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비트라인;다수의 소스라인상기 비트라인과 상기 다수의 소스라인 사이에 연결되며 각각 자기 저항 소자 및 상기 자기 저항 소자에 직렬 연결되며 워드라인 신호에 의해 스위칭되는 스위칭 소자를 포함하는 다수의 일반 셀;상기 비트라인에 연결된 더미 셀; 및상기 비트라인과 상기 자기 저항 소자에 인접하는 면에 형성되는 스핀홀 효과 물질층을 포함하되, 상기 자기 저항 소자는 상기 더미 셀을 통해 흐르고 상기 자기 저항 소자에 수평인 방향으로 흐르는 제 1 전류와 상기 자기 저항 소자를 관통하여 흐르는 제 2 전류에 따라 데이터를 기록하는 자기 메모리 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 더미 셀은 상기 비트라인에 연결된 더미 저항 소자 및 상기 저항에 연결된 더미 스위칭 소자를 포함하는 자기 메모리 장치
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청구항 2에 있어서, 상기 제 1 전류는 상기 더미 저항 소자의 저항값에 따라 가변되는 자기 메모리 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 비트라인에 전류를 공급하거나 상기 비트라인에서 전류를 싱크하는 제 1 구동부를 더 포함하는 자기 메모리 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 다수의 소스라인 중 어느 하나에 전류를 공급하거나 상기 다수의 소스라인 중 어느 하나로부터의 전류를 싱크하는 제 2 구동부를 더 포함하는 자기 메모리 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 더미 셀에 전류를 공급하거나 상기 더미 셀로부터의 전류를 싱크하는 제 3 구동부를 더 포함하는 자기 메모리 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 제 1 전류 및 상기 제 2 전류의 방향은 상기 자기 저항 소자에 기록할 데이터에 따라 제어되는 자기 메모리 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 자기 저항 소자는 상기 비트라인에 인접한 위치에 형성되는 자유층을 포함하는 MTJ 소자인 자기 메모리 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 자기 메모리 장치는 상기 비트라인을 공유하는 상기 다수의 일반 셀들 단위로 쓰기 동작을 수행하되 상기 쓰기 동작은 상기 다수의 일반 셀들 전체에 제 1 데이터를 기록하는 제 1 동작과 상기 다수의 일반 셀들 중 일부 셀에 제 2 데이터를 기록하는 제 2 동작을 포함하는 자기 메모리 장치
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청구항 9에 있어서, 상기 제 1 데이터는 쓰기 요청된 데이터 중 비트의 개수가 더 많은 데이터인 자기 메모리 장치
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청구항 9에 있어서, 상기 제 1 동작시 상기 다수의 일반 셀들에 포함된 상기 스위칭 소자는 턴오프 상태인 자기 메모리 장치
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청구항 9에 있어서, 상기 제 2 동작시 상기 다수의 일반 셀들 중 어느 하나에 포함된 상기 스위칭 소자는 턴온 상태인 자기 메모리 장치
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비트라인;다수의 소스라인상기 비트라인과 상기 다수의 소스라인 사이에 연결되며 각각 자기 저항 소자 및 상기 자기 저항 소자에 직렬 연결되며 워드라인 신호에 의해 스위칭되는 스위칭 소자를 포함하는 다수의 자기 메모리 셀;상기 비트라인과 상기 자기 저항 소자가 인접하는 면에 형성되는 스핀홀 효과 물질층;상기 비트라인의 제 1 단에 연결되어 상기 비트라인에 전류를 공급하거나 상기 비트라인에서 전류를 싱크하는 제 1 구동부; 및상기 비트라인의 제 2 단에 연결되어 상기 비트라인에 전류를 공급하거나 상기 비트라인에서 전류를 싱크하는 제 4 구동부를 포함하되, 상기 자기 저항 소자는 상기 자기 저항 소자에 수평인 방향으로 흐르는 제 1 전류와 상기 자기 저항 소자를 관통하여 흐르는 제 2 전류에 따라 데이터를 기록하는 자기 메모리 장치
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청구항 13에 있어서, 상기 다수의 소스라인 중 어느 하나에 전류를 공급하거나 상기 다수의 소스라인 중 어느 하나로부터의 전류를 싱크하는 제 2 구동부를 더 포함하는 자기 메모리 장치
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청구항 13에 있어서, 상기 제 1 전류 및 상기 제 2 전류의 방향은 상기 자기 저항 소자에 기록할 데이터에 따라 제어되는 자기 메모리 장치
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청구항 13에 있어서, 상기 자기 저항 소자는 상기 비트라인에 인접한 위치에 형성되는 자유층을 포함하는 MTJ 소자인 자기 메모리 장치
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청구항 13에 있어서, 상기 자기 메모리 장치는 상기 비트라인을 공유하는 상기 다수의 자기 메모리 셀들 단위로 쓰기 동작을 수행하되 상기 쓰기 동작은 상기 다수의 자기 메모리 셀들 전체에 제 1 데이터를 기록하는 제 1 동작과 상기 다수의 자기 메모리 셀들 중 일부에 제 2 데이터를 기록하는 제 2 동작을 포함하는 자기 메모리 장치
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공통의 비트라인과 다수의 소스라인 사이에 연결되며 각각 자기 저항 소자 및 상기 자기 저항 소자에 직렬 연결되며 워드라인 신호에 의해 스위칭되는 스위칭 소자를 포함하는 다수의 자기 메모리 셀을 포함하는 자기 메모리 장치의 동작 방법으로서,상기 공통의 비트라인에 연결된 상기 다수의 자기 메모리 셀들에 대하여 쓰기 요청된 데이터 중 비트의 개수가 더 많은 제 1 데이터를 찾는 제 1 단계;상기 제 1 데이터를 상기 다수의 자기 메모리 셀들 전체에 기록하는 제 2 단계; 및상기 제 1 데이터가 아닌 제 2 데이터를 상기 다수의 자기 메모리 셀들 중 일부에 기록하는 제 3 단계를 포함하되,상기 다수의 자기 메모리 셀들은 각각 내부의 자기 저항 소자에 수평인 방향으로 흐르는 전류와 상기 내부의 자기 저항 소자를 관통하여 흐르는 전류 중 적어도 하나에 따라 데이터를 기록하는 자기 메모리 장치의 동작 방법
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청구항 18에 있어서, 상기 제 2 단계는 상기 다수의 자기 메모리 셀들에 포함된 자기 저항 소자들을 관통하는 전류 경로를 차단하는 단계 및상기 공통의 비트라인을 통해 상기 다수의 자기 메모리 셀들에 포함된 자기 저항 소자들에 평행한 방향의 전류를 인가하는 단계를 포함하는 자기 메모리 장치의 동작 방법
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청구항 18에 있어서, 상기 제 3 단계는상기 일부 중 어느 하나의 자기 메모리 셀에 포함된 자기 저항 소자를 관통하는 전류 경로를 형성하는 단계 및상기 어느 하나의 자기 메모리 셀에 포함된 자기 저항 소자를 관통하는 전류 및 상기 어느 하나의 자기 메모리 셀에 포함된 자기 저항 소자에 평행한 방향의 전류를 인가하는 단계를 포함하는 자기 메모리 장치의 동작 방법
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