1 |
1
(i) 용매 중에서 최소 하나의 알콕시실릴기 및 최소 2개의 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물 또는 최소 하나의 알콕시실릴기를 갖는 경화제와 충전제를 20℃ 내지 150℃에서 1시간 내지 24시간 동안 반응시키거나; 또는(ii) 물, 및 용매 중에서 최소 하나의 알콕시실릴기 및 최소 2개의 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물 또는 최소 하나의 알콕시실릴기를 갖는 경화제를 20℃ 내지 100℃에서 30분 내지 48시간 가수분해하여, 최소 하나의 실란올 및 최소 2개의 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물 또는 최소 하나의 실란올을 갖는 경화제의 가수분해물을 형성하고, 그 후에, 용매 중에서, 상기 최소 하나의 실란올 및 최소 2개의 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물 또는 최소 하나의 실란올을 갖는 경화제의 가수분해물과 충전제를 20℃ 내지 150℃에서 1시간 내지 24시간 반응시켜서 얻어지는, 최소 하나의 알콕시실릴기 및 최소 2개의 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물, 최소 하나의 알콕시실릴기를 갖는 경화제 및 이들의 가수분해물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 적어도 일종의 표면처리제로 표면처리된 충전제
|
2 |
2
제1항에 있어서,최소 하나의 알콕시실릴기 및 최소 2개의 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물은하기 화학식 AI 내지 MI로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 표면처리된 충전제
|
3 |
3
제1항에 있어서,상기 알콕시실릴기를 갖는 경화제는 하기 화학식 I-1 내지 I-4로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 표면처리된 충전제
|
4 |
4
제1항에 있어서, 상기 충전제는 유리섬유, 실리카, 알루미나, 보헤마이트, 티타니아, 지르코니아, 질화규소, 질화알루미늄, 점토, 마이카, 카올린, 탈크, 울라스토나이트, 몬모릴로나이트, 아스베스토스, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 마그네슘, 산화 마그네슘, 질화 붕소, 붕산 알루미늄, 티탄산바륨, 티탄산 칼슘, 티탄산 마그네슘, 티탄산 비스머스, 지르콘산 바륨, 지르콘산 칼슘, 금, 은, 백금, 철, 알루미늄, 구리, 마그네슘, 납, 니켈, 아연, 망간, 스테인레스 스틸, 티타늄, 세륨, 아연, 주석, 인듐, 황, 코발트, 몰리브덴, 스트론튬, 크롬, 및 바륨으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 표면처리된 충전제
|
5 |
5
용매 중에서 청구항 2의 최소 하나의 알콕시실릴기 및 최소 2개의 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물 또는 청구항 3의 최소 하나의 알콕시실릴기를 갖는 경화제와 충전제를 20℃ 내지 150℃에서 1시간 내지 24시간 동안 반응시키는 단계를 포함하는 최소 하나의 알콕시실릴기 및 최소 2개의 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물 또는 최소 하나의 알콕시실릴기를 갖는 경화제로 표면처리된 충전제의 제조방법
|
6 |
6
물, 및 용매 중에서 청구항 2의 최소 하나의 알콕시실릴기 및 최소 2개의 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물 또는 청구항 3의 최소 하나의 알콕시실릴기를 갖는 경화제를 20℃ 내지 100℃에서 30분 내지 48시간 가수분해하여, 최소 하나의 실란올 및 최소 2개의 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물 또는 최소 하나의 실란올을 갖는 경화제의 가수분해물을 형성하는 단계; 및용매 중에서, 상기 최소 하나의 실란올 및 최소 2개의 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물 또는 최소 하나의 실란올을 갖는 경화제의 가수분해물과 충전제를 20℃ 내지 150℃에서 1시간 내지 24시간 반응시키는 단계를 포함하는, 최소 하나의 실란올 및 최소 2개의 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물 또는 최소 하나의 실란올을 갖는 경화제의 가수분해물로 표면처리된 충전제의 제조방법
|
7 |
7
제5항에 있어서, 상기 충전제는 유리섬유, 실리카, 알루미나, 보헤마이트, 티타니아, 지르코니아, 질화규소, 질화알루미늄, 점토, 마이카, 카올린, 탈크, 울라스토나이트, 몬모릴로나이트, 아스베스토스, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 마그네슘, 산화 마그네슘, 질화 붕소, 붕산 알루미늄, 티탄산바륨, 티탄산 칼슘 티탄산 마그네슘, 티탄산 비스머스, 지르콘산 바륨, 지르콘산 칼슘, 금, 은, 백금, 철, 알루미늄, 구리, 마그네슘, 납, 니켈, 아연, 망간, 스테인레스 스틸, 티타늄, 세륨, 아연, 주석, 인듐, 황, 코발트, 몰리브덴, 스트론튬, 크롬, 및 바륨으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 표면처리된 충전제의 제조방법
|
8 |
8
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 표면처리된 충전제를 포함하는 조성물
|
9 |
9
제8항의 조성물을 포함하는 전기전자재료
|
10 |
10
제9항에 있어서, 상기 전기전자 재료는 기판, 필름, 적층판, 프리프레그, 인쇄 배선판, 또는 패키징 재료인 전기전자 재료
|
11 |
11
제8항의 조성물을 포함하는 접착제
|
12 |
12
제8항의 조성물을 포함하는 도료
|
13 |
13
제8항의 조성물을 포함하는 코팅제
|
14 |
14
제8항의 조성물을 포함하는 반도체 재료
|
15 |
15
제6항에 있어서, 상기 가수분해물을 형성하는 단계는 반응촉매의 존재하에서 행하여지는 표면처리된 충전제의 제조방법
|
16 |
16
제6항에 있어서, 상기 충전제는 유리섬유, 실리카, 알루미나, 보헤마이트, 티타니아, 지르코니아, 질화규소, 질화알루미늄, 점토, 마이카, 카올린, 탈크, 울라스토나이트, 몬모릴로나이트, 아스베스토스, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 마그네슘, 산화 마그네슘, 질화 붕소, 붕산 알루미늄, 티탄산바륨, 티탄산 칼슘 티탄산 마그네슘, 티탄산 비스머스, 지르콘산 바륨, 지르콘산 칼슘, 금, 은, 백금, 철, 알루미늄, 구리, 마그네슘, 납, 니켈, 아연, 망간, 스테인레스 스틸, 티타늄, 세륨, 아연, 주석, 인듐, 황, 코발트, 몰리브덴, 스트론튬, 크롬, 및 바륨으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 표면처리된 충전제의 제조방법
|
17 |
17
삭제
|
18 |
18
삭제
|