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기판 상에 서로 이격하여 배치된 복수개의 전극들;상기 복수개의 전극들 사이에 배치되고, 상기 복수개의 전극들과 분리된 게이트 전극;상기 게이트 전극의 위 또는 아래에 배치되고, 상기 복수개의 전극들 사이에 연결된 하부 채널 층;상기 하부 채널 층 상에 배치되고, 상기 하부 채널 층의 에너지 밴드 갭과 다른 에너지 밴드 갭을 갖는 상부 채널 층; 및 상기 상부 채널 층과 상기 하부 채널 층 사이에 배치되고, 상기 상부 채널 층의 상기 에너지 밴드 갭과, 상기 하부 채널 층의 상기 에너지 밴드 갭 사이의 에너지 밴드 갭을 갖는 중간 채널 층을 포함하는 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 하부 채널 층, 상기 상부 채널 층, 및 상기 중간 채널 층은 금속 산화물을 포함하는 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 하부 채널 층은 티타늄 산화물을 포함하고, 상기 상부 채널 층은 몰리브덴 산화물을 포함하고, 상기 중간 채널 층은 티타늄 몰리브덴 산화물을 포함하는 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 하부 채널 층과 상기 중간 채널 층 사이에 배치된 제 1 층간 절연 층; 및상기 중간 채널 층과 상기 상부 채널 층 사이의 제 2 층간 절연 층을 더 포함하는 트랜지스터
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제 4 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 층간 절연 층들은 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 하프늄 산화물, 또는 지그코늄 산화물을 포함하는 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 하부 채널 층, 상기 상부 채널 층, 및 상기 중간 채널 층은 금속 황화물을 포함하는 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극은 인듐 주석 산화물을 포함하는 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 하부 채널 층, 상기 중간 채널 층, 및 상기 상부 채널 층은 2 나노미터 내지 5 나노미터의 두께를 갖는 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 유연 기판을 포함하는 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 하부 채널 층과 상기 상부 채널 층은 단일 층이고, 상기 중간 채널 층은 다중 층인 트랜지스터
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기판;상기 기판 상에 서로 이격하여 배치된 복수개의 전극들;상기 복수개의 전극들 사이에 연결된 채널 층들;상기 채널 층들 사이에 배치된 적어도 하나의 층간 절연 층;상기 채널 층들의 위 또는 아래에 배치된 게이트 전극; 및상기 게이트 전극과 상기 채널 층들 사이에 배치된 게이트 절연 층을 포함하되,상기 채널 층들은:제 1 채널 층; 및상기 제 1 채널 층 상에 배치되고, 상기 제 1 채널 층의 에너지 밴드 갭보다 높은 에어지 밴드 갭을 갖는 제 2 채널 층을 포함하는 트랜지스터
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제 11 항에 있어서,상기 채널 층들은 상기 제 2 채널 층 상에 배치되고, 상기 제 2 채널 층의 상기 에너지 밴드 갭보다 높은 에너지 밴드 갭을 갖는 제 3 채널 층을 더 포함하는 트랜지스터
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 채널 층은 티타늄 산화물을 포함하고, 상기 제 3 채널 층은 몰리브데늄 산화물을 포함하되,상기 제 2 채널 층은 티타늄 몰리브데늄 산화물을 포함하는 트랜지스터
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 내지 제 3 채널 층들은 2 나노미터 내지 5 나노미터의 두께를 갖는 트랜지스터
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제 11 항에 있어서,상기 제 2 채널 층은 다중 층이고, 몰리브데늄 산화물과 텅스텐 황화물의 성분비 구배 층인 트랜지스터
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