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기판;상기 기판 상에 위치하는 제1 전극;상기 하부 전극 상에 위치하되, 시냅스 모사 특성을 갖는 금속할라이드 페로브스카이트층; 및상기 금속할라이드 페로브스카이트층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하는 시냅스 소자
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제1항에 있어서,상기 시냅스 모사 특성은 상기 금속할라이드 페로브스카이트의 이온-풍부 특성, 강유전성 특성 또는 이온 이동 특성에 의해 비롯된 히스테리시스 거동에 기반하는 것을 특징으로 하는 시냅스 소자
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제1항에 있어서,제1 전극 및 상기 금속할라이드 페로브스카이트층 사이에 위치하는 전도성 고분자층을 더 포함하는 시냅스 소자
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제3항에 있어서,상기 전도성 고분자층은 PEDOT:PSS를 포함하는 시냅스 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 전극 또는 제2 전극은 Al, Cu, Ni, Fe, Cr, Ti, Zn, Pb, Au 또는 Ag를 포함하는 시냅스 소자
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제1항에 있어서,상기 금속할라이드 페로브스카이트는 ABX3, A2BX4, ABX4 또는 An-1BnX3n+1(n은 2 내지 6사이의 정수)의 구조를 포함하고,상기 A는 유기암모늄 또는 알칼리금속 물질이고, 상기 B는 금속 물질이고, 상기 X는 할로겐 원소인 시냅스 소자
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제6항에 있어서,상기 유기암모늄은 아미디늄계 유기이온, (CH3NH3)n, ((CxH2x+1)nNH3)2(CH3NH3)n, (RNH3)2, (CnH2n+1NH3)2, (CF3NH3), (CF3NH3)n, ((CxF2x+1)nNH3)2(CF3NH3)n, ((CxF2x+1)nNH3)2 또는 (CnF2n+1NH3)2) (n은 1이상인 정수, x는 1이상인 정수)인 시냅스 소자
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제6항에 있어서,상기 알칼리금속 물질은 Na, K, Rb, Cs 또는 Fr인 시냅스 소자
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제6항에 있어서,상기 금속 물질은 2가의 전이 금속, 희토류 금속, 알칼리 토류 금속, Pb, Sn, Ge, Ga, In, Al, Sb, Bi, Po, 또는 이들의 조합의 이온인 시냅스 소자
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제6항에 있어서,상기 할로겐 원소는 Cl, Br, I 이온 또는 이들의 조합인 시냅스 소자
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