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수소 처리된 NbO2 박막, NbO2 박막의 제조방법 및 NbO2 박막을 구비한 전자소자의 제조방법(HYDROGEN TREATED NbO2 THIN FILM, METHOD OF FABRICATING THE NbO2 THIN FILM AND ELECTROIC ELEMENT COMPRISING THE NbO2 THIN FILM)

  • 기술번호 : KST2017013397
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수소 도핑 처리를 통해 상온에서도 균일하게 전압 인가 IMT(Insulator-to-Metal transition) 현상을 구현할 수 있어, ReRAM의 셀렉터 장치와 같은 전자소자에 적합하게 사용될 수 있는 기술에 관한 것이다.본 발명에 따른 NbO2 박막은 수소가 도핑되어 있는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 45/00 (2016.03.18)
CPC H01L 45/146(2013.01)H01L 45/146(2013.01)H01L 45/146(2013.01)H01L 45/146(2013.01)
출원번호/일자 1020160014804 (2016.02.05)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0093428 (2017.08.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.02.05)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강민국 대한민국 서울특별시 노원구
2 손준우 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 유상배 대한민국 경기도 안산시 단원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0127114-41
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0075179-04
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0358330-39
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0707797-87
6 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination		 2017.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0181783-70
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0084975-08
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
수소가 도핑되어 있는 NbO2 박막
2 2
제1항에 있어서,상기 NbO2 박막은 셀렉터 장치용인 것을 특징으로 하는 NbO2 박막
3 3
제1항에 있어서,상기 NbO2 박막은 전압 인가 IMT 특성이 0℃~200℃에서 나타나는 것을 특징으로 하는 NbO2 박막
4 4
제1항에 있어서,상기 NbO2 박막은 ReRAM용인 것을 특징으로 하는 NbO2 박막
5 5
물리기상증착법으로 NbO2 박막을 형성하는 방법으로,Nb 산화물로 이루어진 타겟을 사용하여, 수소를 포함하는 형성가스(forming gas)를 사용하여 제조하는 것을 특징으로 하는 NbO2 박막의 제조방법
6 6
제5항에 있어서,상기 Nb 산화물은 Nb2O5인 것을 특징으로 하는 NbO2 박막의 제조방법
7 7
제5항에 있어서,상기 형성가스는 10%의 H2와 90%의 N2의 혼합가스인 것을 특징으로 하는 NbO2 박막의 제조방법
8 8
제5항에 있어서,상기 형성가스에 포함되는 수소의 유량은 0
9 9
제5항에 있어서,상기 물리기상증착법은 스퍼터링법인 것을 특징으로 하는 NbO2 박막의 제조방법
10 10
제5항에 있어서,상기 NbO2 박막은 0℃~200℃에서 전압 인가 IMT 특성을 나타나는 것을 특징으로 하는 NbO2 박막의 제조방법
11 11
하부전극을 형성하는 단계;상기 하부전극상에 NbO2 박막을 형성하는 단계; 및 상기 NbO2 박막상에 상부전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 NbO2 박막의 형성시 형성가스는 수소를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조방법
12 12
제11항에 있어서,상기 하부전극 또는 상부전극이 Pt, Pd 또는 Au로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조방법
13 13
제11항에 있어서,상기 전자소자는 셀렉터 장치인 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 포항공과대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업(산업기술) 차세대 메모리용 RRAM 기술 (선택소자)