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플렉시블 가스 센서 및 이의 제조 방법(Flexible gas sensor and producing method thereof)

  • 기술번호 : KST2017013234
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플렉시블 가스 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 플렉시블 기판을 기반으로 하여 범용성을 가지며, 기판과 전극간 우수한 접착성을 담보할 수 있는 플렉시블 가스 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 (a) 플렉시블 기판 상에 미리 결정된 패턴을 갖는 히터 전극을 형성하는 단계; (b) 상기 히터 전극 상의 미리 결정된 영역에 절연층을 형성하는 단계; (c) 상기 절연층 상에 미리 결정된 패턴을 갖는 감지 전극을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 감지 전극 상에 가스 감지층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 플렉시블 특성을 갖는 PI(Polyimide)기판 상에 히터 전극, 절연층, 감지 전극, 및 가스 감지층을 적층한 형태의 가스 센서를 제공 가능하므로 범용성을 가지며, 휘어짐과 같은 물리적 손상에 의해 전기적 특성 및 센서 감도 저하 등이 발생하지 않는 효과를 갖는다.
Int. CL G01N 27/04 (2016.03.23) G01N 27/12 (2016.03.23) G01N 27/16 (2016.03.23) G01N 33/00 (2016.03.23)
CPC G01N 27/04(2013.01) G01N 27/04(2013.01) G01N 27/04(2013.01) G01N 27/04(2013.01)
출원번호/일자 1020160013356 (2016.02.03)
출원인 한국산업기술대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0092252 (2017.08.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 대한민국 경기도 시흥시 산기대학로

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이희철 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 윤희수 대한민국 인천광역시 남구
3 이수연 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-0116172-21
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번호 청구항
1 1
(a) 플렉시블 기판 상에 미리 결정된 패턴을 갖는 히터 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 히터 전극 상의 미리 결정된 영역에 절연층을 형성하는 단계;(c) 상기 절연층 상에 미리 결정된 패턴을 갖는 감지 전극을 형성하는 단계; 및(d) 상기 감지 전극 상에 가스 감지층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 가스 센서의 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 (a) 단계는,(a1) 상기 플렉시블 기판 상에 상기 미리 결정된 패턴에 따라 포토 레지스트 층을 형성하는 단계;(a2) 상기 플렉시블 기판 표면을 플라즈마 처리하는 단계; 및(a3) 상기 플렉시블 기판 상에 전극 물질을 도포하여 상기 히터 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 가스 센서의 제조 방법
3 3
제 2항에 있어서,상기 (a3) 단계에서,상기 전극 물질은 Ti 및 Pt를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 가스 센서의 제조 방법
4 4
제 3항에 있어서,상기 (a3) 단계는,(a31) 상기 플렉시블 기판 상에 상기 Ti가 포함된 제1 물질층을 형성하는 단계; 및(a32) 상기 제1 물질층 상에 상기 Pt가 포함된 제2 물질층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 가스 센서의 제조 방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 (b) 단계에서,상기 절연층은 Al2O3 소재로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 가스 센서의 제조 방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 (c) 단계는,(c1) 상기 절연층 상에 상기 미리 결정된 패턴에 따라 포토 레지스트 층을 형성하는 단계; 및(c2) 상기 절연층 상에 전극 물질을 도포하여 상기 감지 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 가스 센서의 제조 방법
7 7
제 6항에 있어서,상기 전극 물질은 Ti 및 Pt를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 가스 센서의 제조 방법
8 8
제 7항에 있어서,상기 (c2) 단계는,(c21) 상기 절연층 상에 상기 Ti가 포함된 제3 물질층을 형성하는 단계; 및(c22) 상기 제3 물질층 상에 상기 Pt가 포함된 제4 물질층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 가스 센서의 제조 방법
9 9
제 1항에 있어서,상기 (d) 단계는,(d1) 상기 감지 전극의 상부면 및 상기 절연층의 노출면을 플라즈마 처리하는 단계; 및(d2) 상기 감지 전극의 상부면 및 상기 절연층의 노출면에 상기 가스 감지층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 가스 센서의 제조 방법
10 10
제 1항에 있어서,상기 (a) 단계에서,상기 플렉시블 기판은 PI(Polymide) 기판인 것을 특징으로 하는 플렉시블 가스 센서의 제조 방법
11 11
제 1항에 있어서,상기 (d) 단계에서,상기 가스 감지층은 SnO2 소재로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 가스 센서의 제조 방법
12 12
플렉시블 기판;상기 플렉시블 기판 상에 형성되는 히터 전극;상기 히터 전극 상의 미리 결정된 영역에 형성되는 절연층;상기 절연층 상에 형성되는 감지 전극; 및상기 감지 전극 상에 형성되는 가스 감지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 가스 센서
13 13
제 12항에 있어서,상기 히터 전극은 일단 및 타단에 각각 구비되는 제1 단자부 및 제2 단자부, 상기 제1 단자부 및 상기 제2 단자부 사이에 미리 결정된 간격을 갖도록 복수 개가 구비되는 핑거부, 및 상기 복수 개의 핑거부 각각의 전단 또는 후단에 구비되어 상기 제1 단자부, 상기 복수 개의 핑거부, 및 상기 제2 단자부를 전기적으로 연결하는 연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 가스 센서
14 14
제 12항에 있어서,상기 감지 전극은 전단 및 후단에 각각 구비되는 제1 지지부 및 제2 지지부, 상기 제1 지지부 후측에 복수 개가 돌출 형성되며 각각 미리 결정된 간격을 갖도록 이격되어 구비되는 제1 핑거부, 상기 제2 지지부 전측에 복수 개가 돌출 형성되며 각각 미리 결정된 간격을 갖도록 이격되어 구비되는 제2 핑거부를 포함하고,상기 제1 핑거부 및 상기 제2 핑거부는 서로 미리 결정된 간격을 갖도록 이격되어 구비되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 가스 센서
15 15
제 12항에 있어서,상기 플렉시블 기판은 PI(Polymide) 기판인 것을 특징으로 하는 플렉시블 가스 센서
16 16
제 12항에 있어서,상기 감지층은 SnO2 소재로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 가스 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국산업기술대학교 산학협력단 기업연계형 연구개발 인력양성사업 융합정보기기소재부품 분야 연구개발 인력양성사업(2차)