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박막제조를 위한 이종 기상 증착장치로서,기 설정된 값 이하의 공기 압력을 갖도록 구성된 진공 챔버(chamber);상기 진공 챔버 내부에 설치되며, 표면에 박막을 형성시키기 위한 기판;상기 기판을 지지하는 서스셉터(susceptor);상기 기판에 증착할 박막의 조성재료(이하 '타겟 물질'이라 한다)를 포함하고, 음극으로 대전되어 상기 진공 챔버 내부의 플라즈마 이온의 충돌을 받아 상기 타겟 물질을 상기 기판으로 방출시키는 음극타겟; 및상기 기판에 형성되는 박막의 성분 조정을 위하여, 상기 기판 위에 박막으로 형성될 특정 성분의 분자선을 발생시키는 분자선 발생 셀을 포함하는 박막제조를 위한 이종 기상 증착장치
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청구항 1에 있어서,상기 진공 챔버의 상기 음극타겟의 클리닝 작업을 위해 레이저를 조사(irradiate)하는 레이저 출력장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막제조를 위한 이종 기상 증착장치
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청구항 2에 있어서,상기 클리닝 작업에는,상기 음극타겟 표면상에 노출되는 금속성 물질 또는 미세 돌출부를 제거하는 작업이 포함되는 것을 특징으로 하는 박막제조를 위한 이종 기상 증착장치
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청구항 1에 있어서,상기 분자선 발생 셀은,플라즈마를 이용하여 상기 타겟 물질에 의하여 기판 위에 박막이 형성되기 전에, 상기 기판으로 분자선을 사전 조사(preexposure)함으로써, 상기 기판의 표면처리를 수행하거나 또는 상기 형성되는 박막에 상기 타겟 물질 이외의 불순물을 첨가하는 기능을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제조를 위한 이종 기상 증착장치
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청구항 1의 박막제조를 위한 이종 기상 증착장치가, 이종 기상 증착작업을 수행하는 방법으로서,(a) 플라즈마 이온화시킬 기체를 진공 챔버 내부에 주입하는 단계;(b) 음극타겟에 마이너스(-) 전압을 가하여 상기 기체를 플라즈마 이온화시키는 단계;(c) 상기 플라즈마 이온의 상기 음극타겟으로의 충돌에 의해 상기 음극타겟으로부터 타겟 물질이 방출되어 양극의 기판 위에 증착되는 단계;(d) 상기 기판에 형성되는 박막의 성분 조정을 위하여, 분자선 발생 셀이 상기 기판 위에 박막으로 형성될 특정 성분의 분자선을 발생시키는 단계를 포함하는 박막제조를 위한 이종 기상 증착방법
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청구항 5에 있어서,기 설정된 클리닝 조건이 충족된 경우, 상기 음극타겟의 클리닝 작업을 위해 상기 음극 타겟으로 레이저를 조사(irradiate)하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막제조를 위한 이종 기상 증착방법
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청구항 6에 있어서,상기 클리닝 조건은,클리닝 시간 주기가 경과됨을 감지하는 것, 상기 음극타겟 상의 불순물 생성을 감지하는 것, 또는 상기 음극타겟 상에 미세 돌출부가 발생되는 것을 감지하는 것 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막제조를 위한 이종 기상 증착방법
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청구항 7에 있어서,상기 불순물에는,음극타겟 상에 노출된 금속성 물질을 포함하고,상기 클리닝 작업에는,상기 음극타겟 상에 노출되는 금속성 물질을 제거하는 작업을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막제조를 위한 이종 기상 증착방법
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청구항 7에 있어서,상기 미세 돌출부에는,음극타겟 상에 노출된 마이크로 홀과 아일런드, 핏, 크랙과 같은 구조적 결함을 포함하고,상기 클리닝 작업에는,상기 음극타겟 상에 발생된 미세 돌출부 등의 구조적 결함을 제거하는 작업 을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막제조를 위한 이종 기상 증착방법
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청구항 5에 있어서,상기 단계(b) 이전에,상기 분자선 발생 셀이, 상기 타겟 물질에 의하여 기판 위에 박막이 형성되기 전에, 상기 기판의 표면처리를 통한 기판의 표면조정을 위해 상기 기판으로 분자선을 사전 조사(preexposure)하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막제조를 위한 이종 기상 증착방법
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청구항 5에 있어서,상기 단계(d) 이후,(e) 상기 기판 상에 형성된 박막의 조성의 조정이 필요한 경우, 분자선 발생 셀이 상기 기판 위 박막의 성분 조정을 위한 특정 성분의 분자선을 발생시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막제조를 위한 이종 기상 증착방법
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