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기판 상에 배면전극 및 광흡수층이 순차적으로 배치된 기판 구조체를 형성하는 제 1 단계;상기 기판 구조체 상에 버퍼층으로 Zn(O,S) 박막을 스핀 코팅을 이용한 연속흐름반응기를 사용하여 형성하고 열처리 하는 제 2 단계; 및상기 Zn(O,S) 박막 상에 전면전극을 형성하는 제 3 단계;를 포함하되, 상기 박막을 열처리 하는 단계가 200℃의 온도에서 수행되어 구현된 상기 박막의 XRD 스펙트럼은 커플링된 ZnS의 피크와 ZnO의 피크가 나타나며, 상기 ZnS의 피크는 헥사고날(hexagonal) ZnS 구조체가 아닌 큐빅(cubic) ZnS 구조체의 결정면에 대응하며, 상기 ZnO의 피크는 헥사고날(hexagonal) ZnO 구조체의 결정면에 대응하는, 박막태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 몰리브데늄이 코팅된 유리 기판을 포함하고,상기 광흡수층은 구리, 인듐, 갈륨 및 셀레늄을 구비하는 화합물 또는 구리, 아연, 주석 및 황을 구비하는 화합물을 포함하는,박막태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 단계는 아연 전구체 용액, 황 전구체 용액 및 수산화물 이온을 함유하는 용액을 각각 준비하는 단계;상기 아연 전구체 용액, 황 전구체 용액 및 수산화물 이온을 함유하는 용액을 마이크로반응기(micro reactor)에서 혼합하여 혼합물을 준비하는 단계; 상기 혼합물이 상기 기판 구조체 상에서 연속적으로 형성될 수 있도록 스핀 코팅(spin coating) 방법을 이용하여 상기 혼합물을 상기 기판 구조체 상에 연속적으로 공급하되 상기 혼합물을 상기 기판 구조체 상에 충돌 분사시켜 박막을 형성하는 단계; 및상기 박막을 열처리 하는 단계;를 포함하는, 박막태양전지의 제조방법
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제 3 항에 있어서,상기 아연 전구체 용액은 황산아연 수화물(zinc sulfate hepta-hydrate, ZnSO4·7H2O), 황산아연(ZnSO4), 염화아연(ZnCl2), 질산아연(Zn(NO3)2) 및 초산아연 수화물(Zinc acetate dihydrate, (CH3COO)2Zn·2H2O) 중 적어도 어느 하나를 용매에 용해시켜 형성된, 박막태양전지의 제조방법
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제 3 항에 있어서,상기 황 전구체 용액은 치오우레아(thiourea, CH4N2S), 치오황산나트륨(Na2S2O3), 황화나트륨(Na2S) 및 황화수소(H2S) 중 적어도 어느 하나를 용매에 용해시켜 형성된, 박막태양전지의 제조방법
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제 3 항에 있어서,상기 수산화물 이온을 함유하는 용액은 수산화나트륨(NaOH), 수산화암모늄(NH4OH) 및 암모늄 아세테이트(NH4CH3CO2) 중 적어도 어느 하나를 용매에 용해시켜 형성된, 박막태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 단계는 황산아연 수화물(zinc sulfate hepta-hydrate, ZnSO4·7H2O), 치오우레아(thiourea, CH4N2S) 및 암모늄 아세테이트(ammonium acetate, NH4CH3CO2)를 물에 용해한 전구체 용액을 마이크로반응기(micro reactor)에서 혼합하여 혼합물을 준비하는 단계; 상기 혼합물이 상기 기판 구조체 상에서 연속적으로 형성될 수 있도록 스핀 코팅 방법을 이용하여 상기 혼합물을 상기 기판 구조체 상에 연속적으로 공급하되 상기 혼합물을 상기 기판 구조체 상에 충돌 분사시켜 박막을 형성하는 단계; 및상기 박막을 열처리 하는 단계;를 포함하는, 박막태양전지의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 황산아연 수화물(zinc sulfate hepta-hydrate, ZnSO4·7H2O)의 농도, 상기 치오우레아(thiourea, CH4N2S)의 농도, 및 상기 암모늄 아세테이트(ammonium acetate, NH4CH3CO2)의 농도는 물 100mL에서 각각 0
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제 7 항에 있어서,상기 박막을 열처리 하는 단계;는 200℃의 대기압 하에서 30분 동안 상기 박막을 열처리 하는 단계;를 포함하는, 박막태양전지의 제조방법
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