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(a) 다중층의 이황화몰리브덴층을 형성하는 단계; 및(b) 상기 이황화몰리브덴층을 산소 플라즈마 처리하여 삼산화몰리브덴층을 포함하는 박막을 제조하는 단계;를 포함하고,상기 삼산화몰리브덴층 표면의 평편도(roughness)가 0
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제1항에 있어서,상기 삼산화몰리브덴층의 두께가 0
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제4항에 있어서,단계 (a)에서, 상기 이황화몰리브덴층이 이중층의 이황화몰리브덴층이고,단계 (b)에서, 상기 박막이 단일층의 이황화몰리브덴층과, 상기 이황화몰리브덴층 상에 단일층의 삼산화몰리브덴층을 포함하는 것을 특징으로 하는 삼산화몰리브덴층을 포함하는 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,단계 (b)에서 상기 산소 플라즈마 처리는, 상기 이황화몰리브덴층과 산소 플라즈마에 의한 불꽃과의 거리를 조절함으로써 삼산화몰리브덴 박막의 형태를 조절하는 것을 특징으로 하는 박막의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 삼산화몰리브덴 박막의 형태는 표면이 매끄러운 시트형, 주름이 형성된 시트형 및 나노 입자형 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 박막의 제조방법은단계 (b)가, (b-1) 상기 이황화몰리브덴층을 플라즈마 장치 내에 고정시키는 단계;(b-2) 상기 플라즈마 장치에 산소기체를 주입하는 단계; 및(b-3) 상기 플라즈마 장치에 전력을 공급하여 산소 플라즈마를 형성함으로써, 상기 이황화몰리브덴층을 산소 플라즈마 처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,단계 (a)가 기판 상에 다중층의 이황화몰리브덴층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 박막의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 기판은 표면이 산화된 실리콘 산화물을 포함하는 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,단계 (a)에서, 고체 이황화몰리브덴을 기계적 박리하여 이황화몰리브덴층을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막의 제조방법
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제9항에 있어서,단계 (b-2) 이전에,상기 플라즈마 장치 내 기압이 10-1 내지 10-6Torr인 것을 특징으로 하는 박막의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 전력이 저주파 발전기를 이용하여 발생시킨 것을 특징으로 하는 박막의 제조방법
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제9항에 있어서,단계 (b-2) 에서, 상기 플라즈마 장치를 200 내지 800mTorr의 산소기체 분위기가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 박막의 제조방법
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제9항에 있어서,단계 (b-3) 에서, 상기 전력이 1 내지 200W인 것을 특징으로 하는 박막의 제조방법
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제9항에 있어서,단계 (b-3) 에서, 상기 전력이 10 내지 1,000초 동안 공급되는 것을 특징으로 하는 박막의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 이황화몰리브덴층과 산소 플라즈마에 의한 불꽃과의 거리가 0 내지 40cm 인 것을 특징으로 하는 박막의 제조방법
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제1항의 박막의 제조방법을 포함하는 전자소자의 제조방법
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제19항에 있어서,상기 전자소자가 박막 커패시터, 박막 트랜지스터 및 박막 가스 센서 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조방법
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