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전도성 투명 기재 상에 형성된 광전극의 표면에 형성된 표면 패턴 형태의 산란층을 포함하는, 염료감응 태양전지용 산란층으로서,상기 표면 패턴 형태의 산란층은 상기 광전극과 일체형의 구조를 갖는 것이고,상기 염료감응 태양전지용 산란층은,상기 전도성 투명 기재 상에 상기 광전극을 형성하는 단계;상기 광전극 상에 고분자 콜로이드 용액을 도포하여 고분자 콜로이드 입자의 자기조립 단층을 형성하는 단계;상기 고분자 콜로이드 입자의 자기조립 단층을 마스크로서 이용하여 상기 광전극 표면을 식각하여 상기 광전극 표면에 패턴을 형성함으로써 표면 패턴 형태의 산란층을 형성하는 단계; 및상기 고분자 콜로이드 입자의 자기조립 단층을 제거하는 단계를 포함하는 제조 방법에 의해 제조되며,상기 고분자 콜로이드 입자의 자기조립 단층을 이용하여 상기 광전극 표면을 식각하는 것은, 상기 광전극 상에 배열된 상기 고분자 콜로이드 입자 사이의 노출된 곳을 식각함으로써 상기 광전극 표면을 식각하여 상기 광전극 표면에 패턴을 형성하는 것을 포함하는 것이고,상기 표면 패턴의 단차는 500 nm 내지 5 μm인,염료감응 태양전지용 산란층
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제 1 항에 있어서,상기 광전극은 Ti, Cu, Zr, Sr, Zn, In, Ir, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Y, Sc, Sm, Ga, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 금속의 산화물을 포함하는 것인, 염료감응 태양전지용 산란층
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제 1 항에 있어서,상기 고분자 콜로이드 입자는 폴리스타이렌(PS), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리스타이렌/폴리디비닐벤젠(PS/DVB), 폴리아미드, 폴리(부틸메타크릴레이트-디비닐벤젠)(PBMA) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 염료감응 태양전지용 산란층
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제 1 항에 있어서, 상기 고분자 콜로이드 입자의 크기는 100 nm 내지 10 μm인 것인, 염료감응 태양전지용 산란층
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제 1 항에 있어서, 상기 도포는, 스핀코팅, 닥터블레이드법, 랭뮤어 코팅, 또는 랭뮤어-블로젯 코팅에 의해 수행되는 것인, 염료감응 태양전지용 산란층
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제 1 항에 있어서, 상기 고분자 콜로이드 입자의 자기조립 단층을 이용하여 상기 광전극 표면을 식각하는 것은, 반응성 이온 식각, 플라즈마 식각, 또는 용액식각에 의해 수행되는 것인, 염료감응 태양전지용 산란층
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제 1 항에 있어서, 상기 고분자 콜로이드 입자의 자기조립 단층의 식각 시간 또는 강도를 조절하여 상기 광전극에 형성된 상기 표면 패턴의 단차가 제어되는 것인, 염료감응 태양전지용 산란층
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제 1 항에 있어서, 상기 고분자 콜로이드 용액의 고분자 콜로이드 입자의 크기에 의해 상기 광전극에 형성된 표면 패턴의 너비가 조절되는 것인, 염료감응 태양전지용 산란층
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