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기판;상기 기판 상에 위치하는 하부 전극층;상기 하부 전극층 상에 위치하고, 전도성 필라멘트의 생성 및 소멸에 따른 저항변화를 가지는 저항변화층; 및상기 저항변화층 상에 위치하고, 상기 전도성 필라멘트 생성 및 소멸에 관여하는 활성 금속 이온을 포함하는 상부 전극층을 포함하고,상기 저항변화 층은, 상기 하부 전극층 상에 위치하고 제1 전이금속 산화물을 포함하는 하부 저항변화층; 및 상기 하부 저항변화층 상에 위치하고 제2 전이금속 산화물을 포함하는 상부 저항변화층으로 이루어지고,상기 제2 전이금속 산화물은 상기 제1 전이금속 산화물에 비하여, 산소 함량이 더 적은 것을 특징으로 하고,상기 하부 저항변화층은 상기 상부 저항변화층 보다 상기 전도성 필라멘트를 구성하는 활성 금속 이온의 확산도가 높은 것을 특징으로 하고, 상기 제1 전이금속 산화물은 TiO2이고, 상기 제2 전이금속 산화물은 Al2Ox(2
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제1항에 있어서,상기 상부 저항변화층의 두께는 3nm 내지 5nm인 저항변화 메모리
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제1항에 있어서,상기 하부 저항변화층의 두께는 1nm 내지 2nm인 저항변화 메모리
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제1항에 있어서,상기 전도성 필라멘트는 상기 상부 전극층으로부터 침투된 활성 금속 이온의 산화환원 반응에 의해 생성 및 소멸되는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
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제1항에 있어서,상기 상부 전극층은 Cu, Ag, Ni 또는 Cr을 포함하는 것인 저항변화 메모리
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제1항에 있어서,상기 하부 전극층은 Pt, Ir, W, Au, Ru 또는 TiN 을 포함하는 것인 저항변화 메모리
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기판 상에 하부 전극층을 형성하는 단계;상기 하부 전극층 상에 제1 전이금속 산화물을 포함하는 하부 저항변화층을 형성하는 단계;상기 하부 저항변화층 상에 제2 전이금속 산화물을 포함하는 상부 저항변화층을 형성하는 단계; 및상기 상부 저항변화층 상에 상부 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 상부 저항변화층을 형성하는 단계에서, 산소 소스의 양을 조절하여, 상기 제2 전이금속 산화물은 상기 제1 전이금속 산화물보다 산소 함량이 적게 제조하는 것을 특징으로 하고,상기 하부 저항변화층은 상기 상부 저항변화층 보다 전도성 필라멘트를 구성하는 활성 금속 이온의 확산도가 높은 것을 특징으로 하고,상기 제1 전이금속 산화물은 TiO2이고, 상기 제2 전이금속 산화물은 Al2Ox(2
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제10항에 있어서,상기 상부 저항변화층은 3nm 내지 5nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 제조방법
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제10항에 있어서,상기 하부 저항변화층의 1nm 내지 2nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 제조방법
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