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서로 대향된 제1 면 및 제2 면을 갖는 광전 변환층;상기 광전 변환층의 제1 면 상에 배치된 투명한 제1 전극;상기 광전 변환층의 제2 면 아래에 배치된 투명한 제2 전극;상기 제1 전극과 상기 광전 변환층 사이에 배치되는 p형 반도체층;상기 제2 전극과 상기 광전 변환층 사이에 배치되는 n형 반도체층; 및상기 p형 반도체층과 상기 광전 변환층 사이, 또는 상기 n형 반도체층과 상기 광전 변환층 사이에 배치되고, 상기 광전 변환층과 다른 에너지 밴드 갭을 갖는 캐리어 이동층을 포함하는 광 검출 소자
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제1항에 있어서,상기 캐리어 이동층의 에너지 밴드 갭은 상기 광전 변환층의 에너지 밴드 갭보다 작거나 큰 광 검출 소자
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제2항에 있어서, 상기 캐리어 이동층은 서로 다른 에너지 밴드 갭을 갖는 복수의 밴드갭 변화층들을 포함하는 광 검출 소자
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제1항에 있어서,상기 n형 반도체층 및 상기 광전 변환층 사이 또는 상기 p형 반도체층 및 상기 광전 변환층 사이에 배치되고, 상기 광전 변환층과 결정성이 다른 전류 누설 방지층을 더 포함하는 광 검출 소자
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제4항에 있어서, 상기 전류 누설 방지층은 Si, SiO, SiC, SiN, AlO, TiO, MoO₃, V2O5, Al₂O₃, ZnO, 및 AlTiO 중 적어도 어느 하나를 포함하는 광 검출 소자
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제4항에 있어서, 상기 전류 누설 방지층은 결정성이 서로 다른 복수의 결정성 변화층들을 포함하는 광 검출 소자
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제6항에 있어서,상기 결정성 변화층들은 서로 에너지 밴드 갭이 상이한 광 검출 소자
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제4항에 있어서,상기 전류 누설 방지층은 상기 광전 변환 층과 에너지 밴드 갭이 상이한 광 검출 소자
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제1항에 있어서, 상기 광전 변환층은 Si 및 SiO 중 적어도 어느 하나를 포함하는 광 검출 소자
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제9항에 있어서,상기 광전 변환층은 비정질 또는 미세결정으로 제공되는 광 검출 소자
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11
제1항에 있어서,상기 캐리어 이동층은 SiO, AlO, TiO, SiAlO 및 AlTiO 중 적어도 어느 하나를 포함하는 광 검출 소자
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제1항에 있어서, 상기 캐리어 이동층의 두께는 3nm 내지 100nm인 광 검출 소자
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