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1
그 내부에 제공된 고체 물질을 승화시켜 소스 가스를 형성하는 소스부;상기 소스부로부터 이송된 상기 소스 가스를 해리하는 가열부; 및상기 해리된 소스 가스를 대상막 상으로 분사하는 토출부를 포함하되,상기 토출부는:제1 홀들을 포함하는 제1 분사 유닛; 및 제2 홀들을 포함하고, 상기 제1 분사 유닛과 중첩하도록 제공되는 제2 분사 유닛을 포함하고, 상기 해리된 소스 가스는 상기 제1 홀들 및 상기 제2 홀들을 통해 상기 대상막 상으로 분사되고,상기 제1 분사 유닛이 회전함에 따라 상기 해리된 소스 가스의 분사량이 제어되는 불순물 주입 장치
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2
청구항 1에 있어서,상기 제1 홀들과 상기 제2 홀들이 서로 중첩하여 형성되는 일 영역은 토출구로 정의되고,상기 해리된 소스 가스는 상기 토출구를 통해 상기 대상막 상으로 분사되는 불순물 주입 장치
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3
청구항 2에 있어서,상기 제1 분사 유닛이 회전함에 따라 상기 토출구의 크기가 제어되는 불순물 주입 장치
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4
청구항 2에 있어서,상기 제1 분사 유닛이 회전함에 따라 상기 토출구가 열리거나 닫히도록 제어되는 불순물 주입 장치
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5
청구항 1에 있어서,상기 소스부의 외면을 둘러싸고 상기 고체 물질을 가열하는 제1 히터; 및상기 가열부의 외면을 둘러싸고 상기 소스 가스를 가열하는 제2 히터를 더 포함하되,상기 가열부는 상기 토출부에 연결되고, 상기 제2 히터는 상기 가열부의 상기 외면으로부터 연장되어 상기 토출부의 외면의 적어도 일부를 덮는 불순물 주입 장치
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6
청구항 5에 있어서,상기 소스부에 연결되고, 상기 소스 가스를 이송시키기 위한 이송 가스를 제공하는 가스 주입부; 및상기 소스부와 상기 가열부를 연결시키고, 상기 소스 가스가 이송되는 가스 이송부를 더 포함하는 불순물 주입 장치
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7
청구항 6에 있어서,상기 이송 가스는 아르곤, 질소, 헬륨, 및 수소 중 적어도 하나를 포함하는 불순물 주입 장치
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8
청구항 1에 있어서,상기 대상막을 지지하기 위한 지지 구조체; 및 상기 지지 구조체가 그 내부에 제공되는 진공 챔버를 더 포함하되,상기 소스부, 상기 가열부, 및 상기 토출부는 상기 진공 챔버 내부에 제공되는 불순물 주입 장치
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9
고체 물질을 승화시켜 소스 가스를 형성하는 것;상기 소스 가스를 가열하여 해리하는 것; 및상기 해리된 소스 가스를 다이아몬드를 포함하는 대상막 상으로 분사하는 것을 포함하는 N형 반도체 다이아몬드의 형성 방법
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10
청구항 9에 있어서,상기 고체 물질은 황(sulfur)이고, 상기 소스 가스는 황 기체인 N형 반도체 다이아몬드의 형성 방법
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11
청구항 10에 있어서,상기 해리된 소스 가스는 S2, S3, 및 S4 분자들을 포함하는 N형 반도체 다이아몬드의 형성 방법
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12
청구항 11에 있어서,상기 해리된 소스 가스 내 원소들이 상기 다이아몬드와 반응함에 따라, 상기 다이아몬드의 적어도 일부는 N형의 전기전도성을 갖는 N형 반도체 다이아몬드의 형성 방법
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13
청구항 9에 있어서,상기 대상막은 기판 및 상기 기판 상에 형성된 다이아몬드 박막을 포함하는 N형 반도체 다이아몬드의 형성 방법
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14
청구항 13에 있어서,상기 기판은 반도체 기판인 N형 반도체 다이아몬드의 형성 방법
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15
청구항 9에 있어서,상기 소스 가스를 형성하는 것, 상기 소스 가스를 해리하는 것, 및 상기 해리된 소스 가스를 분사하는 것은 진공 상태에서 수행되는 N형 반도체 다이아몬드의 형성 방법
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