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기판;상기 기판 상에 위치한 바텀게이트 전극;상기 바텀게이트 전극을 포함하여 기판 전면에 걸쳐 위치한 바텀게이트 절연층;상기 바텀게이트 절연층 상에 서로 이격되어 위치하는 소스/드레인 전극;상기 소스/드레인 전극을 포함하는 게이트 절연층 전면에 걸쳐 위치한 반도체층;상기 반도체층 상의 전면에 위치하는 탑게이트 절연층; 및상기 탑게이트 절연층 상에 위치한 탑게이트 전극;을 포함하되,상기 반도체층은 복수층으로 형성된 것을 특징으로 하는 다층의 반도체층을 포함하되,상기 반도체층은 3개의 층 이상으로 형성되어 내부층과 외부층으로 구분되며, 상기 내부층으로는 InO, IZO, IGO, ZTO, ZnO, 옥시나이트라이드화합물 중 1이상 선택되며, 상기 외부층으로는 GZO, IGTO 중 1이상 선택되며,상기 내부층은 상기 외부층에 비해 상대적으로 이동도가 높은 물질이며,상기 외부층은 상기 내부층에 비해 상대적으로 밴드갭이 큰 물질인 것을 특징으로 하는 다층의 반도체층을 포함하는 듀얼게이트 박막트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 반도체층은 3개의 층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층의 반도체층을 포함하는 듀얼게이트 박막트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 반도체층의 두께(h)는 1~20nm인 것을 특징으로 하는 다층의 반도체층을 포함하는 듀얼게이트 박막트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 바텀게이트 절연층 및 탑게이트 절연층은 유기 고분자로 폴리스타이렌(PS, polystyrene), 폴리메타아크릴레이트 (PMMA, polymethylmethacrylate), 페놀계 고분자, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계 고분자, p-자이리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 파릴렌(parylene)으로 이루어진 군에서 1이상 선택하거나,산화물로 SiO2, Al2O3, HfO2, ZrO2, Y2O3 및 Ta2O5로 이루어진 군에서 1이상 선택하는 것을 특징으로 하는 다층의 반도체층을 포함하는 듀얼게이트 박막트랜지스터
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