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양극 전해질이 위치하는 양극 하프 셀, 음극 전해질이 위치하는 음극 하프 셀 및 상기 양극 하프셀과 음극 하프셀 사이에 위치하는 이온 교환막을 포함하는 스택; 및상기 스택의 외부에 상기 양극 전해질과 음극 전해질을 각각 저장하는 저장조를 포함하고,상기 양극 전해질은 옥살레이트 계열의 첨가제를 포함하고,상기 첨가제는 전이금속류 옥살레이트 계열, 디알킬 옥살레이트 계열 또는 이들의 혼합물인 바나듐 레독스 흐름 전지
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제1항에 있어서,상기 전이금속류 옥살레이트 계열은 CoC2O4, Ce2(C2O4)3, CrC2O4, FeC2O4, PbC2O4, Ag2C2O4 또는 SrC2O4을 포함하는 바나듐 레독스 흐름 전지
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제1항에 있어서,상기 디알킬 옥살레이트 계열((R2C2O4)에서 R은 메틸기, 에틸기, 프로필기 또는 부틸기를 포함하는 것인 바나듐 레독스 흐름 전지
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제1항에 있어서,상기 첨가제는 상기 양극 전해질 100 중량부에 대하여 0
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제1항에 있어서,상기 옥살레이트 계열 첨가제의 옥살레이트 이온은 상기 양극 전해질 내에서 상기 바나듐 화합물의 VO2+(V5+)의 침전을 방지하는 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스 흐름 전지
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바나듐 화합물 수용액에 환원제를 혼합한 후, 산을 첨가하여 기본 전해질 용액을 제조하는 단계; 및상기 기본 전해질 용액에 옥살레이트 계열의 첨가제를 혼합시키는 단계를 포함하고,상기 옥살레이트 계열의 첨가제는 전이금속류 옥살레이트 계열, 디알킬 옥살레이트 계열또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스 흐름 전지용 양극 전해질 제조방법
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제6항에 있어서,상기 전이금속류 옥살레이트 계열은 CoC2O4, Ce2(C2O4)3, CrC2O4, FeC2O4, PbC2O4, Ag2C2O4 또는 SrC2O4을 포함하는 바나듐 레독스 흐름 전지용 양극 전해질 제조방법
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제6항에 있어서,상기 바나듐 수용액의 바나듐 화합물은 V2O5, V2O3, V2O4 및 NH4VO3으로 이루어진 군에서 적어도 하나 선택되는 것을 포함하는 바나듐 레독스 흐름 전지용 양극 전해질 제조방법
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제6항에 있어서,상기 환원제는 N2H4(hydrazine) 및 N2H4수화물, HO2CCO2H(oxalic acid) 및 HO2CCO2H수화물, NaBH4(sodiumborohydride) 및 NaBH4수용액 중 일종 또는 이종을 선택하는 것을 포함하는 바나듐 레독스 흐름 전지용 양극 전해질 제조방법
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제6항에 있어서,상기 산은 H2SO4 또는 H3PO4을 포함하는 바나듐 레독스 흐름 전지용 양극전해질 제조방법
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