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스핀 열전 소자 및 이의 제조방법(SPIN THERMOELECTRIC AND THE FABRICATION METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2017012918
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 스핀 열전 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, YIG 재료를 혼합하고, 졸-겔법에 의해 YIG 파우더가 형성되는 단계; 상기 YIG 파우더를 칼시네이션 공정에 의해 1차 열처리하여 결정화하는 단계; 상기 열처리된 YIG 파우더가 프레싱 공정에 의해 YIG 필렛으로 형성되는 단계; 상기 YIG 필렛을 신터링 공정에 의해 2차 열처리하여 자성특성을 갖는 열전층을 제조하는 단계; 및 상기 열전층 상에 전극층을 형성하는 단계;를 포함하되, 상기 2차 열처리하는 단계에서, 상기 2차 열처리 온도는 1400℃로 상기 1차 열처리 온도보다 높은 스핀 열전 소자의 제조방법이다.
Int. CL H01L 35/02 (2017.08.03) H01L 35/34 (2017.08.03) H01L 35/28 (2017.08.03) H01L 35/14 (2017.08.03)
CPC
출원번호/일자 1020170095244 (2017.07.27)
출원인 울산과학기술원, 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0091071 (2017.08.08) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2015-0083883 (2015.06.15)
관련 출원번호 1020150083883
심사청구여부/일자 Y (2017.07.27)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이기석 대한민국 울산광역시 울주군
2 백정민 대한민국 울산광역시 울주군
3 장민선 대한민국 울산광역시 북구
4 백승협 대한민국 서울특별시 성북구
5 최원준 대한민국 서울특별시 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장한특허법인 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, **층 (서초동, 서초지웰타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
2 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2017.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0724274-64
2 등록결정서
Decision to grant		 2017.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0600367-84
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148444-43
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
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번호 청구항
1 1
YIG 재료를 혼합하고, 졸-겔법에 의해 YIG 파우더가 형성되는 단계;상기 YIG 파우더를 칼시네이션 공정에 의해 1차 열처리하여 결정화하는 단계;상기 열처리된 YIG 파우더가 프레싱 공정에 의해 YIG 필렛으로 형성되는 단계;상기 YIG 필렛을 신터링 공정에 의해 2차 열처리하여 자성특성을 갖는 열전층을 제조하는 단계; 및상기 열전층 상에 전극층을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 2차 열처리하는 단계에서,상기 2차 열처리 온도는 1400℃로 상기 1차 열처리 온도보다 높은 스핀 열전 소자의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 1차 열처리하는 단계에서,상기 1차 열처리 온도는 850℃이고, 상기 칼시네이션 공정은 850℃로 2시간동안 수행되는 스핀 열전 소자의 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 2차 열처리하는 단계에서,상기 신터링 공정은 1400℃로 2시간동안 수행되는 스핀 열전 소자의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 졸-겔법에 의해 YIG 파우더가 형성되는 단계에서,상기 YIG 재료는 물에 구연산이 혼합된 용액에 질산이트륨(Yttrium nitrate)과 질산철(Iron nitrate)을 혼합하여 저온에서 합성된 스핀 열전 소자의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 전극층은 포토리소그래피(Photolithography) 공정과 DC 스퍼터링 공정에 의해서 형성된 스핀 열전 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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1 KR1020160147314 KR 대한민국 FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 신진연구 순수 스핀 전류를 이용한 신개념의 정보 전달/처리 소자 기반 기술