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금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자 및 이의 제조방법(Metal halide perovskite light emitting device and manufacturing method thereof)

  • 기술번호 : KST2017012900
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자 및 이의 제조방법을 제공한다. 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자는 기판, 상기 기판 상에 위치하는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하되, 금속 할라이드 페로브스카이트 물질을 포함하는 발광층 및 상기 발광층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 도전층 및 상기 도전층 상에 위치하는 표면 에너지-제어층을 포함하고, 상기 도전층은 전도성 고분자 및 제1 불소계 물질을 포함하고, 상기 표면 에너지-제어층은 제2 불소계 물질을 포함하되 상기 전도성 고분자는 비포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 제1 전극은 일함수 조절을 통해 금속 할라이드 페로브스카이 발광층과 옴 접촉을 이루게 하며, 엑시톤 해리를 막아 발광 효율을 증가시킴으로써, 발광소자의 효율을 효과적으로 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 33/26 (2016.03.11) H01L 33/36 (2016.03.11) H01L 33/40 (2016.03.11) H01L 33/00 (2016.03.11)
CPC H01L 33/26(2013.01) H01L 33/26(2013.01) H01L 33/26(2013.01) H01L 33/26(2013.01) H01L 33/26(2013.01) H01L 33/26(2013.01)
출원번호/일자 1020160010807 (2016.01.28)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0090216 (2017.08.07) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.01.28)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태우 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 정수훈 대한민국 부산광역시 북금 화명신도시로

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0095570-52
2 [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서
[Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document		 2016.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0098354-11
3 [출원서 등 보정(보완)]보정서
 2016.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0098339-36
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.02.07 수리 (Accepted) 9-1-2017-0003212-31
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0122743-69
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0371018-13
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.04.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0371019-58
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0306094-06
10 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2017.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2017-0516869-41
11 법정기간연장승인서
 2017.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0074461-75
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2017-0628970-04
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.06.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0628971-49
14 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2017.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0533075-07
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 위치하는 제1 전극;상기 제1 전극 상에 코팅된 금속 할라이드 페로브스카이트 발광층 용액이 증발되기 전에 저분자 유기물이 포함된 유기용매를 떨어뜨려 결정 입자의 사이즈가 조절된 발광층; 및상기 발광층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하고,상기 제1 전극은 도전층 및 상기 도전층 상에 위치하는 표면 에너지-제어층을 포함하고,상기 도전층은 전도성 고분자 및 제1 불소계 물질을 포함하고,상기 표면 에너지-제어층은 상기 전도성 고분자가 배제되며 표면 에너지와 일함수를 제어하기 위한 제2 불소계 물질을 포함하고,상기 금속 할라이드 페로브스카이트 발광층 용액은 금속 할라이드 페로브스카이트 물질 및 극성 유기 용매를 포함하고,상기 극성 유기용매는 디메틸설폭사이드 또는 디메틸포름아마이드인 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 발광소자
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 불소계 물질과 상기 제2 불소계 물질은 서로 동일하거나 상이한 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 발광소자
3 3
제1항에 있어서,상기 전도성 고분자는 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리스티렌, 폴리에틸렌디옥시티오펜, 폴리아세틸렌, 폴리페닐렌, 폴리페닐비닐렌, 폴리카바졸, 이들 중 2 이상의 서로 다른 반복 단위를 포함한 공중합체, 이들의 유도체 또는 이들 중 2 이상의 블렌드를 포함하는 금속 할라이드 페로브스카이트 발광소자
4 4
제1항에 있어서,상기 전도성 고분자는 이온기 및 고분자산(polymeric acid) 중 1종 이상으로 도핑된 셀프-도핑(self-doped) 전도성 고분자를 포함하고,상기 이온기는 음이온기 및 상기 음이온기에 대한 카운터 양이온기를 포함하고, 상기 음이온기는 PO32-, SO3-, COO-, I-, CH3COO- 및 BO22-으로 이루어진 군에서 선택되고,상기 양이온기는 금속 이온 및 유기 이온 중 1종 이상을 포함하고,상기 금속 이온은 Na+, K+, Li+, Mg+2, Zn+2 및 Al+3으로 이루어진 군으로부터 선택되고, 상기 유기 이온은 H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+ 및 RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 발광소자
5 5
제1항에 있어서,상기 제1 불소계 물질 및 제2 불소계 물질은 서로 독립적으로, 하기 화학식 1로 표시되는 이오노머인, 금속 할라이드 페로브스카이트 발광소자:003c#화학식 1003e#상기 화학식 1에서, 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000, 0≤ a ≤ 20, 0 ≤ b ≤ 20 이고;A, B, A'및 B'는 각각 독립적으로, C, Si, Ge, Sn, 및 Pb로 이루어지는 군으로부터 선택되고;R1, R2, R3, R4, R1', R2', R3' 및 R4' 는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 니트로기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 헤테로알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C5-C20의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 알킬에스테르기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 헤테로알킬에스테르기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴에스테르기 및, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴에스테르기로 이루어진 군으로부터 선택되며, 단, R1, R2, R3, 및 R4 중에서 적어도 하나 이상은 이온기이거나, 이온기를 포함하고; X 및 X'는 각각 독립적으로 단순 결합, O, S, 치환 또는 비치환된 C1-C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C5-C20의 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴에스테르기 및, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴에스테르기로 이루어진 군으로부터 선택되되,단, n이 0인 경우, R1, R2, R3, 및 R4 중에서 적어도 하나 이상은 할로겐 원소를 포함하는 소수성 작용기이거나, 소수성 작용기를 포함한다
6 6
제5항에 있어서, 상기 이온기는 음이온기 및 상기 음이온기에 대한 카운터 양이온기를 포함하고, 상기 음이온기는 PO32-, SO3-, COO-, I-, CH3COO- 및 BO22-으로 이루어진 군에서 선택되고,상기 양이온기는 금속 이온 및 유기 이온 중 1종 이상을 포함하고,상기 금속 이온은 Na+, K+, Li+, Mg+2, Zn+2 및 Al+3으로 이루어진 군으로부터 선택되고, 상기 유기 이온은 H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+ 및 RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 발광소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 제1 불소계 물질 및 상기 제2 불소계 물질은 서로 독립적으로, 하기 화학식 2 내지 13의 반복 단위들 중 1종 이상을 포함한 이오노머인, 금속 할라이드 페로브스카이트 발광소자:003c#화학식 2003e#상기 식 중, m은 1 내지 10,000,000의 수이고, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 10의 수이며, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+ 및 RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)중 어느 하나를 나타낸다;003c#화학식 3003e#상기 식중, m은 1 내지 10,000,000의 수이다;003c#화학식 4003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000 이며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이며, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+ 및 RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)중 어느 하나를 나타낸다;003c#화학식 5003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이며, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+ 및 RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)중 어느 하나를 나타낸다;003c#화학식 6003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, z는 0 내지 20의 수이고, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+ 및 RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)중 어느 하나를 나타낸다;003c#화학식 7003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이고, Y는 -COO-M+, -SO3-NHSO2CF3+, -PO32-(M+)2 중에서 선택된 하나이며, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+ 및 RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)중 어느 하나를 나타낸다;003c#화학식 8003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+ 및 RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)중 어느 하나를 나타낸다;003c#화학식 9003e#상기 식 중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이다;003c#화학식 10003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, x는 0 내지 20의 수이고, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+ 및 RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)중 어느 하나를 나타낸다;003c#화학식 11003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이고, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+ 및 RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)중 어느 하나를 나타낸다;003c#화학식 12003e#상기 식중, m 및 n은 0 ≤ m 003c# 10,000,000, 0 003c# n ≤ 10,000,000이고, Rf = -(CF2)z- (z는 1 내지 50의 정수, 단 2는 제외), -(CF2CF2O)zCF2CF2-(z는 1 내지 50의 정수), -(CF2CF2CF2O)zCF2CF2- (z는 1 내지 50의 정수)이며, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+ 및 RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)중 어느 하나를 나타낸다;003c#화학식 13003e#상기 식중, m 및 n은 0 ≤ m 003c# 10,000,000, 0 003c# n ≤ 10,000,000이고, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이며, Y는 각각 독립적으로, -SO3-M+, -COO-M+, -SO3-NHSO2CF3+, -PO32-(M+)2 중에서 선택된 하나이고, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+ 및 RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)중 어느 하나를 나타낸다
8 8
제1항에 있어서,상기 제1 불소계 물질 및 제2 불소계 물질이 서로 독립적으로, 화학식 14 내지 19 중 하나로 반복 단위를 포함한 불소계 고분자인, 금속 할라이드 페로브스카이트 발광소자:003c#화학식 14003e#003c#화학식 15003e#003c#화학식 16003e#003c#화학식 17003e#003c#화학식 18003e#003c#화학식 19003e#상기 화학식 14 내지 19 중,R11 내지 R14, R21 내지 R28, R31 내지 R38, R41 내지 R48, R51 내지 R58 및 R61 내지 R68은 서로 독립적으로, 수소, -F, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C20알킬기, 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C20알콕시기, Q1, -O-(CF2CF(CF3)-O)n-(CF2)m-Q2 및 -(OCF2CF2)x-Q3 (여기서, x는 1 내지 20의 정수임) 중에서 선택되되, i) 상기 화학식 14의 R11 내지 R14 중 적어도 하나, ii) 상기 화학식 15의 R21 내지 R28 중 적어도 하나, iii) 상기 화학식 16의 R31 내지 R38 중 적어도 하나, iv) 상기 화학식 17의 R41 내지 R48 중 적어도 하나, v) 상기 화학식 18의 R51 내지 R58 중 적어도 하나, 및 vi) 상기 화학식 19의 R61 내지 R68 중 적어도 하나는, -F, 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C20알킬기, 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C20알콕시기, -O-(CF2CF(CF3)-O)n-(CF2)m-Q2 및 -(OCF2CF2)x-Q3 중에서 선택된다
9 9
제1항에 있어서,상기 제1 불소계 물질 및 제2 불소계 물질이 서로 독립적으로, 하기 화학식 20으로 표시되는 불화 올리고머인, 금속 할라이드 페로브스카이트 발광소자:003c#화학식 20003e#상기 화학식 20 중,X는 말단기이고;Mf는 퍼플루오로폴리에테르 알코올, 폴리이소시아네이트 및 이소시아네이트 반응성-비불소화 모노머의 축합 반응으로부터 수득한 불화 모노머로부터 유래된 단위를 나타내고;Mh는 비불소화 모노머로부터 유래된 단위를 나타내고;Ma는 -Si(Y4)(Y5)(Y6)으로 표시되는 실릴기를 갖는 단위를 나타내고;상기 Y4, Y5 및 Y6는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기 또는 가수분해성 치환기를 나타내고, 상기 Y4, Y5 및 Y6 중 적어도 하나는 상기 가수분해성 치환기이고; G는 사슬전달제(chain transfer agent)의 잔기를 포함한 1가 유기 그룹이고;n은 1 내지 100의 수이고;m은 0 내지 100의 수이고;r은 0 내지 100의 수이고;n+m+r은 적어도 2이다
10 10
제1항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 도전층과 상기 표면 에너지-제어층 사이에 위치하는 중간층을 더 포함하고,상기 중간층은 상기 제1 불소계 물질 및 상기 제2 불소계 물질을 포함하며,상기 제1 불소계 물질과 상기 제2 불소계 물질이 서로 상이한 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 발광소자
11 11
제10항에 있어서,상기 중간층에 포함된 제1 불소계 물질 및 제2 불소계 물질의 농도는 상기 표면 에너지-제어층에서 상기 도전층을 향하는 방향에 따라 감소하는 구배를 갖는 금속 할라이드 페로브스카이트 발광소자
12 12
제1항에 있어서, 상기 도전층은 탄소나노튜브, 그라펜, 환원된 산화그라펜, 금속 나노와이어, 금속 카본 나노점, 반도체 양자점(semiconductor quantum dot), 반도체 나노와이어 및 금속 나노점 중에서 선택된 적어도 하나의 첨가제를 더 포함하는 금속 할라이드 페로브스카이트 발광소자
13 13
제1항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 도전층 하부에 위치하는 전도성 박막 보조층을 더 포함하고,상기 전도성 박막 보조층은 전도성 고분자, 금속성 탄소나노튜브, 그라펜 (graphene), 환원된 산화그라펜(reduced graphene oxide), 금속 나노와이어, 금속 그리드(metal grid), 카본 나노점(carbon nanodot), 반도체 나노와이어 및 금속 나노점 중 선택된 적어도 하나를 포함하는 금속 할라이드 페로브스카이트 발광소자
14 14
제1항에 있어서,상기 금속 할라이드 페로브스카이트 물질은 ABX3, A2BX4, ABX4 또는 An-1PbnI3n+1(n은 2 내지 6사이의 정수)의 조성을 가지고,상기 A는 1가의 유기 양이온 또는 1가의 금속 양이온이고,상기 B는 2가의 금속 이온이고,상기 X는 1가의 할라이드 이온인 금속 할라이드 페로브스카이트 발광소자
15 15
제14항에 있어서,상기 A는 아미디니움계 유기 이온, 유기 암모니움 양이온 또는 1가의 알칼리 금속 양이온이고,상기 B는 Pb, Mn, Cu, Ga, Ge, In, Al, Sb, Bi, Po, Sn, Eu, Yb, Ni, Co, Fe, Cr, Pd, Cd, Ca, Sr, 또는 이들의 조합이고,상기 X는 Cl, Br, I, 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자
16 16
기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 금속 할라이드 페로브스카이트 발광층 용액을 코팅하는 단계;상기 금속 할라이드 페로브스카이트 발광층 용액이 증발되기 전에 저분자 유기물이 포함된 유기용매를 떨어뜨려 결정입자가 조절된 발광층을 형성하는 단계; 및상기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 전극은 도전층 및 상기 도전층 상에 위치하는 표면 에너지-제어층을 포함하고,상기 도전층은 전도성 고분자 및 제1 불소계 물질을 포함하고,상기 표면 에너지-제어층은 상기 전도성 고분자가 배제되며 표면 에너지와 일함수를 제어하기 위한 제2 불소계 물질을 포함하고,상기 금속 할라이드 페로브스카이트 발광층 용액은 금속 할라이드 페로브스카이트 물질 및 극성 유기 용매를 포함하고,상기 극성 유기 용매는 디메틸설폭사이드 또는 디메틸포름아마이드인 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 발광소자 제조방법
17 17
제16항에 있어서, 상기 제1 전극을 형성하는 단계는,상기 기판 상에 전도성 고분자, 제1 불소계 물질 및 제1 용매를 포함한 제1 혼합물을 제공한 후, 상기 제1 용매의 일부 이상을 제거하여 도전층을 형성하는 단계; 및상기 도전층 상에 제2 불소계 물질 및 제2 용매를 포함한 제2 혼합물을 제공한 후, 상기 제2 용매의 일부 이상을 제거하여 표면 에너지-제어층을 형성하는 단계를 포함하는 금속 할라이드 페로브스카이트 발광소자 제조방법
18 18
제16항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 도전층과 상기 표면 에너지-제어층 사이에 위치하는 중간층을 더 포함하고,상기 중간층은 상기 제1 불소계 물질 및 상기 제2 불소계 물질을 포함하며,상기 제1 불소계 물질과 상기 제2 불소계 물질이 서로 상이한 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 발광소자 제조방법
19 19
제18항에 있어서,상기 제1 전극을 형성하는 단계는,상기 기판 상에 전도성 고분자, 제1 불소계 물질 및 제1 용매를 포함한 제1 혼합물을 제공한 후, 상기 제1 용매의 일부 이상을 제거하여 도전층을 형성하는 단계; 및상기 도전층 상에 제2 불소계 물질 및 제2 용매를 포함한 제2 혼합물을 제공한 후, 상기 제2 용매의 일부 이상을 제거하여 중간층 및 표면 에너지-제어층을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 금속 할라이드 페로브스카이트 발광소자 제조방법
20 20
제19항에 있어서,상기 도전층 상에 상기 제2 혼합물을 제공 시, 상기 전도성 고분자, 상기 제1 불소계 물질, 상기 제2 불소계 물질 및 제2 용매를 포함한 제1층 및 상기 제1층 상에 상기 제2 불소계 물질 및 상기 제2 용매를 포함한 제2층이 형성되고,상기 제2 용매를 제거함으로써, 상기 전도성 고분자, 상기 제1 불소계 물질 및 상기 제2 불소계 물질을 포함한 중간층과 상기 제2 불소계 물질을 포함하되 상기 전도성 고분자를 비포함한 표면 에너지-제어층이 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 발광소자 제조방법
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