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금속 전구체 및 분산제를 혼합하여 갈바닉 치환반응 용액을 제조하는 단계(제1단계); 및금속 기판을 상기 갈바닉 치환반응 용액에 침지하고 치환반응을 통해 전착층을 형성시키는 단계(제2단계);를 포함하는 갈바닉 치환반응을 이용한 휘스커 촉매 제조방법
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금속 기판 표면의 자연산화막을 제거할 수 있는 식각용액을 제조하는 단계(a단계);금속 전구체 및 분산제를 혼합하여 갈바닉 치환반응 용액을 제조하는 단계(b단계);금속 기판을 상기 식각용액에 침지하여 금속 기판 표면의 자연산화막을 제거하는 단계(c단계); 및 상기 금속 기판을 상기 갈바닉 치환반응 용액에 침지하고 치환반응을 통해 전착층을 형성시키는 단계(d단계);를 포함하는 갈바닉 치환반응을 이용한 휘스커 촉매 제조방법
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제 1항 또는 제2항에 있어서,상기 전착층은 휘스커(whisker) 형태의 3차원 구조이며, 평균 두께가 300 nm 내지 6 ㎛ 로 형성되는 것을 특징으로 하는 갈바닉 치환반응을 이용한 휘스커 촉매 제조방법
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제 1항 또는 제2항에 있어서,상기 금속 기판은 구리(Cu), 금(Au), 납(Pb), 니켈(Ni), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 망간(Mn), 몰리브데넘(Mo), 백금(Pt), 수은(Hg), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 은(Ag), 이리듐(Ir), 주석(Sn), 철(Fe), 코발트(Co), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 팔라듐(Pd)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 갈바닉 치환반응을 통한 휘스커 촉매 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 식각 용액은 상기 금속 기판 표면의 자연산화막을 제거하기 위한 것으로서, 과산화수소(H2O2), 구연산[HOC(COOH)(CH2COOH)2], 불산(HF), 수산화칼륨(KOH), 아세트산(CH3CO2H), 옥살산(HO2CCO2H) 및 황산(H2SO4)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 갈바닉 치환반응을 통한 휘스커 촉매 제조방법
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제 1항 또는 제2항에 있어서,상기 금속 전구체는 구리(Cu), 금(Au), 납(Pb), 니켈(Ni), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 망간(Mn), 몰리브데넘(Mo), 백금(Pt), 수은(Hg), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 은(Ag), 이리듐(Ir), 주석(Sn), 철(Fe), 코발트(Co), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 팔라듐(Pd)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 의 이온인 것을 특징으로 하는 갈바닉 치환반응을 통한 휘스커 촉매 제조방법
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제 1항 또는 제2항에 있어서,상기 분산제는 과염소산(HClO4), 시안화나트륨(NaCN), 시트르산나트륨(Na3C6H5O7), 싸이오요소(SC(NH2)2), 아세트산(C2H4O2), 암모니아수(NH4OH), 에틸렌다이아민테트라아세트산(EDTA), 염산(HCl), 염화암모늄(NH4Cl), 질산(HNO3), 헥사메틸렌테트라민(C6H2N4) 및 황산(H2SO4)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 갈바닉 치환반응을 통한 휘스커 촉매 제조방법
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제 1항 또는 제2항에 있어서,상기 갈바닉 치환반응 용액은 기판의 공식반응을 일으킬 수 있는 플루오르 이온(F-), 염소 이온(Cl-), 브롬 이온(Br-), 및 요오드 이온(I-) 으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는 것을 특징으로 하는 갈바닉 치환반응을 통한 휘스커 촉매 제조방법
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제 1항 또는 제2항에 있어서,상기 금속 기판을 갈바닉 치환반응 용액에 침지하는 시간은 10 ~ 3600 초인 것을 특징으로 하는 갈바닉 치환반응을 이용한 휘스커 촉매 제조방법
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제 1항 또는 제2항에 있어서,상기 치환반응의 반응온도는 10 ~ 90 ℃인 것을 특징으로 하는 갈바닉 치환반응을 이용한 휘스커 촉매 제조방법
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표면에 공동(cavity)층이 형성된 기판층; 및 상기 공동층 상부로 생성된 전착층을 포함하고,상기 전착층은 휘스커(whisker) 형태의 3차원 구조체이고, 상기 기판층 상부로 평균 300 nm 내지 6 ㎛ 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 휘스커 촉매
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제 11항에 있어서,상기 기판층은 평균 두께가 60 nm 내지 1 mm 인 것을 특징으로 하는 휘스커 촉매
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