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i) 금속 및 금속산화물 전극층이 증착된 기판 상에 포토레지스트 층을 형성하는 단계, ii) 상기 포토레지스트 층을 노광시켜 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, iii) 상기 포토레지스트 패턴으로 상기 기판을 에칭하는 단계,iv) 상기 기판을 온도가 30℃ 내지 50℃인 수계 박리액에 15초 내지 20초 동안 침지시키는 단계, 및v) 상기 15초 내지 20초 동안의 침지 후에 상기 수계 박리액으로부터 상기 기판을 60도 내지 90도의 추출각으로 추출하는 단계, 및vi) 상기 기판을 대기에 노출시킨 상태에서 상기 포토레지스트 층을 상기 기판으로부터 박리시키는 단계를 포함하고,상기 수계 박리액은 상기 수계 박리액의 총 중량을 기준으로, 에탄올 아민 및 수용성 유기 용매를 포함하는 박리 원액 20 내지 30 중량%; 및 물 70 내지 80 중량% 를 포함하고,상기 수계 박리액으로서, 유기 아민 화합물 및 극성 용제를 포함하고,상기 극성 용제로서, N-메틸피롤리돈(NMP), 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논(DMI), 디메틸설폭사이드(DMSO), 디메틸포름아마이드(DMF), N-메틸포름아마이드(NMF), 테트라메틸렌설폰, 부틸 디글리콜(butyl diglycol, BDG), 에틸 디글리콜(ethyl diglycol,EDG), 메틸디글리콜(methyl diglycol, MDG), 트리에틸렌글리콜(triethylene glycol, TEG), 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르(diethyleneglycolmonoethylether, DEM), 디에틸렌글리콜모노부틸에테르(diethyleneglycolmonoethylether), 또는 이들의 혼합물을 포함하는 포토레지스트의 박리 방법
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