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효율적인 종형 유기 전계 발광 트랜지스터 소자 및 그 제조방법(Efficient vertical type organic light-emitting transistor devices)

  • 기술번호 : KST2017013154
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 Dirac point energy가 미리 조절된 저차원 전자구조의 전도 전극을 포함하는 종형 트랜지스터(vertical type transistor)의 구조를 가짐으로서, 저차원 전자구조의 전극과 주변의 반도체 층 사이의 쇼트키 배리어 에너지 준위(VSBH)를 치우치게 조절하여, 게이트 전위(VG) 유도 VSBH(VG)의 최소값이 VSBH(VG=0V) 보다 작은 것을 특징으로 하며, 전류 흐름, 발광 휘도 및 발광 효율뿐만 아니라 On/Off 비율도 우수한 종형 유기 전계발광 트랜지스터 소자 및 종형 트랜지스터 소자가 개시된다. 상기 종형 트랜지스터 소자는, 서로 대향 배치되며, 외부 전원으로부터 전류를 공급 받아, 정공 및 전자를 각각 공급하는 소스 및 드레인 전극; 상기 소스 및 드레인 전극 사이에 위치하며, 공급 받은 정공 및 전자로 전자-정공 여기자를 생성하고 발광하는 발광층; 상기 소스 및 드레인 전극으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 상대전극 외부의 표면에 순차적으로 형성된 절연막 및 제 3 게이트 전극을 포함하되, 상기 제 3 게이트 전극에 상기 상대전극에 대한 전압이 인가되어, 전류 흐름 및 EL 발광 현상을 조절하는 역할이 수행되며, 상기 상대전극은 저차원 전자구조를 갖는 전도 전극으로, 물리 화학적 선처리(또는 선처리)로 자체의 고유 Dirac point energy를 미리 조절한 상태로 소자에 채용되어, 상대전극의 전기장-유도 페르미 준위 이동이 효율적이며 고비율의 On/Off 비율로 조절되도록 한다.
Int. CL H01L 51/52 (2017.08.03) H01L 51/50 (2017.08.03) H01L 51/56 (2017.08.03) H01L 29/16 (2017.08.03)
CPC
출원번호/일자 1020170095271 (2017.07.27)
출원인 광운대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0092141 (2017.08.10) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2015-0190428 (2015.12.30)
관련 출원번호 1020150190428
심사청구여부/일자 Y (2017.07.27)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병주 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주은희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** 선릉엘지에클라트 B-***(아이디어로특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2017.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0724533-95
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0622485-78
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2017-1095096-80
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.12.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1208077-30
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-1208103-30
6 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2017.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0901475-33
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.02.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0189659-12
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2018-0189677-34
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0192007-93
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.04.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0398689-28
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2018-0398690-75
12 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0284853-72
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번호 청구항
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서로 대향 배치되며, 전류를 공급 받아 정공 또는 전자를 각각 공급하는 소스 및 드레인 전극;상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 위치하는 무기 반도체 층;상기 소스 및 드레인 전극으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 상대전극 외부 표면에 순차적으로 형성된 절연막 및 제 3 게이트 전극을 포함하며, 상기 절연막은 상기 제 3 게이트 전극과 소스 또는 드레인 전극 사이의 전류의 흐름을 절연하여 통제하되,상기 절연막 및 제 3 게이트 전극과 인접한 소스 또는 드레인 전극은, 저차원 전자구조의 전도성 박막으로 형성되며, 자체 고유의 디락 포인트 에너지(Dirac point energy)를 물리 화학적으로 전처리하여 미리 조절한 것으로, 제 3 게이트 전극의 전위(VG)로 조절되는 상기 상대전극과 상대전극과 인접한 반도체 층 사이의 쇼트키 배리어 에너지 준위차 (VSBH(VG))의 최소치가 VSBH(VG=0V) 보다 작은 것을 특징으로 하는 종형 트랜지스터 소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101765402 KR 대한민국 FAMILY

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