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탄소나노튜브-함유 수성 분산액, 계면활성제, 및 유기 용매를 포함하여 유중수형(water-in-oil type) 에멀젼을 형성하는 단계;상기 유중수형 에멀젼 중 수성 액적 내 물을 증발시켜 밀집된 탄소나노튜브 입자를 수득하는 단계; 및상기 밀집된 탄소나노튜브 입자를 질소로 도핑하는 단계 를 포함하는, 질소-도핑된 밀집된 탄소나노튜브 입자의 제조 방법으로서,상기 질소로 도핑하는 단계는 상기 밀집된 탄소나노튜브 입자에 질소-함유 화합물을 첨가하여 소결하는 것에 의해 수행되는 것이며,상기 질소-도핑된 밀집된 탄소나노튜브 입자는 질소가 도핑되지 않은 밀집된 탄소나노튜브 입자보다 향상된 비정전용량을 갖는 것인,질소-도핑된 밀집된 탄소나노튜브 입자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 질소-도핑된 밀집된 탄소나노튜브 입자는 구형인 것인, 질소-도핑된 밀집된 탄소나노튜브 입자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 유기 용매는 탄소수 C10 내지 C20의 지방족 알칸류, 미네랄 오일, 실리콘 오일, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 질소-도핑된 밀집된 탄소나노튜브 입자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 소결은 300℃ 내지 700℃의 온도 범위에서 수행되는 것인, 질소-도핑된 밀집된 탄소나노튜브 입자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 질소-함유 화합물은 우레아류, 아민류, 이민류, 나이트릴류, 피롤류, 다이아졸류, 트라이아졸류, 피리딘류, 다이아진류, 트라이아진류, 및 이들의 유도체들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 질소-도핑된 밀집된 탄소나노튜브 입자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 질소-함유 화합물의 양을 조절함으로써 질소-도핑된 밀집된 탄소나노튜브 입자의 질소 도핑 비율 및/또는 질소 관능기의 종류가 제어되는 것인, 질소-도핑된 밀집된 탄소나노튜브 입자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 질소-도핑된 밀집된 탄소나노튜브 입자에 함유된 질소와 탄소의 원자 비율 N/C 은 1 내지 20%인, 질소-도핑된 밀집된 탄소나노튜브 입자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 질소-도핑된 밀집된 탄소나노튜브 입자는 계층적 다공성 구조를 가지는 것인, 질소-도핑된 밀집된 탄소나노튜브 입자의 제조 방법
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질소-도핑된 밀집된 탄소나노튜브 입자를 포함하며, 계층적 다공성을 갖는, 질소-도핑된 밀집된 탄소나노튜브 입자를 포함하는 재료로서,상기 질소-도핑된 밀집된 탄소나노튜브 입자는 제 1 항, 제 3 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항의 제조 방법에 따라 제조되는 것이며,상기 질소로 도핑하는 단계는 상기 밀집된 탄소나노튜브 입자에 질소-함유 화합물을 첨가하여 소결하는 것에 의해 수행되는 것이고,상기 질소-도핑된 밀집된 탄소나노튜브 입자는 질소가 도핑되지 않은 밀집된 탄소나노튜브 입자보다 향상된 비정전용량을 갖는 것인,질소-도핑된 밀집된 탄소나노튜브 입자를 포함하는 재료
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제 10 항에 있어서,상기 질소-도핑된 밀집된 탄소나노튜브 입자에 함유된 질소와 탄소의 원자 비율 N/C 은 1 내지 20%인, 질소-도핑된 밀집된 탄소나노튜브 입자를 포함하는 재료
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제 10 항에 따른 질소-도핑된 밀집된 탄소나노튜브 입자를 포함하는 재료를 포함하는, 수퍼캐패시터 전극
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제 14 항에 있어서, 상기 수퍼캐패시터 전극의 비정전용량은 100 F/g 이상인 것인, 수퍼캐패시터 전극
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