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(a) 방사선 차폐 나노입자 및 (b) 열가소성(thermoplastic) 고분자를 포함하는 방사선 차폐재 제조용 조성물
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제 1 항에 있어서, 상기 방사선은 α선, β선, X-선, 중성자선(neutron rays) 또는 γ선인 것을 특징으로 하는 조성물
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제 2 항에 있어서, 상기 방사선은 중성자선인 것을 특징으로 하는 조성물
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제 1 항에 있어서, 상기 방사선 차폐 나노입자는 가돌리늄(Gd), 붕소(B), 은(Ag), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 디스프로슘(Dy) 및 카드뮴(Cd)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나, 또는, 이의 탄화물, 산화물 또는 질화물, 또는 붕화금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물
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제 4 항에 있어서, 상기 방사선 차폐 나노입자는 가돌리늄, 가돌리늄의 탄화물, 산화물 또는 질화물인 것을 특징으로 하는 조성물
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제 4 항에 있어서, 상기 방사선 차폐 나노입자는 가돌리늄 산화물인 것을 특징으로 하는 조성물
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제 1 항에 있어서, 상기 방사선 차폐 나노입자는 방사선 차폐 필라멘트 제조용 조성물 100 중량부에 대하여 1 내지 20 중량부인 것을 특징으로 하는 조성
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제 1 항에 있어서, 상기 열가소성 고분자는 폴리카프로락톤(polycaprolactone), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리프로필렌(polypropylene), 폴리에스테르(polyester), 폴리에테르에테르케톤(polyetheretherketone), 폴리아미드(polyamide), 폴리스티렌(polystyrene), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리유산(polylactic acid), 폴리비닐 아세테이트(polyvinyl acetate), 폴리염화비닐(polyvinyl chloride), 폴리우레탄(polyurethanes), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리염화비닐리덴(polyvinylidene chloride), 폴리테트라플루오르에틸렌(polytetrafluoroethylene) 및 폴리에테르이미드(polyetherimide) 및 폴리알킬렌 글리콜(polyalkylene glycols)로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상의 열가소성 고분자인 것을 특징으로 하는 조성물
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제 8 항에 있어서, 상기 열가소성 고분자는 폴리카프로락톤인 것을 특징으로 하는 조성물
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제 1 항에 있어서, 상기 방사선 차폐재 제조용 조성물은 3D 프린팅 방식의 필라멘트(filament)로 적용되는 것을 특징으로 하는 조성물
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다음의 단계를 포함하는 방사선 차폐재 제조용 조성물의 제조방법:(a) 열가소성(thermoplastic) 고분자 펠렛의 표면에 방사선 차폐 나노입자를 코팅하는 단계; 및(b) 상기 단계 (a)의 결과물을 사출하여 방사선 차폐재 제조용 조성물을 제조하는 단계
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제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항의 방사선 차폐재 제조용 조성물을 포함하는 방사선 차폐 필라멘트
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