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고분자 기판의 표면을 플라즈마로 처리하는 단계; 및상기 플라즈마 처리된 고분자 기판을 소수성의 불소 화합물을 함유하는 코팅제로 코팅하는 단계를 포함하는 고분자 기판의 표면 개질 방법에 있어서,상기 고분자는 실록세인(siloxane) 계열의 고분자이고,상기 소수성의 불소 화합물은 건식 공정하에서, 저항가열 방법 또는 전자빔 증발증착 방법으로 코팅되며,상기 소수성의 불소 화합물은 폴리테트라플루오로에틸렌, 에틸렌-테트라플로오로에틸렌 공중합체, 퍼플루오로폴리에트르기 함유 실란, 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌 공중합체, 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 조성물의 부분 가수분해 축합물 및 불소 함유 오르가노폴리실록산으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 고분자 기판의 표면 개질 방법
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제 1 항에 있어서,상기 실록세인 계열의 고분자는 실리콘 고무인 것인 고분자 기판의 표면 개질 방법
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제 1 항에 있어서,상기 플라즈마는 아르곤, 질소, 산소 또는 이들 중 2 이상을 혼합한 혼합가스 플라즈마인 것인 고분자 기판의 표면 개질 방법
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제 1 항 에 있어서,상기 고분자 기판의 표면을 플라즈마로 처리하는 단계에서,상기 플라즈마는 대기압(760 Torr)로 유지되는 장치에서 RF파워 700 내지 800 W의 전력을 적용함으로써 혼합가스로부터 형성되는 것인 고분자 기판의 표면 개질 방법
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제 1 항에 있어서,상기 소수성의 불소 화합물은 불소계 중합체 및 기능성 유무기 실란(silane) 화합물의 축합 중합체를 포함하는 것인 고분자 기판의 표면 개질 방법
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제 6 항에 있어서,상기 불소계 중합체는 테트라플루오로에틸렌, 헥사플루오로프로필렌, 클로로트리플루오로에틸렌, 트리플루오로에틸렌, 비닐리덴플루오로라이드, 옥타플루오로부틸렌, 펜타플루오로페닐 트리플루오로에틸렌 및 펜타플루오로페닐 에틸렌으로부터 유도된 반복 단위를 포함한 중합체, 플루오르 함유 아크릴레이트 중합체 및 퍼플루오로 폴리에테르로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 고분자 기판의 표면 개질 방법
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제 6 항에 있어서,상기 기능성 유무기 실란 화합물은 알콕시기를 포함하는 유기실란, 기능성 유기기를 포함하는 실란 화합물, 및 유기실란 조성물의 부분 가수분해 축합물로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 고분자 기판의 표면 개질 방법
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제 6 항에 있어서,상기 기능성 유무기 실란 화합물은 아미노프로필트리에톡시실란, 아미노프로필트리메톡시실란, 아미노-메톡시실란, 페닐아미노프로필트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(β-아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-아미노프로필트리디메톡시실란, γ-아미노프로필디메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-아미노프로필디에톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리(메톡시에톡시)실란, 디-, 트리- 또는 테트라알콕시실란, 비닐메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐에폭시실란, 비닐트리에폭시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 클로로트리메틸실란, 트리클로로에틸실란, 트리클로로메틸실란, 트리클로로페닐실란, 트리클로로비닐실란, 머캅토프로필트리에톡시실란, 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 비스(트리메톡시실릴프로필)아민, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라설파이드, 비스(트리에톡시실릴프로필)디설파이드, (메타크릴옥시)프로필트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필디에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, p-스티릴트리메톡시실란 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 고분자 기판의 표면 개질 방법
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제 1 항, 제 3항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 고분자 기판의 표면 개질 방법으로 표면이 개질된 고분자 기판
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제 11 항의 고분자 기판을 포함하는 바이오 칩
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