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보론 도핑 다이아몬드 전극 제조를 위한 최적 다이아몬드 파우더 결정 방법(Method for deciding optimum diamond power for processing boron doped diamond electorde)

  • 기술번호 : KST2017013795
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 보론 도핑 다이아몬드 전극 제조를 위한 최적 다이아몬드 파우더 결정 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 보론 도핑 다이아몬드(Boron Doped Diamond : BDD) 전극 제조를 위한 전처리 과정인 다이아몬드 핵 생성을 위해 사용되는 다이아몬드 파우더에 대한 최적 선택이 가능한 보론 도핑 다이아몬드 전극 제조를 위한 최적 다이아몬드 파우더 결정 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 보론 도핑 전극 제조 과정 중 다이아몬드 층 형성을 위한 전처리 과정인 다이아몬드 입자 부착의 최적화를 위한 다이아몬드 파우더의 입자 크기를 결정할 수 있게 되므로, 이에 따라 보론 도핑 전극 제조 시 최적 특성의 다이아몬드 층 형성이 가능해지는 효과를 갖는다.
Int. CL C01B 31/06 (2016.03.18) C23C 16/27 (2016.03.18) G01N 21/65 (2016.03.18) G01N 23/20 (2016.03.18) G01N 23/225 (2016.03.18) H01B 5/14 (2016.03.18) H01B 13/00 (2016.03.18)
CPC C01B 32/28(2013.01) C01B 32/28(2013.01) C01B 32/28(2013.01) C01B 32/28(2013.01) C01B 32/28(2013.01) C01B 32/28(2013.01) C01B 32/28(2013.01)
출원번호/일자 1020160018520 (2016.02.17)
출원인 한국산업기술대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0096803 (2017.08.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 대한민국 경기도 시흥시 산기대학로

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강찬형 대한민국 경기도 군포시 산본로***번길 **, **
2 김선태 대한민국 경기도 부천시 원미구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-0157838-25
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번호 청구항
1 1
(a) 서로 다른 입자 크기를 갖는 복수 개의 다이아몬드 파우더 중 하나를 선택하는 단계;(b) 상기 (a) 단계에서 선택된 다이아몬드 파우더를 이용하여 기판 상에 다이아몬드 입자를 부착하는 단계;(c) 상기 복수 개의 다이아몬드 파우더 전체가 선택될 때까지 상기 (a) 및 (b) 단계를 반복 수행한 후 그 결과 생성되는 상기 다이아몬드 입자가 부착된 복수 개의 기판 중 적어도 두 개 이상의 기판을 선택하는 단계;(d) 상기 선택된 적어도 두 개 이상의 기판을 각각 미리 결정된 시간 동안 CVD(Chemical Vapour Deposition) 처리하여 상기 각각의 기판 상에 다이아몬드 층을 형성하는 단계; 및(e) 상기 선택된 적어도 두 개 이상의 기판 각각에 형성된 다이아몬드 층에 대한 특성 검사를 수행한 후 수행 결과에 따라 하나의 기판을 선택하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 보론 도핑 다이아몬드 전극 제조를 위한 최적 다이아몬드 파우더 결정 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 (e) 단계에서,상기 특성 검사 항목은 상기 다이아몬드 층의 두께, 표면 형상, 및 표면 단차와 상기 다이아몬드 입자 크기인 것을 특징으로 하는 보론 도핑 다이아몬드 전극 제조를 위한 최적 다이아몬드 파우더 결정 방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 (b) 단계에서,상기 기판은 다결정 실리콘(poly Si) 기판인 것을 특징으로 하는 보론 도핑 다이아몬드 전극 제조를 위한 최적 다이아몬드 파우더 결정 방법
4 4
상기 (a) 단계에 이어서,(a1) 상기 기판 표면을 경면 연마(mirror polishing)하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 보론 도핑 다이아몬드 전극 제조를 위한 최적 다이아몬드 파우더 결정 방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 (b) 단계에 이어서,(b1) 상기 다이아몬드 입자가 접착된 기판을 세척 및 건조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 보론 도핑 다이아몬드 전극 제조를 위한 최적 다이아몬드 파우더 결정 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국산업기술대학교 산학협력단 기업연계형 연구개발 인력양성사업 융합정보기기소재부품 분야 연구개발 인력양성사업(2차)