표면 상에 배치되고 전자빔을 방출하는 적어도 하나의 에미터; 상기 캐소드 전극 및 상기 에미터와 이격되어 배치되고, 상기 전자빔을 가속시키는 애노드 전극; 상기 캐소드 전극 및 상기 애노드 전극 사이에 배치되고, 상기 전자빔을 통과시키는 적어도 하나의 게이트 홀을 구비하는 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극의 상기 캐소드 전극에 마주하는 면에 부착되고, 상기 게이트 홀을 커버하는 전자 투과성 도전체를 포함하며, 상기 전자 투과성 도전체는 도전성 물질을 포함하여 상기 캐소드 전극 및 상기 게이트 전극 사이에 형성되는 전계의 등전위선들의 변형을 방지하고, 상기 에미터에서 방출된 전자를 투과시키는 엑스선 방출원
|
| 13 |
13
제12 항에 있어서, 상기 전자 투과성 도전체는 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 그래핀, 페브로스카이트, MoS2, WSe2, H-BN, 및 TaS2 중 하나를 적어도 하나를 포함하는 전계 방출 엑스선 방출원
|
| 14 |
14
제12 항에 있어서, 상기 캐소드 전극은 적어도 하나의 요부를 구비하고, 상기 에미터는 상기 요부에 배치되는 엑스선 방출원
|
| 15 |
15
제14 항에 있어서, 상기 요부에는 복수의 에미터들이 배치되는 엑스선 방출원
|
| 16 |
16
제12 항에 있어서, 상기 캐소드 전극은 복수의 요부들을 구비하고, 상기 캐소드 전극 상에는 복수의 에미터들이 배치되며, 상기 에미터들 각각은 상기 요부들에 배치되는 엑스선 방출원
|
| 17 |
17
제16 항에 있어서, 상기 요부들의 직경 및 깊이 중 적어도 하나는 서로 다른 엑스선 방출원
|
| 18 |
18
제12 항에 있어서, 상기 전자빔이 상기 애노드 전극으로 집속되도록 제어하는 전자빔 제어 전극을 더 포함하는 엑스선 방출원
|
| 19 |
19
제18 항에 있어서, 상기 전자빔 제어 전극은 상기 게이트 전극에서 상기 애노드 전극으로 연장된 형상을 가지는 엑스선 방출원
|
| 20 |
20
제18 항에 있어서, 상기 전자빔 제어 전극은 상기 게이트 전극과 동일한 물질을 포함하고, 상기 게이트 전극과 일체로 형성되는 엑스선 방출원
|
